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时间:2020-10-03
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1、第八章模拟集成电路中常用单元电路§8-1恒流源电路恒流源电路的基本工作原理是基于一定的参考电流,提供一个与参考电流成一定比例关系的恒定电流。恒流源电路是模拟集成电路中非常重要、广泛应用的单元电路之一。由于它能提供恒定的工作电流和很高的动态电阻,常常用于提供稳定的偏置电流和放大器的负载电阻,以便获得稳定的电路性能和大的增益。思考题1.恒流源单元电路有哪些种类?各自的特点有哪些?2.恒流源作为有源负载有哪些特点?3.设计恒流源时应注意哪些问题?8.1.1npn恒流源电路1.基本型电流镜恒流源设T1和T2完全相同则:Ib1/Ib2=Ic1/Ic2因此:Ir=Ic1+Ib1+Ib2=Io+2Ib2
2、=Io(+2)/VRrIrIoT1T2Ib1Ib2因为:>>1所以:IrIo8.1.1npn恒流源电路2.面积比恒流源设T1和T2发射结面积为AE1和AE2则:Ib1/Ib2=Ic1/Io=AE1/AE2因此:Ir=Ic1+Ib1+Ib2则:Ir=Io(AE1/AE2+AE1/AE2+1)/因为:>>1,AE1/AE2值较小所以:IrIoAE1/AE2即:Io/Ir=AE2/AE1VRrIrIoT1T2Ib1Ib28.1.1npn恒流源电路3.电阻比恒流源Ib1Ib2VRrIrIoT1T2R1R2IE1R1+VBE1=IE2R2+VBE2则:IE1R1=IE2R2+VBE2
3、-VBE1IE1R1IE2R2因此:Ir=IE1+IE2/(+1)=IE2[R2/R1+1/(+1)]所以:IrIoR2/R1即:Io/Ir=R1/R28.1.1npn恒流源电路4.小电流恒流源Ib1Ib2VRrIrIoT1T2R2VBE1=IE2R2+VBE2则:IE2R2=VBE1–VBE2=VTln(IE1/IE2)因此近似有:Io=(VT/R2)ln(Ir/Io)根据已知的Ir和需要的Io,就可以求出要设计的R2。其中:VT=KT/q(热电压)8.1.1npn恒流源电路5.多支路恒流源VRrIrIo1T1T2Io2T3IoNTN+1设晶体管均相同,则:Ir=Ic1+(1+N
4、)Ib=Io+(1+N)Io/即:Io/Ir=/[+(1+N)]可见,支路数增加,会使Io与Ir的差值增大。8.1.1npn恒流源电路6.带有缓冲级的恒流源VRrIrIo1T1T2Io2T3IoNTN+1V’T0设晶体管均相同,则:Ir=Ic1+Ib0=Io+IE0/(+1)而:IE0=(1+N)Io/可见,Io与Ir的差值明显减小。则:IoIr=2+2++N+18.1.1npn恒流源电路7.具有补偿作用的恒流源VRrIrIoT1T2T3IbIb2IbIb3Ie3Ic1Ic2设晶体管均相同,则:IoIr=2+22+2+2这种电流源不仅使Io与Ir的差值非常小,而且
5、还具有负反馈补偿特性,更有利于工作点的稳定。补偿过程:当由于某种原因使Io增大,则Ie3Ic2Ic1。而Ir=Ic1+Ib3不变,则Ic1Ib3Io。8.1.1npn恒流源电路8.版图举例IrIoGNDGNDIrIoGNDIrIoIrIo8.1.2pnp恒流源电路1.概述在双极型模拟集成电路中,经常是npn管和pnp管互补应用,因此pnp恒流源同样得到广泛的应用。pnp恒流源电路形式与npn恒流源相同,只是改变电源的接法和电流方向。值得注意的是PNP恒流源一般是由横向PNP管组成,而横向PNP管的增益()远远小于NPN管的增益(),因此,PNP恒流源中Io与Ir的近似程度较大。8.1
6、.2pnp恒流源电路2.单元电路图举例IrIo1T1T2RrT3VDDIrIo1T1T2RrIo2T3VDDIrIo1T1T2RrVDDIrIo1T1T2RrIo2T3VDDVDDVDD8.1.2pnp恒流源电路3.单元版图举例8.1.3MOS型恒流源电路1.基本电流镜恒流源M1M2IrIo1Io2M3M1M2IrIo1Io2M3Vcc只要使MOS管都工作在饱和区(忽略沟道长度调制),由:nCox2IDS=WL(VGS-VT)2Ir:Io1:Io2=::WL)1(WL)2(WL)3(得:Ir一定,Io与输出端电压无关。沟道长度取一定值,则取决于沟道宽度之比。8.1.3MOS型恒流源电路
7、1.基本电流镜恒流源(续1)M1M2IrIo1Io2M3M1M2IrIo1Io2M3Vcc若考虑沟道调制效应,MOS管工作在饱和区电流公式为:nCox2IDS=WL(VGS-VT)2(1-VDS)其中沟道调制系数:=L1XdVDS因此,输出电压对输出电流产生一定的影响。为减小这一影响,沟道长度应选大一些。8.1.3MOS型恒流源电路1.基本电流镜恒流源(续2)电流源输出电阻(MOS管饱
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