模拟电子技术基础完整版.ppt

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1、模拟电子技术基础负反馈放大器5集成运算放大电路8基本放大电路(三极管、场效应管）22半导体器件5集成运算放大器应用2复习3内容安排特别提醒本课程5学分成绩考试80分平时20分1、本周四确定座位表,以后每位同学按自己的座位入坐,若座位无人按缺席处理,缺席一次平时成绩扣一分，缺席过多按校规处理。如有重课请尽早到学院办理重课单。2、每周一交作业本，缺交或所做的作业量小于应做作业量的50%的、有明显作业抄袭的则平时成绩每次扣一分。3、每周四课后答疑。绪论一主要内容1电子器件二极管器件的特性、管子晶体管参数、等效电路场效应管（熟悉）差

2、分对管组件集成电路绪论2、电子电路晶体管放大器电路组成，放大电路场效应管放大器工作原理，集成运算放大器性能特性，功率放大器基本分析方法负反馈在放大电路中的应用工程计算方法放大器的频率响应绪论二电子电路的应用自动控制计算机通信文化娱乐医疗仪器家用电器三要求了解器件的内部工作原理掌握器件的应用特性（外特性）掌握各单元电路的工作原理及分析方法掌握实际技能及各种测试方法四学习方法1合理近似例：I=20/（1+0.9）=10.5mA若把1K//10K=1K则I=20/2K=10mA仅差5%而采用一般电阻元件其误差有10%即1K的元件可

3、能是1.1KΩ或900Ω2重视实验环节坚持理论联系实际绪论+20v-1K1k10k0.9k绪论五参考书模拟电子技术基础教程浙大邓汉馨模拟电子技术基础清华童诗白电子技术基础西安电子科大孙肖子模拟电子技术北京理工王远模拟电子线路(I)谢源清return第一章§1.1PN结及晶体二极管总结§1.2晶体三极管半导体器件半导体基础知识结型场效应管(JFET)§1.3场效应管金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）return半导体器件第一章半导体基础知识自然界中物质按其导电能力可分为导体:很容易传导电流的物质（铜铅）绝缘体:几乎不

4、能传导电流(橡皮陶瓷石英塑料)半导体:导电能力介于导体与绝缘体之间(硅锗)(本征杂质)(都是4阶元素)第一章半导体物理基础知识一本征半导体:-----纯净的半导体共价键在本征半导体晶体中，原子有序排列构成空间点阵（晶格），外层电子为相邻原子共有，形成共价键在绝对零度(-273.16)时晶体中没有自由电子,所有价电子都被束缚在共价键中.所以半导体不能导电价电子共价键半导体器件第一章半导体物理基础知识电子—空穴对当T或光线照射下,少数价电子因热激发而获得足够的能量挣脱共价键的束缚,成为自由电子.同时在原来的共价键中留下一个空位称

5、空穴本征半导体在热或光照射作用下,产生电子空穴对-----本征激发T↑光照↑→电子-空穴对↑→导电能力↑所以半导体的导电能力与T，光照有关在本征半导体中电子和空穴是成对出现的半导体器件本征半导体(纯净半导体)SiGe+32+14惯性核价电子+4第一章半导体物理基础知识电子电流电子在电场作用下移动产生的电流<带负电荷>x3→x2→x1空穴电流空穴移动产生的电流<带正电荷>x1→x2→x3激发束缚电子获能量成为自由电子和空穴自由电子浓度=空穴浓度电子和空穴称为载流子半导体器件第一章半导体物理基础知识复合运动中的自由电子如果“跳进

6、”空穴.重新被共价键束缚起来,电子空穴对消失称复合复合在一定温度下,使半导体中载流子浓度一定半导体器件晶体结构+4+4+4+4+4共价健特点电子、空穴两种载流子成对出现；常温下载流子数量少，导电性差；受外界影响大。电子空穴第一章半导体物理基础知识二杂质半导体-在本征半导体中掺入微量的杂质使其导电能力产生明显变化N型半导体-掺入微量的五价元素(磷砷锑)由于杂质原子提供自由电子---称施主原子N型杂质半导体中电子浓度比同一温度下本征半导体的电子浓度大得多所以加深了导电能力多子――电子少子――空穴半导体器件第一章半导体物理基础知识

7、P型半导体—掺入微量的三价元素（硼铝）由于杂质原子吸收电子——受主原子多子——空穴少子——电子杂质半导体中多子浓度由掺杂浓度决定少子浓度由温度决定P型杂质半导体中空穴浓度比同一温度下本征半导体的空穴浓度大得多所以加深了导电能力半导体器件return杂质半导体掺入五价元素掺入三价元素+5+4+4+4+4+3+4+4+4+4+-N型半导体多子—电子少子—空穴P型半导体多子—空穴少子—电子§1.1PN结及二极管在一块硅片上，用不同的掺杂工艺。使其一边形成N型半导体。另一边形成P型半导体则在其交界面附近形成了PN结。一PN结的形成1

8、.空间电荷区P型N型半导体结合在一起时，由于交界面两测多子与少子浓度不同引起扩散运动（浓度差引起）PN结++++++++++++++++++++P型N型扩散电流--------------------漂移电流浓度差电场作用内电场§1.1PN结及二极管所以在交面附近形成了不能移动的带电离子组