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时间:2017-12-20
《(k0.5na0.5)nbo3陶瓷高频介电性能探究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷高频介电性能探究 摘要:以传统电子陶瓷工艺制备了致密性较好的(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷。研究了(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷在低频及高频的介电性能。结果表明:在低频和高频,(K0.5Na0.5)NbO3的介电性能随频率的增加而减小;在高频,介电损耗随频率的增加先增加后减小。(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷在高频(8-18GHz)时的介电常数实部,虚部及介电损耗分别为150-430,5-110和0.07-0.28。Abstract:The(K0.5Na0.5)NbO3ce
2、ramics(abbreviatedas(KNN)havebeensynthesizedbytheconventionalsolid-statesinteringmethodandthedielectricperipetiesinboththehighandlowfrequencywereinvestigated.Theresultsshowthatthedielectricconstantdecreaseasthefrequencyincreased.Thedielectriclossfirstlyincreasea
3、ndthendecreaseasthefrequencyincreased.Therealpartandimaginarypartofthedielectricconstant,thedielectriclossare150-430,5-110and0.07-0.28,respectivelywhenthefrequencyis8-18GHz.关键词:(K0.5Na0.5)NbO3;相结构;微观形貌;介电性能7Keywords:(K0.5Na0.5)NbO3;phasedstructure;microstructure
4、;dielectricproperties中图分类号:TM282文献标识码:A文章编号:1006-4311(2013)29-0315-020引言7近年来,随着环境保护和生态系统可持续发展的要求,无铅压电陶瓷的研究和发展越来越受到国内外学者的关注[1-5]。其中(K0.5Na0.5)NbO3(简写为KNN)陶瓷具有较高的居里温度(415℃)[6],相对较大的机电耦合系数等优点,有很好的研究前景。KNN陶瓷是由Egerton和Dillon在1959年最先报道的[7]。KNN是由反铁电体NaNbO3和铁电体KNbO3形成的完
5、全固溶体,由KNbO3-NaNbO3的相图可知,KNN的相稳定性被限制在1140℃,大于1140℃,KNN将不能以固态形式存在。因此,更高的烧结温度不能达到,这就阻碍了KNN陶瓷体的致密化。由于在烧结过程中碱金属元素的挥发,使化学计量比发生偏离,导致产生另外一种杂相,当该物质遇到潮湿的环境时,非常容易发生潮解。这些极大地限制了该类材料的应用。为了克服上述缺陷,国内外学者从添加新的组元、添加烧结助剂、离子取代改性和改善制备技术四个方面对KNN无铅压电陶瓷作了大量研究[8-12]。尽管经过多年的努力,KNN基陶瓷的研究获得
6、了长足的进步,但是大多数研究重点关注KNN陶瓷的压电性,而对于KNN陶瓷在高频(GHz)介电性能研究很少。介于此原因,本文采用固相反应法制备(K0.5Na0.5)NbO3(KNN)陶瓷,并研究起在高频的介电性能。1实验采用传统固相反应法制备(K0.5Na0.5)NbO3(KNN)陶瓷。原料为分析纯的K2CO3(>99.5%),Na2CO3(>99.8%),Nb2O5(99.9%)粉体。称量前,先将原料分别放入110℃的烤箱烘干5h。按(K0.5Na0.5)NbO3化学比精确称量原料,并放入装有氧化锆球的尼龙球磨罐中,加
7、入适量酒精作媒介,采用南京大学仪器厂生产的QM-ISP2行星式球磨机球24小时。在950℃下预烧5小时,粉碎研磨后,再进行12小时球磨,料浆烘干后加入粘结剂造粒,在300MPa的压力下压成直径12mm厚1mm的圆片以备低频介电测试,在300MPa的压力下压成直径120mm厚10mm的圆片以备高频介电测试,600℃排胶后进行1120℃烧结2小时。低频介电样品经打磨清洗被电极后进行测试。烧结得到的高频介电样品经过切样处理进行高频介电测试。样品物相结构用X-射线衍射仪确定(PhilipsX-PertProDiffractom
8、eter,Almelo,theNetherlands);利用扫描电镜SEM(ModeJSM-6360,JEOL,Tokyo,Japan)研究陶瓷的微观形貌;利用LCR(AgilentE4980,AgilentTechnologies,California,7USA)测定样品的低频介电温谱,以2℃/min的速率,温度范围在25-52
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