模拟电子技术前三章总结ppt课件.ppt

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1、模拟电子技术基础FundamentalsofAnalogElectronics童诗白、华成英　　主编---第一章至第三章的总结电气与信息学院电化1001班唐琦A07100568第一章常用半导体器件1.1半导体基础知识1.2半导体二极管1.3双极型晶体管1.4场效应管1.1半导体基础知识本征半导体概念：纯净的具有晶体结构的半导体。一、导体、半导体和绝缘体导体：自然界中很容易导电的物质，金属一般都是导体。绝缘体：有的物质几乎不导电，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。1.半导体中两种载流子：带负电的自由电子，带正电

2、的空穴2.本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为电子-空穴对。3.本征半导体中自由电子和空穴的浓度用ni和pi表示，显然ni=pi。4.由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动会达到平衡，载流子的浓度就一定了。5.载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升　　　高，基本按指数规律增加。杂质半导体杂质半导体有两种：N型半导体P型半导体一、N型半导体1、在硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷、锑、砷等，即构成N型半导体(或称电子型半导体)。2、自由电子浓度远大于空穴的浓度，即n>>p。电子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子(简

3、称少子)。3、5价杂质原子称为施主原子。二、P型半导体1、在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成P型半导体2、3价杂质原子称为受主原子。3、空穴浓度多于电子浓度，即p>>n。空穴为多数载流子，电子为少数载流子。PN结一、PN结的形成PN结中载流子的运动：扩散运动（扩散运动形成空间电荷区）二、PN结的单向导电性当PN结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流，PN结处于导通状态；当PN结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零，PN结处于截止状态三、PN结的伏安特性反向击穿、齐纳击穿、雪崩击穿四、PN结的电容效应势垒电容、扩散电容1.2半导体二极管概念：在PN结上

4、加上引线和封装，就成为一个二极管。分类：二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型二极管的伏安特性在环境温度升高时，二极管的正向特性将左移，反向特性将下移。二极管的特性对温度很敏感，具有负温度系数。二极管的参数(1)最大整流电流If;(2)反向击穿电压U（BR）和最高反向工作电压URM;(3)反向电流IR;(4)最高工作频率fM;(5)极间电容Cj稳压二极管利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态，反向电压应大于稳压电压。1.3　双极型晶体管三极管有两种类型：NPN型和PNP型。(本节以PNP型为例)一、晶体管的结构及类型常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种

5、类型。NNP集电区集电结基区发射结发射区集电极c基极b发射极ecbe符号三极管结构示意图和符号(b)NPN型NNPPN三极管结构示意图和符号(b)PNP型集电区集电结基区发射结发射区集电极c基极b发射极ecbe符号晶体管内部载流子的运动发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流2.扩散到基区的自由电子与　空穴的复合运动形成基极电流3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流Ic另外，集电区和基区的少子在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。晶体管的共射电流放大系数1、共射直流电流放大系数2、共射交流电流放大系数3、共基直流电流放大系数4、共基交流电流放大系数5.与

6、的关系或晶体管的共射特性曲线1、输入特性曲线2、输出特性曲线晶体管的主要参数直流参数、交流参数、极限参数1.4　场效应三极管一种载流子参与导电，利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的三极管，又称单极型三极管。特点：单极型器件(一种载流子导电)；输入电阻高；工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。分类：结型场效应管绝缘栅场效应管场效应管的主要参数直流参数，交流参数，极限参数场效应管与晶体管的比较种类符号转移特性曲线输出特性曲线结型N沟道耗尽型结型P沟道耗尽型绝缘栅型N沟道增强型SGDSGDSGDBuGSiD/mAUPIDSSOuGSiDUPIDSSOuGSiDOUTiDUGS=0V---

7、uDSOiDUGS=0V+uDS++o+UGS=UTuDSiD+++O种类符号转移特性曲线输出特性曲线绝缘栅型N沟道耗尽型绝缘栅型P沟道增强型耗尽型IDSGDBSGDBIDSGDBIDIDUGSUTOIDUGSUPIDSSOIDUGSUPIDSSOUDSID_UGS=0+__O_IDUGS=UTUDS_o_UGS=0V+_IDUDSo+第二章基本放大电路2.1放大的概念和电路主要指标2.2基本共射放大电路的工