4、、Sb2Te3纳米片和Bi2Te3/rGO、Sb2Te3/SWCNTs复合薄膜的制备流程;d-e退火前后薄膜样品的XRD图图2 aBi2Te3纳米片的TEM图;b-dBi2Te3/rGO薄膜的表面和断面SEM图;eBi2Te3/rGO薄膜弯折展示照片;fSb2Te3纳米片的TEM图;g-iSb2Te3/SWCNTs薄膜的表面和断面SEM图;fBi2Te3/rGOSb2Te3/SWCNTs弯折展示照片图3 a 退火前后纳米片表面氧分布示意图;b 退火前后碳材料含氧官能团分布示意图; c 在温差存在下,薄膜内载流子和声子传输机制图4 a室温下n型薄膜的电导率和Seebeck
5、系数;b 室温下n型薄膜的功率因子;cn型薄膜的断面SEM(8wt%rGO);d 室温下p型薄膜的电导率和Seebeck系数;e 室温下n型薄膜的功率因子;f 不同温度下,n型(2wt%rGO)和P型(2wt%SWCNTs)薄膜的输出电压;g 不同弯折次数下的n型和p型薄膜的电阻和Seebeck系数变化; h 薄膜的弯折照片图5 a 在55K温差下,器件的输出电压; b 不同温差下,器件的输出电压;c 器件输出电流、功率和电压的关系;d 外接210Ω负载,负载电阻的电压、电流;e 不同温差下,负载的电压和电流; f 不同温差下,器件的输出功率;g 器件弯折照片;h-j 器