模拟电子技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)第一章.docx

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1、第一章思考与解答1-1名解半体、流子、空穴、自由子、本征半体、半体、N型半体、P型半体、PN。解半体——能力介乎于体与体之的一种物。例如硅(Si)和(Ge)，两种半体材料常用来做晶体管。流子——运流的粒子。在体中的流子就是自由子；半体中的流子有两种，就是自由子与空穴，它都能参加。空穴——硅和均共价构，属于四价元素。最外的四个子与相原子最外子成四个共价，每一个共价上均有两个价子运。当境温度升高(加或光照)，价子得能量脱原子核与共价它的束入自由空成自由子，在原来的位置上就出一个空位，称空穴。空穴正，具有吸引相

2、子的能力，参加只能沿着共价作依次式的运。自由子——位于自由空，，参加，在自由空作自由翔式的运，种流子称自由子。本征半体——不任何的半体，也就是指的半体，称本征半体。半体——入的半体称半体。N型半体——在本征硅(或)中入微量五价元素(如磷型半体，又称子型半体，称N型半体。P)，就形成含有大量子的NP型半体——在本征硅(或)中入微量的三价元素(如硼型半体，又称空穴型半体，称P型半体。B)，就形成含大量空穴的PPN——将一P型半体与一N型半体放在一起，通一定的工将它有机地合起来，在其交界面上形成一个，称PN

3、。1-3填空(只填a、b⋯以下同)(1)在PN不加外部，散流漂移流。(a.大于，b.小于，c.等于)(2)当PN外加正向，散流漂移流。(a1.大于，b1.小于，c1.等于)此耗尽。(a2.，b2.窄，c2.不)(3)当PN外加反向，散流此耗尽。(a2.，b2.窄，c2.不)漂移流。(a1.大于，b1.小于，c1.等于)解(1)c。(2)a1，b2。(3)b1，a2。1-4填空(1)二极管从0.65V增大10%，流的流增大。(a.10%，b.大于10%，c.小于10%)(2)管状。(a2.正

4、向通，(a1.是二极管，b1.不是二极管，b2.反向截止，c2.反向穿)c1.是特殊的二极管)，它工作在(3)NPN型和PNP型晶体管的区是。(a.由两种不同材料的硅和制成，b.掺入的元素不同，c.P区和N区的位置不同)(4)效管是通改(a1.极流，b1.源，c1.漏源)来改漏极流的，因此是一个(a2.流，b2.电压)控制的(a3.流源，b3.源)。(5)晶体管流由(a1.多子，b1.少子，c1.两种流子)成，而效管的流由(a2.多子，b2.少子，c2.两种流子)成。因此，晶体管流受温度的影响比效应管

5、(a3.大，b3.小，c3.差不多)。(6)晶体管工作在放大区时，时，b-e极间为，b-cb-e极间为极间为，b-c极间为。(a.正向偏置，b.反向偏置，；工作在饱和区c.零偏置)解(1)b。(2)c1,c2。(3)c。(4)b1,b2,a3。(5)c1,a2,a3。(6)a,b;a,a与c。1-5回答下列问题(1)为什么说在使用二极管时，应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压?(2)如何用万用表的“Ω”挡来辨别一只二极管的阳、阴两极?(提示：万用表的黑笔接表内直流电源的正极端，而红笔接负

6、极端)(3)比较硅、锗两种二极管的性能。在工程实践中，为什么硅二极管应用得较普遍?解(1)如果二极管的正向电流超过最大整流电流就会进入过流区，容易烧管；如果超过最高反向工作电压容易造成管子反向击穿。(2)根据二极管的正向电阻小，反向电阻大的性质。先假设二极管的阴、阳两个端，测量其电阻，将黑笔接假设的阳极，红笔接假设的阴极，记录其阻值；再将黑、红笔交换位置，再测电阻，比较两次测得的阻值大小，若前者小于后者，说明假设的阴、阳两极是对的，否则相反。(3)死区电压：硅管的大于锗管的；反向电流：硅管的小于锗管的；最高反

7、向工作电压：硅管的高于锗管的；工作频率：锗管的高于硅管的。因为硅管的穿透电流ICEO比锗管的小得多，表现温度稳定性好，所以硅二极管应用得较普遍。1-6回答问题(1)有两个三极管，A管的=200，ICEO=200μA,B管的=50,ICEO=10μA。其他参数大致相同。相比之下管的性能较好。(2)若把一个三极管的集电极电源反接，使集电结也处于正向偏置，则IC将更大，对放大作用是否更有利?(3)一个三极管的IB=10μA时，IC=1mA，我们能否从这两个数据来决定它的交流电流放大系数?什么时候可以?什么时候不可以

8、?解(1)B。因为ICEO越小的管子，使用寿命越长，而且其温度稳定性越好。(2)无影响。因为放大作用的大小不在于IB和IC绝对值的大小，而在于二者变化量的比值，即IC的变化量IC比IB的变化量IB越大，表征管子的放大作用越强。(3)由定义式IC2IC1知，对于一般的管子来说不可以，因为IC10，IB10。IB2IB1而对于理想的三极管来说，可取IC10，IB10，此时可以由IC=1mA，IB=10μ