第四章 存储器习题

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1、第四章存储器一、填空题1.计算机中的存储器是用来存放的，随机访问存储器的访问速度与无关。√2.主存储器的性能指标主要是、存储周期和存储器带宽。√3.存储器中用来区分不同的存储单元，1GB=KB。√4.半导体存储器分为、、只读存储器（ROM）和相联存储器等。√5.地址译码分为方式和方式。√6.双译码方式采用个地址译码器，分别产生和信号。√7.若RAM芯片内有1024个单元，用单译码方式，地址译码器将有条输出线；用双译码方式，地址译码器有条输出线。√8.静态存储单元是由晶体管构成的，保证记忆单元始终处于稳定状态，存

2、储的信息不需要。√9.存储器芯片并联的目的是为了，串联的目的是为了。10.计算机的主存容量与有关，其容量为。11.要组成容量为4M×8位的存储器，需要片4M×1位的存储器芯片并联，或者需要片1M×8位的存储器芯片串联。12.内存储器容量为6K时，若首地址为00000H，那么末地址的十六进制表示是。13主存储器一般采用存储器件，它与外存比较存取速度、成本。14三级存储器系统是指这三级、、。15表示存储器容量时KB=，MB=；表示硬盘容量时，KB=，MB=。16一个512KB的存储器，其地址线和数据线的总和是。17

3、只读存储器ROM可分为、、和四种。18SRAM是；DRAM是；ROM是；EPROM是。19半导体SRAM靠存储信息，半导体DRAM则是靠存储信息。20半导体动态RAM和静态RAM的主要区别是。21MOS半导体存储器可分为、两种类型，其中需要刷新。22广泛使用的和都是半导体③存储器。前者的速度比后者快，但不如后者高，它们的共同缺点是断电后保存信息。23EPROM属于的可编程ROM，擦除时一般使用，写入时使用高压脉冲。24单管动态MOS型半导体存储单元是由一个和一个构成的。25动态半导体存储器的刷新一般有、和三种方

4、式。【答案】①集中式②分散式③异步式26动态存储单元以电荷的形式将信息存储在电容上，由于电路中存在，因此需要定期的不断地进行。27闪速存储器能提供高性能、低功耗、高可靠性以及能力，闪速存储器特别适合于微型计算机系统，被誉为而成为代替磁盘的一种理想工具。28．双端口存储器和多体交叉存储器属于存储器结构。前者采用技术，后者采用技术。29.4体交叉存储器是一种存储器，它有个存储模块，每个模块有它自己的地址寄存器和。30.有一个4体交叉存储器，但使用时经常遇到连续访问同一存储体的情况，会产结果。二、选择题1.计算机的存

5、储器系统是指______。√A.RAMB.ROMC.主存储器D.cache，主存储器和外存储器2.存储器是计算机系统的记忆设备，它主要用来______。√A.存放数据B.存放程序C.存放数据和程序D.存放微程序3.内存若为16兆（MB），则表示其容量为______KB。√A.16B.16384C.1024D.160004.下列说法正确的是。√A.半导体RAM信息可读可写，且断电后仍能保持记忆B.动态的RAM属非易失性存储器，而静态的RAM存储信息是易失性的C.静态RAM、动态RAM都属易失性存储器，断电后存储的

6、信息将消失D.ROM不用刷新，但集成度不比动态RAM高，且断电后存储的信息仍能保持5．______类型的存储器速度最快?A.DRAMB.ROMC.EPROMD.SRAM6．下面是关于PC计算机主存储器的一些叙述：①主存储器的基本编址单元的长度为32位②主存储器也称为内存，它是一种动态随机存取存储器③目前市场上销售的PC机的内存容量最多能达到64MB④PC机的内存容量一般是可以扩大的其中正确的是______。A．①和③B.①、③和④C.①、②、③和④D.②和④7．动态RAM的刷新是以______为单位进行的。A.

7、存储单元B.行C.列D.存储矩阵8.可编程的只读存储器______。A.不一定可以改写B.可以改写C.不可以改写D.以上都不对9.组成2M×8位的内存，可以使用______。A.1M×8位进行并联B.1M×4位进行串联C.2M×4位进行并联D.2M×4位进行串联10.若SRAM芯片的容量是2M×8位，则该芯片引脚中地址线和数据线的数目之和是______。A.21B.29C.18D.不可估计11.若RAM中每个存储单元为16位，则下面所述正确的是______。A.地址线也是16位B.地址线与16无关C.地址线与1

8、6有关D.地址线不得少于16位12.RAM芯片串联时可以______。A.增加存储器字长B.增加存储单元数量C.提高存储器的速度D.降低存储器的平均价格13.RAM芯片并联时可以______。A.增加存储器字长B.增加存储单元数量C.提高存储器的速度D.降低存储器的平均价格14.存储周期是指______。√A.存储器的读出时间B.存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔C.存储器的