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1、《电力电子技术》论文题目：门极可关断(GTO)晶闸管的工作原理及发展前景班级：姓名：序号：学号：指导教师：郭老师2014年5月20日门极可关断(GTO)晶闸管的工作原理及发展前景引言电力电子技术包括功率半导体器件与IC技术、功率变换技术及控制技术等几个方面,其中电力电子器件是电力电子技术的重要基础,也是电力电子技术发展的“龙头”。从年美国通用电气公司研制出世界上第一个工业用普通晶闸管开始,电能的变换和控制从旋转的变流机组和静止的离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代,这标志着电力电子技术的诞生。到了70年代,晶闸管开始形成由低压小电流到高压
2、大电流的系列产品。同时,非对称晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管等晶闸管派生器件相继问世,广泛应用于各种变流装置。由于它们具有体积小、重量轻、功耗小、效率高、响应快等优点,其研制及应用得到了飞速发展。由于普通晶闸管不能自关断,属于半控型器件,因而被称作第一代电力电子器件。在实际需要的推动下,随着理论研究和工艺水平的不断提高,电力电子器件在容量和类型等方面得到了很大发展,先后出现了GTR、GTO、功率MOSET等自关断、全控型器件,被称为第二代电力电子器件。近年来,电力电子器件正朝着复合化、模块化及功率集成的方向发展,如GPT，MCT，HV
3、IC等就是这种发展的产物。1.什么是门极关断(GTO)晶闸管1964年,美国第一次试制成功了500V/10A的GTO。在此后的近10年内,的容量一直停留在较小水平,只在汽车点火装置和电视机行扫描电路中进行试用。自70年代中期开始,GTO的研制取得突破,相继出世了1300V/600A、2500V/1000A、4500V/2000A的产品,目前已达9KV/25KA/800Hz及6Hz/6KA的水平。GTO有对称、非对称和逆导三种类型。与对称下相比,非对称通态压降小、抗浪涌电流能力强、易于提高耐压能力。逆导型GTO是在同一芯片上将GTO与整流二极管反并
4、联制成的集成器件,不能承受反向电压,主要用于中等容量的牵引驱动中。可关断晶闸管GTO其主要特点为，当栅极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。普通晶闸管（SCR）靠栅极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断，必须切断电源，使正向电流低于维持电流IH，或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路，不仅使设备的体积重量增大，而且会降低效率，产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频
5、率比GTR低。目前，GTO已达到4500A、6000V的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1仅绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即处于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO栅极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极最大可关断
6、电流IATM与栅极最大负向电流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明栅极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，βoff与晶体管的hFE参数颇有相似之处。。2门极可关断晶闸管的结构和工作原理 GTO有3个引出电极（图2）,分别用阳极(A)、阴极(K)、门极(G)表示。正向时，阳极和阴极间加正压，若门极无电压,则GTO阳极电压低于转折电压时不会导通；若门极加正压,则GTO在阳极电压小于转折电压时被门极触发导通(图1b)。GTO的关断是在门极加一定的负压，抽出负电流，使阴极导通区由接近门极的边缘向
7、阴极中心区收缩，可一直收缩到载流子扩散长度的数量级。因为,GTO的阴极条宽度小,抽流时,P2区横向电阻引起的横向压降小于门、阴极的反向击穿电压。此时,由于GTO不能维持内部电流的正反馈，通态电流开始下降，此过程经过一定时间，GTO达到关断。可关断晶闸管特性参数 1、静态特性 （1）阳极伏安特性 （2）通态压降特性 2、动态特性 GTO的动态特性是指GTO从断态到通态、从通态到断态的变化过程中，电压、电流以及功率损耗随时间变化的规律。 （1）GTO的开通特性 当阳极施以正电压，门极注入一定电流时，阳极电流大于擎住电流之后，GTO完全导
8、通。 （2）GTO的关断特性 GTO的门极、阴极加适当负脉冲时，可关断导通着的GTO阳极电流。 3门极可关断晶闸管的优缺点可关断晶
