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时间:2020-09-30
《电子技术第01讲(半导体器件)ppt课件.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、1第1讲第14章半导体器件14.1半导体的基础知识,P型硅,N型硅14.2PN结14.3半导体二极管14.4稳压二极管14.5半导体三极管14.6光电器件214.1.1本征半导体现代电子学中,用的最多的半导体是硅和锗,它们的最外层电子(价电子)都是四个。Si硅原子Ge锗原子§14.1半导体的基本知识3通过一定的工艺过程,可以将半导体制成晶体。完全纯净的、结构完整的半导体晶体,称为本征半导体。在硅和锗晶体中,每个原子与其相临的原子之间形成共价键,共用一对价电子。4硅和锗的共价键结构共价键共用电子对+4+4+4+4+4表示除去价电子后的原子5共价键中的
2、两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,所以本征半导体的导电能力很弱。形成共价键后,每个原子的最外层电子是八个,构成稳定结构。共价键有很强的结合力,使原子规则排列,形成晶体。+4+4+4+46空穴:在电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后,共价键中就留下一个空位,称为空穴。一般情况下,原子是中性的,当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后,原子的中性便被破坏,而显示带正电。几个概念激发:共价键中的电子获得能量(温度升高或光照等)后挣脱原子核的过程。自由电子:价电子激发后变成为自由
3、电子。载流子:半导体中的自由电子和空穴统称为载流子。7空穴电流:在外电场的作用下,有空穴的原子可以吸收相邻原子中的价电子,填补空穴。同时,在失去了一个价电子的相邻原子的共价键中出现另一个空穴,它也可以再由其相邻原子中的价电子来递补,而在该原子中又出现一个空穴。如此下去,就好像空穴在运动。如此形成的电流成为空穴电流。本征半导体的导电作用电子电流:加上外电场时,自由电子的定向运动产生的。8+4+4+4+49几点注意:(1)空穴运动与自由电子运动方向相反,而电子带负电,故可视为空穴带正电。(2)自由电子与空穴成对的产生,又成对的复合(即自由电子返回共价键
4、的空位),温度一定时电子空穴对的产生和复合达到平衡,半导体中的载流子数目便维持一定。(3)本征半导体受到热能激发而产生的载流子数目是极少的,故其类似绝缘体。(4)载流子数目随温度的升高而增多,温度对半导体器件的导电性能有影响,这是半导体器件工作不稳定的一个重要因素。1014.1.2杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质,就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。载流子:电子,空穴N型半导体(主要载流子为电子,电子半导体)P型半导体(主要载流子为空穴,空穴半导体)11N型半导体(电子半导体)N----Nega
5、tive在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷(或锑),晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,磷原子的最外层有五个价电子,其中四个与相临的半导体原子形成共价键,必定多出一个电子,这个电子几乎不受束缚,很容易被激发而成为自由电子,这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子,称为施主原子,磷原子带正电。多数载流子(多子):自由电子;少数载流子(少子):由热能激发产生的空穴。硅或锗+少量磷N型半导体12N型半导体多余电子磷原子硅原子+N型硅表示SiPSiSi13P型半导体(空穴半导体)P----Positive在硅或锗晶体中掺入少量的三
6、价元素,如硼(或铟),晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,硼原子的最外层有三个价电子,与相临的半导体原子形成共价键时,产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补,使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子,所以称为受主原子,硼原子带负电。多数载流子(多子):空穴;少数载流子(少子):由热能激发产生的自由电子。硅或锗+少量硼P型半导体14空穴P型半导体硼原子P型硅表示SiSiSiB硅原子空穴被认为带一个单位的正电荷,并且可以移动。15杂质半导体的示意表示法------------------------P型半导体+++++++++
7、+++++++++++++++N型半导体1614.2.1PN结的形成在同一片半导体基片上,分别制造P型半导体和N型半导体,经过载流子的扩散,在它们的交界面处就形成了PN结。§14.2PN结及半导体二极管17P型半导体------------------------N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动(多子)内电场E漂移运动(少子)空间电荷区PN结处载流子的运动18扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽,扩散越强则空间电荷区越宽。漂移运动P型半导体------------------------N型半导体+++++++++++
8、+++++++++++++扩散运动内电场EPN结处载流子的运动内电场越强,就使漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。19漂
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