三极管-黄勇ppt课件.ppt

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1、2.1晶体三极管2.1.1三极管的结构、分类和符号2.1.2三极管的工作电压和基本联接方式2.1.3三极管内电流的分配和放大作用2.1.4三极管的输入和输出特性2.1.5三极管主要参数2.1.6三极管的简单测试2.1晶体三极管晶体三极管：是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件。特点：管内有两种载流子参与导电。特点：有三个电极，故称三极管。图2.1.1三极管外形2.1.1三极管的结构、分类和符号一、晶体三极管的基本结构1.  三极管的外形2.三极管的结构图2.1.2三极管的结构图工艺要求：发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少

2、；集电区比发射区体积大且掺杂少。特点：有三个区——发射区、基区、集电区；两个PN结——发射结（BE结）、集电结（BC结）；三个电极——发射极e(E)、基极b(B)和集电极c©；两种类型——PNP型管和NPN型管。箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。文字符号：V图2.1.3三极管符号二、晶体三极管的符号2．国产三极管命名法：见《电子线路》P249附录二。三、晶体三极管的分类1．三极管有多种分类方法。按内部结构分：有NPN型和PNP型管；按工作频率分：有低频和高频管；按功率分：有小功率和大功率管；按用途分：有普通管和开关管；按半导体

3、材料分：有锗管和硅管等等。例如：3DG表示高频小功率NPN型硅三极管；3CG表示高频小功率PNP型硅三极管；3AK表示PNP型开关锗三极管等。三极管工作在放大状态的外部条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式一、晶体三极管的工作电压三极管的基本作用是放大电信号。图2.1.4三极管电源的接法V为三极管GC为集电极电源GB为基极电源，又称偏置电源Rb为基极电阻Rc为集电极电阻。有三种基本连接方式：共发射极、共基极和共集电极接法。最常用的是共发射极接法。二、晶体三极管在电路中的基本连接方式如图2

4、.1.5所示：测量电路如图2.1.3三极管内电流的分配和放大作用一、电流分配关系动画三极管的电流分配关系表2.1.1调节电位器，测得发射极电流、基极电流和集电极电流的对应数据如表2.1.1所示。因IB很小，则(2.1.2)(2.1.1)由表2.1.1可见，三极管中电流分配关系如下：IB/mA-0.00100.010.020.030.040.05IC/mA0.0010.010.561.141.742.332.91IE/mA00.010.571.161.772.372.96ICEO越小，三极管温度稳定性越好。硅管的温度稳定性比锗管好。说

5、明：1.时，。称为集电极——基极反向饱和电流，见图2.1.7(a)。一般很小，与温度有关。2.时，。称为集电极——发射极反向电流，又叫穿透电流，见图2.1.7(b)。二、晶体三极管的电流放大作用IB/mA-0.00100.010.020.030.040.05IC/mA0.0010.010.561.141.742.332.91IE/mA00.010.571.161.772.372.96由表得出动画三极管的电流放大作用结论：1．三极管的电流放大作用——基极电流微小的变化，引起集电极电流较大变化。2．交流电流放大系数——表示三极管放大交流

6、电流的能力(2.1.3)3．直流电流放大系数——表示三极管放大直流电流的能力(2.1.4)4．通常，，所以可表示为(2.1.5)考虑ICEO，则(2.1.6)2.1.4三极管的输入和输出特性集射极之间的电压VCE一定时，发射结电压VBE与基极电流IB之间的关系曲线。一、共发射极输入特性曲线动画三极管的输入特性5．VBE与IB成非线性关系。由图可见：1．当VCE≥2V时，特性曲线基本重合。2．当VBE很小时，IB等于零，三极管处于截止状态；3．当VBE大于门槛电压（硅管约0.5V，锗管约0.2V）时，IB逐渐增大，三极管开始导通。4．

7、三极管导通后，VBE基本不　变。硅管约为0.7V，锗管　约为0.3V，称为三极管的导　通电压。图2.1.9共发射极输入特性曲线二、晶体三极管的输出特性曲线基极电流一定时，集、射极之间的电压与集电极电流的关系曲线。动画三极管的输出特性在放大状态，当IB一定时，IC不随VCE变化，即放大状态的三极管具有恒流特性。输出特性曲线可分为三个工作区:1.截止区条件：发射结反偏或两端电压为零。特点：。2.饱和区条件：发射结和集电结均为正偏。特点：。称为饱和管压降，小功率硅管约0.3V，锗管约为0.1V。3.放大区条件：发射结正偏，集电结反偏特点：

8、IC受IB控制，即。三极管的参数是表征管子的性能和适用范围的参考数据。2.1.5三极管主要参数电流放大系数一般在10~100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。一般取30~80为宜。2.交流放大系数1.直流放大系数一、共发