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时间:2020-11-13
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1、实验一、双极型晶体管(BJT)特性参数测量一、实验设备(1)半导体管特性图示仪(XJ4810A型),(2)BJT晶体管(S9014、S8050、S8550),(3)二极管(1N4001)二、实验目的1、熟悉BJT晶体管特性参数测试原理;2、掌握使用半导体管特性图示仪测量BJT晶体管特性参数的方法;3、学会利用手册的特性参数计算BJT晶体管的混合π型EM1模型参数的方法。三、实验仪器介绍:XJ4810型/XJ4810A型半导体管特性图示仪采用示波管显示半导体器件的各种特性曲线,并测量其静态参数。本仪器具有二簇曲线显示,双向集电极扫描电路,可以对被测半导体
2、器件的特司长进行对比分析,便于对管或配件配对。本仪器IR测量达200nA/div,配备扩展装置后,VC可达3KV;可测试CMOS及TTL门电路传输特性;可对场效应管进行配对或对管测试;可测试三端稳压管特性。图1为XJ4810A型晶体管测试仪图片四、BJT晶体管特性参数测试原理晶体管的输出特性曲线如图1所示,这是一组曲线族,对于其中任一条曲线,相当于Ib=常数(即基极电流Ib不变)。曲线显示出集电极与发射极之间的电压Vcc增加时,集电极电流Ic的变化。因此,为了显示一条特性曲线,可以采用如图2所示的方法,既固定基极电流Ib为:Ib=(Eb-Vbe)/Rb
3、在集电极到发射极的回路中,接入一个锯齿波电压发生器Ec和一个小的电阻Rc,晶体管发射极接地。由于电阻R很小,锯齿波电压实际上可以看成是加在晶体管的集电极和发射极之间。晶体管的集电极电流从电阻Rc上流过,电阻Rc上的电压降就正比于Ic。如果把晶体管的c、e两点接到示波管的x偏转板上,把电阻Rc两端接到示波管的y偏转板上,示波器便显示出晶体管的Ic随Vcc变化的曲线。(为了保证测量的准确性,电阻Rc应该很小)。用这种方法只能显示出一条特性曲线,因为此时晶体管的基极电流Ib是固定不变的。如果要测量整个特性曲线族,则要求基极电流Ib改变。基极电流Ib的改变采用
4、阶梯变化,每一个阶梯维持的时间正好等于作用在集电极的锯齿波电压的周期,如图3所示。阶梯电压每跳一级,电流Ib便增加一级。(每一级阶梯的增幅可根据不同的晶体管的做相应的调整)。晶体管特性图示仪便是按照上述原理设计的,它包括阶梯电压发生器(供基极或发射极阶梯波)、锯齿波电压发生器(供集电极扫描电压)、x轴放大器、y轴放大器、示波管系统等组成,其单元作用如图4所示。作用在垂直偏转板上的除Ic(实际上是IcRc)外,还可以是基极电压、基极电流、外接或校正电压。由于x轴和y轴作用选择的不同,在示波器荧光屏上显示出的特性就完全不同。例如:若x轴作用为集电极电压,y
5、轴作用选择集电极电流,得到晶体管的输出特性曲线;若x轴作用为基极电流,y轴作用选择集电极电流,得到晶体管的电流增益特性(即β特性);若y轴作用为基极电流,x轴作用是基极电流,得到晶体管的输入特性曲线。五、BJT晶体管特性参数测试过程为了不使被测晶体管和仪器损坏,在测试前必须充分了解仪器的使用方法和晶体管的规格,测试中,在调整仪器的各个选择开关和转换量时,必须注意使加于被测晶体管的电压、电流(并配合功耗电阻)从低量程漫漫提高,直到满足测量要求。(不然会烧)以XJ4810A型晶体管特性曲线图示仪为例,仪器操作程序如下:1、开启电源,预热5分钟。2、调整示波
6、器:(1)拉—电源开。(2)调整辉度到适中的亮度;(3)调整聚焦和辅助聚焦,使线迹清晰。(4)调整x、y移位,使光点停留在适于观察的位置。3、基极控制面板调节(阶梯调零与极性选择)首先根据被测晶体管的类型(npn或pnp)及接地方式(共基极或共发射极)选取阶梯极性npnpnp发射极接地+—基极接地然后进行阶梯调零(即调整阶梯信号的起始级在零电位的位置):先将y轴作用置于“基极电流或基极电源电压”,阶梯选择置于0.01V/级,阶梯作用为“重复”,x轴作用置于集电极电压(V/度)。调峰值电压为10V,这时荧光屏上出现阶梯信号。将y轴放大器校正置于“零点”位
7、置,调y轴移位,使基线位于零线上;再将校正复位,使阶梯信号零位至y轴零线上。这样,零电位即被准确校正。此外,将串联电阻、阶梯选择(mA/级或V/级)调到预先需要的范围,阶梯作用根据需要选择重复、单族或关。4、集电极控制面板调节将集电极扫描全部旋钮(峰值电压范围、极性、峰值电压、功耗电阻)都调到预先需要的范围。(极性选择方法参考表一)5、显示面板Y轴调节y轴作用,将“毫安伏/度”开关与“倍频”开关调到读测需要的范围。6、显示面板X轴调节x轴作用,将“V/度”开关调到读测需要的范围。7、测试台,将接地开关按需要选择,然后插上晶体管,然后调节峰值电压等,此时
8、即有曲线显示。再经过y轴、x轴、阶梯三部分的适当修正,即可进行有关测量。8、测试完毕后关闭电源
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