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时间:2020-09-14
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1、2第8章MCS-51存储器的扩展沈阳航空航天大学2课程主要内容外部扩展的基本知识存储器的扩展方法程序存储器的外扩数据存储器的外扩EPROM芯片的外扩编程举例28.1概述片内的资源如不满足需要,需外扩存储器和I/O功能部件。系统扩展主要内容有:(1)外部存储器的扩展(外部RAM、ROM)(2)I/O接口部件的扩展。本章介绍如何扩展外部存储器。348051/8751最小应用系统最小应用系统58031最小应用系统PSENMCS-51单片机外部存储器结构:哈佛结构。MCS-51RAM和ROM的最大扩展空间各为64KB。系统扩
2、展首先要构造系统总线。按功能把系统总线分为三组:1.地址总线(AdressBus,简写AB)2.数据总线(DataBus,简写DB)3.控制总线(ControlBus,简写CB)67与总线有关的基本概念系统总线:是连接计算机各部件的一组公共信号线,MCS51的系统总线可分为地址总线、数据总线和控制总线。地址总线:它用来传输单片机所发出的地址信号,以便进行存储单元和I/O端口的选择。地址总线的数目决定着可直接访问的存储单元及I/O端口的数目。数据总线:单片机与存储单元及I/O口之间传输数据信号控制总线:是一组控制信号线
3、,包括单片机发出的也包括从外部存储单元或者I/O端口发送给单片机的。优点:总线结构大大减小了单片机系统中传输线的数目,增加了系统的可靠性。8系统扩展的三总线结构9构造系统总线10地址锁存器74LS3731.以P0口作为数据总线(8位)。2.以P0口经8位锁存器锁存后的信号作为地址总线的低8位。3.以P2口作为地址总线高8位。4.控制信号线。*ALE——低8位地址锁存信号。*PSEN*——扩展程序存储器读选通信号。*EA*——内外程序存储器选择信号。*RD*和WR*——扩展RAM和I/O口的读选通、写选通信号。1112
4、13单片机系统的串行扩展技术优点:串行接口器件体积小,与单片机接口时需要的I/O口线少,可靠性提高。缺点:串行接口器件速度较慢*串行总线是当前发展很迅速的一个领域14存储器扩展的读写控制RAM芯片:读写控制引脚OE*和WE*,与MCS51的RD*和WR*引脚相连。EPROM芯片:只有读出引脚OE*,与MCS51的PSEN*引脚相连。158.2存储器分类介绍只读存储器–ROM–PROM–EPROM可读写存储器–SRAM–DRAM不挥发性读写存储器–E2PROM–NOVRAM:不挥发随机访问存储器,如背装锂电池的SRAM
5、特殊存储器–加密型ROM;双端口RAM;先进先出RAM;–快擦写型存储器168.2.1程序存储器扩展所使用的芯片采用只读存储器,非易失性。(1)掩膜ROM在制造过程中编程,只适合于大批量生产。(2)可编程ROM(PROM)用独立的编程器写入,只能写入一次。(3)EPROM电信号编程,紫外线擦除的只读存储器芯片。(4)E2PROM(EEPROM)电信号编程,电擦除。读写操作与RAM相似,写入速度稍慢。断电后能够保存信息。(5)FlashROM又称闪烁存储器,简称闪存。电改写,电擦除,读写速度快(70ns),读写次数多(
6、1万次)。178.2.2常用EPROM芯片介绍典型芯片是27系列产品,例如,2764(8KB×8)27128(16KB×8)27256(32KB×8)27512(64KB×8)“27”后面的数字表示其位存储容量。扩展程序存储器时,应尽量用大容量的芯片。181.常用的EPROM芯片引脚功能如下:A0~A15:地址线引脚。数目决定存储容量。D7~D0:数据线引脚CE*:OE*:PGM*:Vpp:Vcc:GND:NC:片选输入端输出允许控制端编程时,加编程脉冲的输入端编程时,编程电压(+12V或+25V)输入端+5V,芯片
7、的工作电压。数字地。无用端19202.EPROM芯片的工作方式(1)读出方式片选控制线CE为低,输出允许OE为低,Vpp为+5V,指定地址单元的内容从D7~D0上读出。(2)未选中方式片选控制线为高电平。(3)编程方式Vpp端加规定高压,CE*和OE*端加合适电平,就能将数据线上的数据写入到指定的地址单元。(4)编程校验方式(5)编程禁止方式输出呈高阻状态,不写入程序。213.EPROM使用的一点注意事项工作电压为5V,但不同厂家的芯片编程电压会有所不同通过专门编程器将程序代码写入程序存储器中在用专门的编程器进行程序
8、固化的时候,对芯片型号及制造厂家的选择一定要准确22典型的EPROM接口电路1.使用单片EPROM的扩展电路2716、2732EPROM价格贵,容量小,且难以买到。仅介绍2764、27128、27256、27512芯片的接口电路。下面介绍外扩2764及27128的设计方法。238.3存储器扩展方法扩展存储器即分配地址空间给每个芯片,注意要避免地
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