最新习 题 4教学文案.doc

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1、习题44.1图4.1所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。说明它的开启电压（或夹断电压）约是多少。图4.1习题4.1图解：(a)N沟道耗尽型FETUP=－3V；(b)P沟道增强型FETUth=－4V；(c)P沟道耗尽型FETUP=2V。4.2图4.2所示为场效应管的输出特性曲线，分别判断各场效应管属于何种类型（增强型、耗尽型、N沟道或P沟道），说明它的夹断电压（或开启电压）为多少。图4.2习题4.2图解：(a)增强型MOSFET，P沟道Uth=－1V；(b)耗尽型N沟道FETUP=－1V4.

2、3某MOSFET的IDSS=10mA且UP=－8V。(1)此元件是P沟道还是N沟道？(2)计算UGS=－3V时的ID；(3)计算UGS=3V时的ID。解：(1)N沟道；(2)(3)4.4画出下列FET的转移特性曲线。(1)UP=－6V，IDSS=1mA的MOSFET；(2)Uth=8V，Kn=0.2mA/V2的MOSFET。解：(1)(2)4.5试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。解：4.6判断图4.3所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。电容对

3、交流信号可视为短路。图4.3习题4.6电路图解：(a)能放大(b)不能放大，增强型不能用自给偏压(c)能放大（d）不能放大，电源极性错误，共漏，可增加Rd，并改为共源放大4.7电路如图4.4所示，MOSFET的Uth=2V，Kn=50mA/V2，确定电路Q点的IDQ和UDSQ值。解：4.8试求图4.5所示每个电路的UDSQ，已知

4、IDSS

5、=8mA。图4.4习题4.7电路图图4.5习题4.8电路图解：(a)UGSQ=0(V)IDQ=IDSS=8(mA)UDSQ=VDD－IDQRd=12－8×1=4(V)(b)UG

6、SQ=0(V)IDQ=IDSS=－8(mA)UDSQ=VDD－IDQRd=－9+8×0.56=－4.52(V)4.9电路如图4.6所示，已知VT在UGS=5V时的ID=2.25mA，在UGS=3V时的ID=0.25mA。现要求该电路中FET的VDQ=2.4V、IDQ=0.64mA，试求：(1)管子的Kn和Uth的值；(2)Rd和RS的值应各取多大？解：（1）ID=Kn(UGS-Uth)22.25=Kn(5-UTh)20.25=Kn(3-Uth)2→Uth1=3.5(V)(不合理，舍去)，Uth2=2(V)求得：K

7、n=0.25mA/V2，Uth=2V（2）VDQ=VDD-IDQ·Rd2.4=12－0.64Rd→Rd=15kΩ→UGSQ1=0.4(V)(不合理，舍去)UGSQ2=3.6(V)UGSQ=10－0.64·Rs∴Rs=10kΩ4.10电路如图4.7所示，已知FET的Uth=3V、Kn=0.1mA/V2。现要求该电路中FET的IDQ=1.6mA，试求Rd的值应为多大？图4.6习题4.9图图4.7习题4.10图解：1.6=0.1(UGSQ－3)2∴UGSQ1=7(V)UGSQ2=－1(V)(不合理，舍去)UDSQ=UG

8、SQ=7(V)UDSQ=15－1.6×Rd∴Rd=5kΩ4.11电路如图4.8所示，已知场效应管VT的Uth=2V，U(BR)DS=16V、U(BR)GS=30V，当UGS=4V、UDS=5V时的ID=9mA。请分析这四个电路中的场效应管各工作在什么状态(截止、恒流、可变电阻、击穿)？图4.8习题4.11图解：(a)截止(b)UDSQ=20V>U(BR)DS，击穿(c)ID=Kn(UGS-Uth)29=Kn(4－2)2∴Kn=2.25mA/V2UGSQ=3VIDQ=2.25(3－2)2∴IDQ=2.25mA→UD

9、SQ=12－2.25×5=0.75(V)UGSQ－Uth=1V∴处于恒流区4.12电路如图4.9所示，已知场效应管VT1的Kn=0.16mA/V2、Uth=3.5V；VT2的IDSS=－2mA、UP=2V。试分析这二个电路中的场效应管各工作在截止区、恒流区、可变电阻区中的哪个区。图4.9习题4.12图解：(a)UGSQ=2V

10、×3=－4(V)