电子技术基础试题.doc

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1、。电子技术基础试题库（第四版）第一章:半导体二极管一、填空题1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。导体、绝缘体、半导体2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。单向导电特性、导通、截止3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。0.7、0.34、使用二极管时，应考虑的主要参数是_________

2、_、__________。最大整流电流、最高反向工作电压5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________小、好6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为_______、_________和__________三类。导体，绝缘体，半导体7、PN结具有_____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结_________。单向导电性，导通，截止二，判断题１、半导体随温度的升高，

3、电阻会增大。（）N２、二极管是线性元件。（）N３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N４、二极管具有单向导电性。（）Y５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N６、二极管加正向压时一定导通（）N7、晶体二极管是线性元件。（）N8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y三、选择题１、ＰＮ结的最大特点是具有（）CＡ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）CＡ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开

4、始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）AＡ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小4、半导体中传导电流的载流子是（）。CA、电子B、空穴C、电子和空穴5、P型半导体是（）BA、纯净半导体B、掺杂半导体C、带正电的四、综合题1、如图，设晶体二极管的正向压降为0.7V，当UA分别为+5V、-5V、0V时，求UB。（5分）§1-210KΩ10V20V2、电路如图所示，判断二极管是导通还是截止，若导通，则求流过二极管的电流？第二章;半导体三极管及放大电路一，填空题1、

5、某晶体三极管的UCE不变，基集电流IB=30uA时，IC=1.2mA，则发射极电流IE=__________mA，如果IB增大到50uA时，IC增加到2mA，则发射极电流IE=__________mA，三极管的电流放大系数B=__________。1.23、2.05、402、三极管基集电流IB的微小变化，将会引起集电极电流IC的较大变化，这说明三极管具有__________作用。电流放大3当三极管的发射结__________，集电结__________是时，工作在放大区；发射结__________集电结

6、__________，工作在饱和区；发射结__________或__________集电结__________时，工作在截止区。加正向压（正偏）、加反向压（反偏）、加正向压（正偏）、加正向压（正偏）、加反向压（反偏）或零偏、加反向压（反偏）、4三极管的穿透电流ICEQ随温度的升高而__________,硅三极管的穿透电流比锗三极管的__________。增大、小5放大电路按三极管连接方式可分为__________，__________和__________；共基极、共射极、共集电极、6放大电路设置静态工

7、作点的目的是__________。避免失真7利用__________通路可估算放大器的静态工作点;利用__________通路的等效电路可以近似估算放大器的输入电阻，输出电阻和电压放大倍数。直流通路、交流通路8对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻__________些，以减轻信号源的负担，输出电阻__________些，以增大带负载的能力。大、小9放大电路产生非线性失真的根本原因是__________。静态工作点选择不当10影响放大电路静态工作点稳定的因素有__________波动,________

8、__因老化而发生变化和__________变化等，其中__________的影响最大。电源电压、晶体管、环境温度、温度11多级放大电路常用的级间耦合方式有__________，__________和__________。阻容耦合、变压器耦合、直接耦合12通常用____________________法判别正反馈还是负反馈。瞬时极性法13在放大电路中为了稳定静态工作点应该引入__________负反馈。为了提高电路的输入电阻，应该引入____