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1、可控硅驱动电路精品文档CBB规范可控硅驱动线路(VER:V1.0)拟制：辉时间：2010-4-15批准：波时间：2010-4-15文件评优级别：□A优秀□B良好□C一般1功能介绍收集于网络，如有侵权请联系管理员删除精品文档本电路为可控硅门极触发电路，SCRDRV为控制信号，当SCRDRV信号为高电平时，光耦PC1导通，CN1两端为高电平，SCRDRV信号为低电平时光耦PC1截止，CN1两端为低电平。本电路的关键在于电路的输出信号能保证可控硅可靠触发。2详细原理图3器件功能w限流电阻R1、R2、R3，当SCRDRV信号为高电平时
2、，限制流过光耦PC1的原边电流,以防止PC1因过流而可能损坏；w光耦PC1，实现电气隔离，同时起信号传输作用；w开关管Q1,通过控制Q1的开通与关断控制光耦PC1的导通与截止；wR6的作用是确保没有输入信号时Q1处于截止，R5的作用是限制基极电流。w稳压二极管Z1，电压箝位，防止可控硅门极电压过高；wR10,R11为限流电阻，限制流过可控硅门极的电流，并起到分压作用。wQ2为PNP型晶体管，起放大作用。wQ3,Q4为对管，推挽输出，起功率放大作用。wLED1为发光二极管，当光耦导通时点亮LED1，光耦截止时熄灭LED1，起指示
3、作用。4参数计算w光耦PC1及R1,R2,R3的选取：收集于网络，如有侵权请联系管理员删除精品文档流过光耦副边电流为（8V-0.6V-0.3V）/4.7K=1.5mA，选型号为PS2501的光耦，其Ic=50mA，If=80mA，Vfmax=1.2V，CTR的范围为200%-400%。R1,R2的大小应时SCRDRV信号为高电平时光耦饱和导通，R1和R2选510Ω并联，此时光耦原边电流约为（5-1.2-0.3）/255=13.8mA，R1、R2功率约等于(0.0138/2)2*510=0.02W，选110W的电阻，满足降额要
4、求，R3取2K,流过R3电流约为1.2V/2K=0.6mAwR4,LED1的选取：按发光管通过1mA的电流计算，若Q1的饱和压降为0.5V，LED1的正向压降为1V，则通过LED1的电流为（5V-1V-0.5V）/R4=1mA，计算出的R4=3.5K，实际可以使流过的电流稍微大一点，选2K的电阻。wQ1的选取：由上可知当Q1饱和导通时流过Q1集电极的电流为光耦原边发光二极管电流、流过LED1电流及R3电流之和，约为17mA，可选40V/0.6A的NPN三极管4401。w限流电阻R10,R11的选取：为了使所有的元件在各种可能的
5、工作条件下均能可靠的触发，触发电路所送出的触发电压和电流，必须大于元件门极规定的触发电压VGT与触发电流IGT的最大值，并且留有足够的余量。查数据手册知所要驱动的可控硅的VGT(min)=2V，IGT(min)=150mA，(8V-0.6V-2V)/150mA=36Ω，实际选用2个51Ω/2W的电阻并联，忽略流过R12的电流（此电流很小），此时每个电阻消耗功率为P=(0.15/2)2*51Ω=0.29W,功率降额0.29/2=15%，满足功率降额要求。wZ1的选取：Z1是可控硅门极保护器件，这里我们选取10V/5W的稳压管，防
6、止可控硅两端电压过高，将可控硅的门极电压钳位在10V左右。wQ3,Q4的选取：Q3,Q4的耐压值要高于驱动电源并留有余量，最大电流要高于最大负载电流并留有余量，由上可知，驱动电源为8V，流过负载的电流小于(8V-0.5V)/[(51
7、
8、51)]=294mA,可选60V/5A的2SC5103和2SA1952组成的推挽输出电路。5器件清单序号料号名称型号数量位号13-24-90-511片状电阻;1/10W-510Ω±1%-0603510Ω-08052R1,R223-24-90-202片状电阻;1/10W-2KΩ±1%-06032K
9、Ω3R3,R4,R533-24-90-472片状电阻;1/10W-4.7kΩ±1%-06034.7k3R6,R7,R843-24-90-102片状电阻;1/10W-1KΩ±1%-06031k1R953-24-06-510金属膜电阻;2W-51Ω±1%51/2W2R10,R1163-24-99-102片状电阻;1W-1kΩ±5%-25121k/1W1R1272-15-11-501单路光耦;CTR200-400﹪;GW4(SOP4)PS25011PC183-57-02-401贴片NPN三极管;40V/0.6A/225mW/SOT-
10、2344011Q1收集于网络，如有侵权请联系管理员删除精品文档93-57-02-213贴片PNP三极管;50V/2A//500mW/SOT-892SA12131Q2103-57-02-103贴片NPN三极管;60V/5A/10W/SC-632SC51031Q3113-57-0
