高压LED在未来的应用课件.ppt

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1、高压LED介绍及在未来的发展高压LED的介绍及在未来的发展2广义高压LED3狭义高压LED4高压LED在未来发展趋势1高压LED概念1、高压LED概念1.1HVLED概念的产生1、高压LED概念转换效率DCLED总体的效率为：80lm/W×0.7=56lm/WACLED总体的效率为：60lm/W事实上：DC：132lm/W×0.8=105.6lm/WAC：90～100lm/W?1、高压LED概念1.2HVLED概念的各种实现形式高压LED+外部桥接(蓝光高压LED+分立的红光芯片)(蓝光+红光芯片

2、+磷光剂)1、高压LED概念1.3HVLED的成就公司名称实现方式/当前成果备注L.XX封装形式ACLED；（0.7W，12V）；40Lm/W(AC,3100K,量产)S.XX桥式：50lm/W(AC,3000K,量产)高压+外部桥接：首尔半导体A4：<65-57lm/W(AC,3100K,量产)100lm/W,5700K,量产??（2010Q2）无电阻晶元光电桥式：AC55B：>75lm/W(5700K,2009Q4@研发)AC36B：86.4-93.2lm/W(5300K,2010Q1

3、@研发)高压+外部桥接：蓝光+红光：>96.7-106.8lm/W(DC.2800K-3000K,CRI>90)1、HVLED概念1.4HVLED电路及芯片制作反向平行的ACLED桥模式ACLED宽桥模式-ACLED宽桥模式-ACLEDⅠ宽桥模式-ACLEDⅡ更大面积的微晶粒在中间区域公共发光部分负半波发光正半波发光1、AC&HVLED概念1.5HVLED设计问题1、HVLED概念1.6HVLED概念的发展更大的芯片利用比例宽桥模式ACLED肖特基模式ACLED反平行ACLED更小整流管，更大的

4、芯片利用比例12V宽桥模式ACLED12V肖特基模式ACLED氧化镓基半导体具有宽禁带，是良好的肖特基二极管材料宽桥模式ACLED肖特基模式ACLED整流二极管面积70.6Kμ㎡10.8Kμ㎡发光区域（在单个偏置方向上）222.7Kμ㎡272.4Kμ㎡芯片利用率60.20%73.60%狭义上的高压LED：把一个芯片的外延层分割成数个芯粒单元，并把它们串联起来，则构成高电压LED芯片。广义上的高压LED是指把一个芯片的外延层分割成数个芯粒单元，并通过片上电路设计连接而构成的LED芯片。按照此电路设计

5、定义，目前公认的高压LED可以分为两大类:高压直流LED和高压交流LED.高压直流LED在封装或应用端采用桥式电路实现高压交流驱动，而高压交流LED则将桥式电路设计于芯片层面来实现高压交流驱动.由于高压交流LED的部分芯粒分时点亮，导致发光效率比高压直流LED低。1.7高压LED定义1、AC&HVLED概念2、广义高压LED广义上的高压LED典型的应用就类似于市面上的COB集成封装的交流高压LED灯具。2.1高压交流LED的典型COB（ChipOnBoard）COB封装：直接将LED芯片固在具有良

6、好导热性能的MCPCB上，将LED芯片和MCPCB一起做成COB光源模组，直接应用于灯具。2、广义高压LED2.2COB封装LED结构原理2.3高压交流LED集成方式恒流驱动恒压驱动优点缺点恒流驱动方式1、电源效率高（>85%)2、更小的安全隐患3、在变化的高压环境下不会闪烁1、功率因数低（<0.5)2、成本高恒压驱动方式1、功率因数高（>0.9)2、成本低（无IC）3、结构紧凑1、低电源效率（>75%)2、很多安全问题（高压）3、在变化的高电压环境下会闪烁2、广义高压LED2.4广义高压

7、交流LED优缺点优点：增强了散热，提高了光效，延长了使用寿命简化了二次光学设计色泽均匀性高可以避免点光、眩光问题结构上更有利于灯具的生产，使生产更具规模化，生产成本降低，产品的可靠性增加。缺点：1、COB不是单颗芯片简单的组合，它是多颗芯片通过串并联方式来实现的，它是通过芯片与芯片进行混联而得到的，如果一颗芯片受损，会影响到整串灯不亮，同时给其他串的芯片增加了负担，那么可能会由于超负荷的问题使整个产品崩溃。2、随着芯片发光效率的大幅度提升，现SMD单颗发光效率能达到130LM/W以上，而对于COB

8、来说，现只能在100LM/W的水平2、广义高压LED2.5.1高压交流LED新技术以上线路图，我们不难看出，A图是我们最想要的，A图是在铝基板上实现电路连接，如果其中一颗死灯，则对其他芯片的影响比较少，而B图是通过芯片与芯片进行连接，如果其中一颗芯片死灯，则整串就会死灯。但如果是按A图设计的，尺寸面积将会大于B图面积，因此，目前最多的仍然是B图的连接方式。因此如何实现面积小型化和产品信赖性更高已成为此工艺的关键。为了解决集成COB的信赖性问题，已有厂家陆续开发出倒装芯片，如果能够将