欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:57690287
大小:12.00 KB
页数:1页
时间:2020-09-01
《RCA标准清洗步骤.doc》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、硅片清洗工艺采用RCA方法,这是半导体行业硅片的标准清洗步骤:1)配制氢氟酸溶液(1:20,本次100ml2000ml)2)硅片支架清洗、吹干待用3)取硅片放于支架上,按照顺序放好4)配3#液(硫酸:H2O2=3:1,本次660ml:220ml),硫酸最后加,同时另一容器煮水5)用3#液煮洗,15min,加热至250℃,拎起支架稍凉片刻6)将支架放到热水中,冲水7)配制1#液(氨水:H2O2:H2O=1:1:5-1:1:7),前两者倒入热水中,加热75~85℃,时间10~20min(时间不可太长,因为氨水对硅有腐蚀作用,利用络合作用去除重金属杂质),取出硅片支架,放入1#液,1
2、5min,取出放到热水中,冲水8)配制2#液(HCl:H2O2:H2O=1:1:5,本次240ml240ml1200ml)前两者倒入热水中。9)取出硅片,放入2#液,15min,取出放热水中,冲水。10)10%的氢氟酸(1:20,本次100ml2000ml)时间5~10s,去除硅表面氧化层11)去离子水冲洗时间20min
此文档下载收益归作者所有