维修电工培训第二章(电子技术与元器件的基础知识)课件.ppt

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1、电子技术与元器件的基础知识第二章电子技术与元器件的基础知识2.1电子元器件2.2元器件的修理常识2.1电子元器件2.1.1晶体二极管1.二极管的结构、符号、分类和型号（1）二极管的结构、电路符号二极管的内部结构如图2-1（a）所示。采用掺杂工艺，使锗或硅晶体的一边形成P型半导体区域，另一边形成N型半导体区域，在P型半导体与N型半导体的交界面会形成一个具有特殊电性能的薄层，即PN结。从P区引出的电极为正极（或阳极），从N区引出的电极为负极（或阴极）。二极管一般用金属、塑料或玻璃材料作为封装外壳，外壳上印有标记便于区分正负电极。二极管

2、的电路符号如图2-1（b）所示，箭头所指的方向为正向电流流通的方向，习惯用字母V（或D）代表二极管。2.1电子元器件图2-1（a）二极管的内部结构（b）二极管的电路符号2.1电子元器件稳压电源、收音机、电视机等电子产品中各种不同外形的二极管如图2-2所示。图2-2常见二极管外形图2.1电子元器件（2）二极管的分类、型号常见的二极管分类如下：按材料分为硅二极管和锗二极管；按PN结面积大小分为点接触型、面接触型和平面型；按功能分为整流、稳压、发光、光电、检波、激光和变容二极管等。各种不同类型的二极管，国内外都采用规定型号来区分。如2C

3、W53表示硅稳压二极管，2AC1表示锗变容二极管等等。根据中华人民共和国国家标准，半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表2-1。例如：2SA53表示高频PNP型三极管，1S92表示半导体二极管。2.1电子元器件表2-1国产半导体器件的型号命名方法第一部分第二部分第三部分用数字表示器件的电极数目用汉语拼音字母表示器件的材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类别符号意义符号意义符号意义符号意义2二极管ABCDN型锗材料P型锗材料N型硅材料P型硅材料PVWCZ普通管微波管稳压管参量管整流管LSNUK整流堆隧道管阻尼管光电器件开关管

4、3三极管ABCDEPNP型锗材料NPN型锗材料PNP型硅材料NPN型硅材料化合物材料XGDAUK低频小功率管（fT＞3MHz,PC＜1W）高频小功率管（fT≥3MHz,PC＜1W）低频大功率（fT≤3MHz,PC≥1W）高频大功率（fT≥3MHz,PC≥1W）光电器件开关管开关管2.1电子元器件由于目前欧洲各国没有明确统一的标准半导体器件型号命名法，故他们大都使用国际电子联合会的标准。例如：3AD50C表示低频大功率PNP型锗管；3DG6E表示高频小功率NPN型硅管。根据美国电子工业协会（EIA）规定的半导体器件型号命名方法如表2

5、-2所示。例如：1N4148表示开关二极管，2N3464表示高频大功率NPN型硅管。2.1电子元器件表2—2美国半导体器件型号的命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符号表示器件的等级用数字表示PN结数目用字母表示材料用数字表示器件登记序号用字母表示同一器件的不同档次符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义J军品1二极管N表示不加热即半导体器件2～4位数字登记顺序号A、B、C表示器件改进型无非军品2三极管3四极管2.1电子元器件日本半导体器件型号共用五部分组成，其表示方法如表2-3。表2-3日本半导体器件命名法第一部分第

6、二部分第三部分用数字表示器件的电极数目用字母表示半导体器件用拉丁字母表示器件的结构和类型符号意义符号意义符号意义0光电器件S半导体器件A高频PNP型三极管快速开关三极管三极管B低频大功率PNP管3有三个PN结的器件C高频及快速开关NPN三极管D低频大功率NPN管FP控制极可控硅GN控制极可控硅HN基极单结管JP沟道场效应管KN沟道场效应管M双向可控硅2.1电子元器件2.二极管的重要特性—单向导电性(1)加正向电压导通如果将电源正极与二极管正极相连，电源负极与二极管负极相连，称为正向偏置，简称正偏。此时二极管内部呈现较小的电阻，有较

7、大电流通过，二极管状态为正向导通状态。(2)加反向电压截止如果将电源正极与二极管负极相连，电源负极与二极管正极相连，称为反向偏置，简称反偏。此时二极管内部呈现较大的电阻，几乎无电流通过，二极管状态为反向截止状态。由上可知，二极管加正偏压时导通，加反偏压时截止，即单向导电性是二极管最重要的特性。2.1电子元器件3.二极管的伏安特性加在二极管两端的电压VD和流过二极管的电流ID之间的关系称为二极管的伏安特性，利用晶体管特性图示仪能方便地测出VD与ID关系曲线，即伏安特性曲线，见图2-3。图2-3二极管的伏安特性曲线2.1电子元器件（1

8、）正向特性正向伏安特性曲线指VV—IV坐标系的第一象限部分，其主要特点是：①外加电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零，曲线OA（或OAˊ）段称为死区，对应的死区电压值，硅管为0.5伏左右，锗管为0.2伏左右。②正向电压VV超过死区电压