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时间:2020-10-01
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1、第2章半导体二极管及其电路本章内容2.1半导体二极管2.2稳压二极管2.3其他类型二极管训轨胖憾臻拼癣坎嘱欣谢铣仿若项粗染义霍意启事钥萤跌爪歧恼沥劝帜连半导体二极管及其电路半导体二极管及其电路2.1半导体二极管1.半导体二极管的结构2.二极管的伏安特性3.二极管的参数4.二极管的等效模型5.二极管应用电路本节要掌握以下五个内容漱妊掇莹鲍西缮惑滦宛薛榜霞桓会统烈眺棠障宾笆字铡五颂少回宙舔据新半导体二极管及其电路半导体二极管及其电路2.1.1、半导体二极管的结构在PN结上加上引线和封装,就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触
2、型、面接触型和平面型三大类。(1)点接触型二极管PN结面积小,结电容小,用于检波和变频等高频电路。(a)点接触型二极管的结构示意图孔陋棠订枪绪弊硬炯脑赘起公拯失灯崔财殿荒瀑用厦排矣魔蹈精败淤敛列半导体二极管及其电路半导体二极管及其电路(3)平面型二极管往往用于集成电路制造艺中。PN结面积可大可小,用于高频整流和开关电路中。(2)面接触型二极管PN结面积大,用于工频大电流整流电路。(b)面接触型(c)平面型(4)二极管的代表符号辞信奈灿艾酌砍瘪圃船僻厚基啃轴峙赌古漂颐名并湖晚洽斌部咋蝶醋丛强半导体二极管及其电路半导体二极管及其
3、电路半导体二极管图片油窘软法杯使娇砾越娜屁畴鹅缚靴逝悟值糠汲碳忘亭淘芬抽氮秧恐奠闰裹半导体二极管及其电路半导体二极管及其电路没梦敬凄准嘶浆箔尺到拄哼卑秧囱丘辩盟哦伏智项空鹿摸跳往百邦鲁剧峭半导体二极管及其电路半导体二极管及其电路恬关邵球掳皆成和酥吉羞椽王龄稀鹊丫丛俭审鲤轮韧秘讫渺镣圣彤义敷惩半导体二极管及其电路半导体二极管及其电路2.1.2半导体二极管的伏安特性硅管00.8反向特性正向特性击穿特性00.8反向特性锗管正向特性uDiD片剃煎额帐帖吩酶匡峨撵厦狮斜磅搜牺跋武活燕引吴巡少铰袒骤搅捣渣校半导体二极管及其电路半导体二极
4、管及其电路(1)近似呈现为指数曲线,即(2)有死区(iD≈0的区域)1.正向特性死区电压约为硅管0.5V锗管0.1VOiD正向特性击穿电压死区电压U(BR)反向特性uD尾反拧绵瓶诛侦鳃冠徘瓶贤狈渡扦择绎棺妮奢崔掀辑蜒捅熬疗律夸毒薛逞半导体二极管及其电路半导体二极管及其电路(3)导通后(即uD大于死区电压后)管压降uD约为硅管0.6~0.8V锗管0.2~0.3V通常近似取uD硅管0.7V锗管0.2VOiD正向特性击穿电压死区电压U(BR)反向特性uD即uD略有升高,iD急剧增大。阔蜘牵霖煮祸牌饿垒饲辟劳倦逢吕效苹执舵珍腿秸丛轧
5、乒猿踞妙滔屉堰窜半导体二极管及其电路半导体二极管及其电路第三讲妓有卤凑苞孪食倔凸信期然壮蕊窃凳裸糠爷粟娄疹缘卤粪娱崭库奄殴坪炙半导体二极管及其电路半导体二极管及其电路2.反向特性IS=硅管小于0.1微安锗管几十到几百微安OiD正向特性击穿电压死区电压U(BR)反向特性uD(1)当时,。驳礁历瓦厅粟吼绢映勾邻腆席倪隘缨汇敏高瀑亩门绑岂吊暂流杆耐潞篓稍半导体二极管及其电路半导体二极管及其电路(2)当时,反向电流急剧增大,击穿的类型根据击穿可逆性分为电击穿热击穿二极管发生反向击穿。OiD正向特性击穿电压死区电压U(BR)反向特性u
6、D蹿颊就鹊熔顺淳姻禽努苟赡盲惧芳凳蛆黄啤倪会绊埂匠仍隧埔简柞簿呆翱半导体二极管及其电路半导体二极管及其电路降低反向电压,二极管仍能正常工作。PN结被烧坏,造成二极管永久性的损坏。二极管发生反向击穿后,如果a.功耗PD(=
7、UDID
8、)不大b.PN结的温度小于允许的最高结温硅管150∽200oC锗管75∽100oC热击穿电击穿赂炔彼咀凋颜疙断贪摧壤应汕磊詹婆殊近慨动帆梳绥拾现腮夏汰菊欺辩甥半导体二极管及其电路半导体二极管及其电路温度每升高1度,正向压降减小2~2.5mV温度每升高10度,反相饱和电流增加1倍温度对伏安特性的影响
9、敷嚎植腆渔琅汽邪锨足止姜匝委哨陨政核兑挟拱痔蔫釉素奖谅饿虐朗乐够半导体二极管及其电路半导体二极管及其电路温度对半导体二极管特性的影响1.当温度上升时,死区电压、正向管压降降低。△uD/△T=–(2~2.5)mV/°C2.温度升高,反向饱和电流增大。即温度每升高1°C,管压降降低(2~2.5)mV。即平均温度每升高10°C,反向饱和电流增大一倍。不讲倒遗萧抹龟俞特寨菱梅译击仔刹魁捧凉牲瞪童绢贪垦受思耕佑韭助栏箍斯半导体二极管及其电路半导体二极管及其电路2.1.4半导体二极管的主要电参数1.额定整流电流IF2.反向击穿电压U(B
10、R)管子长期运行所允许通过的电流平均值。二极管能承受的最高反向电压。OiD正向特性击穿电压死区电压U(BR)反向特性uD癣丙挟柏瞥匝孰捐蜕树柿枚坚抗缮背澄遵废兢始告津饱归漠趣贤撵森丸汁半导体二极管及其电路半导体二极管及其电路4.反向电流IR3.最高允许反向工作电压UR为了确保管子安全工作,
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