半导体材料应用.docx

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1、半导体材料应用　　第一章常用半导体材料　　一、选择题　　1、PN结加正向电压时，耗尽层将　　A.变窄B.基本不变C.变宽D.不确定　　2、当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结应为　　A.前者正偏、后者正偏B.前者正偏、后者反偏　　C.前者反偏、后者正偏D.前者反偏、后者反偏　　3、在一个由NPN型晶体管构成的放大电路中,关于晶体管三个电极的电位,下列说法正确的　　是　　A．集电极电位一定最高B.集电极电位一定最低　　C．发射极电位一定最高D.基极电位一定最低　　4、在基本共射极放大电路中，若适当增加RC,则电压放大倍数和输出电阻将

2、分别变化为　　A．放大倍数变大，输出电阻变大B.放大倍数变大，输出电阻不变　　C.放大倍数变小，输出电阻变大D.放大倍数变小，输出电阻变小　　5、晶体管处于截止状态时，发射结和集电结的偏置情况是。　　A.发射结反偏，集电结正偏B.发射结、集电结反偏　　C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏、集电结反偏　　6、工作在放大区的三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA增加到2mA，那　　么它的β约为　　A83B91C100D167　　7、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将　　A增大B减小C不变D变化趋势不明显　　8、在

3、本征半导体中加入N型半导体，加入元素可形成P型半导体。　　A、六价；三价B、五价，三价C、三价；六价D、三价；五价　　9、某NPN型三极管的输出特性曲线如图所示，当VCE=6V时，其电流放大系数β为　　A、β=100　　B、β=25　　C、β=150　　D、β=50　　10、当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为。　　A.反向偏置但不击穿B.正向偏置但不击穿　　C.正向偏置且被击穿D.反向偏置且被击穿　　11、双极型晶体管工作在饱和区的偏置条件是。　　A.发射结正偏；集电结正偏B.发射结正偏；集电结反偏　　C.发射结

4、反偏；集电结正偏D.发射结反偏；集电结反偏　　12、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-V，则这只三极管是。　　A．NPN型硅管型锗管　　型硅管型锗管　　13、PN结加正向电压时，其正向电流是由的。　　A．多数载流子扩散形成B.多数载流子漂移形成　　C．少数载流子扩散形成D.少数载流子漂移形成　　14、工作在放大状态的晶体三极管，流过发射结的电流主要是　　A．漂移电流B.复合电流C.穿透电流D.扩散电流　　15、当温度升高时，晶体管的β、ICBO和uBE的变化情况为　　A、β增加，ICBO和uBE减小

5、B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增加D、β、ICBO和uBE都增加　　16、场效应管本质上是一个　　A、电流控制电流源器件B、电流控制电压源器件C、电压控制电流源器件　　D、电压控制电压源器件　　17、在某放大电路中，测得晶体管三个极的静态电位分别为0V、和12V，则这只三极管是　　A、NPN型硅管B、NPN型锗管　　C、PNP型硅管D、PNP型锗管　　18、稳压管的稳压区是其工作在　　A、正向导通B、正向击穿C、反向截止D、反向击穿　　19、下列三极管中，一定工作在放大状态的是　　AB　　C　　D20、

6、PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，则　　A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变D、其正向电流增大　　21、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其值增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为　　A、10μAB、15μAC、20μAD、40μA　　22、某场效应管的转移特性如图，该管为　　A、P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管　　C、N沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管　　23AC性24A、NPN型硅管B、NPN25A、多数载流子扩散形成流子扩散形成二、填空题1、二

7、极管最主要的特性是23、本征硅中掺入5越；相反少数载流子是，掺杂越多，则其数量越。　　4、半导体中的多数载流子是由形成的，少数载流子是由产生的。　　5、PN结外加反向电压时其空间电荷区宽度将PN结中　　6、温度升高时，二极管的反向饱和电流将　　7、当温度升高时，晶体管的输出特性曲线之间的间隔。　　8、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。　　三、计算题　　1、在下图所示稳压管稳压电路中，已知稳压管的稳压电压UZ=6V，最小稳定电流IZmin=5mA，最大稳定电流IZma

8、x=25mA；负载电阻RL=600Ω。求：限流电阻R的取值范围。　　2、电路如图所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图所示，二极管导通电压UD＝。试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。　　3、电路如图所示，设所有稳压管均为硅管，且稳