欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:59938492
大小:844.50 KB
页数:13页
时间:2020-11-28
《量子力学电子的准经典运动教学文案.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、量子力学电子的准经典运动二、电子的速度按照准经典近似,电子的速度可用波包的运动速度(群速度)表示电子的群速度总是与k空间的等能面垂直三、外力作用下电子状态的变化——加速度与有效质量1、准动量当有外加电磁场时,晶体电子受到外力的作用,能量发生变化:dE=Fvdt单位时间内能量增量dE/dt=Fv=F‧(1/ħ)(dE/dK)又dE/dt=(dE/dK)‧(dK/dt)对比上面两式,得到:F=ħ(dK/dt)=d(ħk)/dt此式与自由粒子的牛顿第二定律F=dP/dt形式上相当。2、加速度晶体电子的加
2、速度3、有效质量m*称为有效质量。在一维情况下它是标量倒有效质量张量在三维情况下,加速度与牛顿方程a=F/M比较,则其分量表示为这九个元素只有i=j的三个元素不为零,即有效质量m*与自由电子的惯性质量m的区别(1)一般情况下有效质量是张量。当时,有效质量是标量。晶体电子的加速度一般与外力方向不同。(2)有效质量不是一个常数,而是波矢k的函数。m*可以大于m,可以小于m,甚至可以是负值。能带底和能带顶为E(K)函数的极小和极大,分别具有正值和负值的二级微商。因此,在能带底附近,有效质量m*>0;在能
3、带顶附近,m*<0。产生上述区别的原因晶体中的电子不仅受到外力F的作用,而且受到晶格场力Fl的作用,电子的运动方程第六节、导体、绝缘体和半导体一、满带对电导无贡献1、满带如果一个能带内的全部状态均为电子所填充,则称之为满带;如果一个能带未被电子填满,则称之为不满的带。根据能带结构,并计及电子的自旋,每个子能带内包含有2N个电子态。即每个子能带可填充2N个电子。硅的价带有2N4=8N个电子态,有8N个价电子,基态时正好填满价带,因而价带的四个子能带都是满带。2、满带电子对电流的贡献没有外电场时(1
4、)能带具有反演对称性:E(K)=E(-K)一个完全填满电子的能带,电子在k空间具有中心对称性。即一个电子处于k态,能量为E(K),则必有另一个与其能量相同的E(-K)=E(K)电子处于-k态。(2)当不存在外电场时,尽管每一个电子都带有一定的电流-ev,但是k态和-k态的电子电流-ev(k)和-ev(-k)正好一对对相互抵消,所以没有宏观电流。电场不为零时(1)对于填满的能带由k(r)=k+Gh(r)知,从一端离开第一布里渊区的电子,相当于从另一端进入该区。从总的效果看,电子的分布没有发生变化
5、,总电流为零(2)对于未填满的能带在外场作用下,电子在布里渊区内不再是对称分布,因而产生净电流3、满带对电导没有贡献,只有未完全填满电子的能带才对电导有贡献。二、空穴1、近满带近满带:只有能带顶附近少量的状态未被电子占据的能带。由于某种原因,满带中的一个电子激发到空带,满带成为近满带2、近满带电流近满带电流公式Ke态上的一个电子对电流的贡献是-ev(ke)假设在空态Ke放上一个电子,使近满带成为满带,则总电流为零:状态Ke空着的近满带产生的电流等效于一个带正电荷e、速度与Ke态电子速度相同的假想粒
6、子产生的电流。电磁场作用下的近满带电流近满带电流对时间求导:作用于ke态电子上的力空状态往往在能带顶部附近,电子有效质量me*<0。令mh*=-me*>0,于是在外加电磁场作用下,近满带电流随时间变化的规律,与带正电荷e、具有正有效质量mh*的粒子在外加电磁场中引起的电流变化规律相同。3、空穴:能代替整个近满带电子系统的假想粒子4、空穴的性质:具有正电荷+e、正有效质量mh*,速度与空状态电子速度相同5、载流子:电子和空穴三、导体、绝缘体和半导体1、导体在0k时,系统处于基态。电子按照能量由低到高
7、的顺序填充能带中的状态。如果最后填充的能带是不满的,则它必然导电,因而是导体。碱金属N个原子组成的晶体,其S能带可容纳2N个电子。N个价电子填充了带的下半部,上半部N个状态是空的。碱土金属N个原子组成的晶体,其S能带可容纳2N个电子,有2N个价电子。但S能带与其上方的P能带有交叠。2、绝缘体和半导体价带、导带、禁带(1)对于绝缘体和半导体,电子填满一系列的能带,最上面的一个满带叫做价带。(2)价带上方的各能带全部空着。最靠近价带的空带称为导带。(3)在价带与导带之间存在禁带(能隙)Eg。因而在基态
8、,绝缘体和半导体都不导电。只有初基元胞中含有偶数个电子的固体,能带才可能不是全满就是全空的,从而才可能是绝缘体或半导体。反过来不一定正确。即初基元胞含有偶数个电子的固体可能是导体。从能带论的角度看,绝缘体和半导体的差别仅在于禁带宽度Eg的大小不同,二者之间没有严格的界限。(1)绝缘体的禁带宽度较大,一般在3ev以下(2)半导体的禁带宽度较小,一般在2ev以下3、半金属导带底与价带顶有少量交叠或者有相同的能量。在导带中存在一定数量的电子,在价带中存在一定数量的空穴4、导体、绝缘体、半
此文档下载收益归作者所有