基于ARM的嵌入式系统硬件结构设计 ppt课件.ppt

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1、ARM原理及应用第七讲基于ARM的硬件系统结构设计本节提要21435存储器接口设计网络接口设计I/O接口设计人机交互接口设计其它通讯接口设计2410的存储器系统—可通过软件选择大小端—地址空间:每个Bank128Mbytes(总共1GB)—除bank0(16/32-bit)外,所有的Bank都可以通过编程选择总线宽度=(8/16/32-bit)—共8个banks6个Bank用于控制ROM,SRAM,etc.剩余的两个Bank用于控制ROM,SRAM,SDRAM,etc.—7个Bank固定起始地址;—最后一个Bank可调整起始

2、地址;—最后两个Bank大小可编程—所有Bank存储周期可编程控制;S3C2410的存储器配置Bank6/Bank7地址分布Bank0总线宽度配置与2片8位的ROM连接方法与1片16位的ROM连接S3C2410与2片8位FLASH的连接方法与1片16M的SDRAM的连接方法与2片16M的SDRAM的连接方法高速缓存(CACHE)1、为什么采用高速缓存微处理器的时钟频率比内存速度提高快得多,高速缓存可以提高内存的平均性能。2、高速缓存的工作原理高速缓存是一种小型、快速的存储器,它保存部分主存内容的拷贝。CPU高速缓存控制器CA

3、CHE主存数据数据地址总线和总线桥CPU低速设备桥数据高速总线存储器高速设备高速设备低速总线存储器系统的层次结构寄存器高速缓存SRAM主存储器DRAM本地存储器Flash、ROM、磁盘网络存储器Flash、ROM、磁盘时钟周期01—1050—10020000000存储器系统RAM:随机存取存储器,SRAM:静态随机存储器,DRAM:动态随机存储器1)SRAM比DRAM快2)SRAM比DRAM耗电多3)DRAM存储密度比SRAM高得多4)DRM需要周期性刷新ROM:只读存储器FLASH:闪存NOR技术NOR技术闪速存储器是最早

4、出现的FlashMemory,目前仍是多数供应商支持的技术架构,它源于传统的EPROM器件。与其它FlashMemory技术相比,具有可靠性高、随机读取速度快的优势,但擦除和写的速度较NAND慢。在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合,尤其是代码(指令)存储的应用中广泛使用。由于NOR技术FlashMemory的擦除和编程速度较慢,而块尺寸又较大,因此擦除和编程操作所花费的时间很长,在纯数据存储和文件存储的应用中,NOR技术显得力不从心。NAND技术NAND技术FlashMemory具有以下特点:以页为单位进行读和编程操作

5、,1页为256或512字节;以块为单位进行擦除操作,1块为4K、8K或16K字节。具有快编程和快擦除的功能,其块擦除时间是2ms;而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。数据、地址采用同一总线,实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。芯片尺寸小,引脚少,是位成本(bitcost)最低的固态存储器,突破了每兆字节0.1元的价格限制。芯片包含有失效块,其数目最大可达到3~35块(取决于存储器密度)。失效块不会影响有效块的性能,但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。基于NAND的存储器可以取代硬盘或其它块设备。NAN

6、D和NOR——性能比较NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术NOR的读速度比NAND稍快一些NAND的写入速度比NOR快很多NAND的擦除速度远比NOR的快大多数写入操作需要先进行擦除操作NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少接口差别NORflash带有SRAM接口,线性寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节NANDflash使用复用接口和控制IO多次寻址存取数据NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理,此类操作易于取代硬盘等类似的块设备容量和成本NANDflash生产过程更为简单,成本

7、低常见的NORflash为128KB~16MB,而NAND flash通常有8~128MBNOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储NAND在CompactFlash、SecureDigital、PCCards和MMC存储卡市场上所占份额最大可靠性和耐用性在NAND中每块的最大擦写次数是100万次,而NOR的擦写次数是10万次位交换的问题NANDflash中更突出,需要ECC纠错NANDflash中坏块随机分布,需要通过软件标定——产品量产的问题输入输出接口I/OA/D、D/A键盘LCD存储器接口设备接口本节提要

8、21435存储器接口设计网络接口设计I/O系统设计人机交互接口设计其它通讯接口设计I/O接口设计I/O接口电路也简称接口电路。它是主机和外围设备之间交换信息的连接部件(电路)。它在主机和外围设备之间的信息交换中起着桥梁和纽带作用。设置接口电路的必要性:a)解决CPU和外围设备之间的时序配合

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