电子材料复习提纲.doc

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1、2014-2015-2电子材料复习提纲1.平衡载流子/非平衡载流子平衡载流子：在特定温度下，由热激发形成的载流子的产生和复合两个过程建立起动态平衡，这种情况下的载流子称为平衡载流子；非平衡载流子：当半导体吸收光子后，导致导带中的电子数和价带中的空穴数增加，这部分载流子称为非平衡载流子。2.辐射性复合/非辐射性复合辐射性复合：导带中的电子和价带中的空穴复合时以光子的形式释放能量；非辐射性复合：导带中的电子和价带中的空穴复合时以声子的形式释放能量；3.功能电子材料/结构电子材料功能电子材料：除强度性能外，还有其他特殊功能，或能实现光，电，磁

2、，热，力等不同形式的交互作用和转换的非结构材料；结构电子材料：能承受一定压力和重力，并能保持尺寸和大部分力学性质稳定的一类材料；4.玻璃键合/氧化物键合玻璃键合：把厚膜导电材料中配以一定的玻璃，通过离子的相互渗透作用使它与基片表面形成健合，这种键合类型成为玻璃键合；氧化物键合：在厚膜浆料的配料中加入金属氧化物，通过金属氧化物与基片表面形成的键合；1.负温度系数（NTC）热敏材料/正温度系数（PTC）热敏材料/临界温度电阻热敏材料负温度系数（NTC）热敏材料：电阻率随温度升高而下降的材料称为负温度系数（NTC）热敏材料；正温度系数（PTC

3、）热敏材料：电阻率随温度升高而升高的材料称为正温度系数（PTC）热敏材料/临界温度电阻热敏材料；临界温度电阻热敏材料：具有突变电阻温度特性曲线的材料；2.跳跃电导跳跃电导：电子传导时，传导的电子不进入导带，而是在禁带内的一些能级间跳跃，这种电导称为跳跃电导；3.极化子（导电模式）极化子（导电模式）：是指载流子在离子晶体中慢速运动时，载流子与离子之间相互作用而产生极化，并使载流子处于半束缚状态，这种极化状态极化子，相对应的电导称极化子导电机理；4.磁敏传感器SQUID：是指超导量子干涉器；5.压敏电压：是指在厚度为1mm样品上通过1mA电

4、流所产生的电压降，称为压敏电压；6.能写出非化学计量化合物的缺陷方程式，并判断载流子类型不等价取代、气氛的影响，缺陷反应方程式的写法7.NTC半导陶瓷晶体结构反尖晶石和半反尖晶石结构；8.气敏半导体材料的晶界势垒模型（p404）1.ZnO压敏陶瓷的能带结构示意图（p415）2.BaTiO3半导陶瓷PTC效应的海望焦克模型的基本观点①在多晶BaTiO3半导陶瓷的晶粒边界存在一个由受主表面态引起的势垒层；②该势垒高度与相对介电常数成反比；③铁电补偿是决定ＰＴＣ效应的重要因素；在Ｔ<Ｔｃ时，由于电畴存在，极化电荷在垂直晶界方向产生电子通道，补

5、偿大约５０％左右的表面电荷，材料呈低电阻；但在Ｔ>Ｔｃ时．铁电相变顺电相，极化电荷消失，材料呈高阻态．3.金属导热的主要机制；电介质材料的热传导机理4.影响固溶度的因素:1.晶体结构；2.离子半径；3.电价；4.电负性。5.晶体中常见的点缺陷和常见的电子缺陷空位，间隙原子，取代；不等价取代，正负离子的空位，间隙原子；6.金属与半导体的接触形式欧姆接触，肖特基接触；7.常见的薄膜导体材料（p73-77）8.常见的线绕电阻材料（p78）9.常见的薄膜电阻材料金属氧化物膜，金属及合金膜，金属陶瓷膜；10.常见的厚膜电阻材料钌系厚膜电阻材料，钯

6、银厚膜电阻；1.厚膜电阻浆料的主要组成部分导电相，粘结相，有机载体；2.表征超导材料性能的基本参量临界温度，临界磁场强度，临界电流密度；3.半导体材料的类型本征半导体，杂质半导体（n型，p型）；元素半导体，化合物半导体；晶态半导体，非晶态半导体；4.在热平衡时，影响半导体载流子浓度积的因素禁带宽度，有效质量，温度；5.在光照下，半导体中电子的吸收类型本征吸收，激子吸收，自由载流子吸收，杂质吸收，晶格振动吸收；6.II-VI族化合物半导体中起到p型和n型杂质作用的缺陷Vx和Mi起到n型杂质的作用；Vm和Xi起到p型杂质的作用；7.常见的压

7、敏材料ZnO,SiC,BaTiO3,SrTiO38.常见的湿度敏感材料MCT，TiO2，V2O5；9.常见的半导体气敏材料SnO2，ZnO，氧化铁系气敏材料，氧化锆10.常见的热敏材料NTC：Mn-Co-Fe-Ni-Cu形成的三元或四元系统，PTC：BaTiO3,氧化钒系列1.固溶体的分类及影响固溶度的因素分类：置换型固溶体，间隙型固溶体；有限固溶体，无限固溶体；2.离子晶体的原子价控制电导由于不等价离子的掺入而引起的电导；3.厚膜导电材料的主要特征，影响其性能的因素主要特征：电阻率低，焊接性好，焊点有良好的机电完整性，与基片的粘附牢固

8、等。影响因素：功能相，粘结相的优劣，以及基片本身的化学性质和表面处理。4.薄膜导体的要求导电性好，附着性好，化学稳定性高，可焊性和耐焊接性好，成本低。5.多层薄膜导电材料的膜层结构设计原则通常设计成三层膜结