芯片制造工艺流程简介.ppt

《芯片制造工艺流程简介.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在PPT专区-天天文库。

1、LED芯片制造工艺流程简介范青青2011年5月18日主要内容LED的简单介绍LED芯片制造流程简介LED是LightEmittingDiode的英文缩写，中文称为发光二极管。发光二极管(LED)是由数层很薄的搀杂半导体材料制成，一层带过量的电子，另一层因缺乏电子而形成带正电的“空穴”，当有电流通过时，电子和空穴相互结合并释放出能量，从而辐射出光芒。LED的简单介绍：LED芯片的应用：LED芯片制造流程示意图：蓝宝石衬底（Al2O3)（衬底厂商提供）PSS工艺PatternedSapphireSubstrate图形化蓝宝石衬底减小反向漏电，提高LED寿命，增强发光亮度生长

2、外延层（EPI）蓝宝石衬底N-GaNP-GaN芯片前段工艺（wafer）芯片后段工艺（chip）封装台阶光刻前清洗打印流程卡、标签、分批次防止混片清洁晶片表面防止台阶光刻后图形不标准Mesa光刻用光刻胶做出Mesa图形PR保护P型层，露出N电极位置N-GaN蓝宝石衬底P-GaNPRMesa干法刻蚀无光刻胶保护的地方被刻蚀到N型层露出N电极处的外延层N-GaN蓝宝石衬底P-GaNPRN电极处发光区切割道CBL沉积CBL(CurrentBlockingLayer)电流阻挡层具有扩展表面电流作用CBL光刻有光刻胶无光刻胶CBL蚀刻采用湿法蚀刻（氢氟酸）将没有光刻胶保护的地方的

3、SiO2蚀刻掉SiO2外延N型层外延P型层ITO沉积ITO（铟锡氧化物），导电性和透光性好作为电流扩展层，有利于芯片的光电性能N-GaN蓝宝石衬底P-GaNITOSiO2（底层）+ITO（顶层）ITOITO光刻N-GaN蓝宝石衬底P-GaNITOPRITO将需要ITO的区域（发光区）用光刻胶保护住，为下一步蚀刻做出图形SiO2（底层）+ITO（顶层）SiO2（底层）+ITO（中层）+PRITO（底层）+PR（顶层）ITO蚀刻采用湿法蚀刻，用ITO蚀刻液蚀刻ITO（盐酸和氯化铁等），用HF酸蚀刻SiO2将没有光刻胶保护的地方的ITO和SiO2蚀刻掉外延P型层外延N型层N-

4、GaN蓝宝石衬底P-GaNPRITOITOSiO2（底层）+ITO（顶层）预退火进行高温热处理，可降低正向电压、有利于电流扩展层表面接触的形成，提高了出光效率Metal光刻用光刻胶形成电极图形有光刻胶无光刻胶N-GaN蓝宝石衬底P-GaNITOPR灰化（Ashing）酸洗等离子去胶：利用氧气、氮气等气体清洁芯片表面，使得光刻胶表面更平整，且可去除电极处的负胶提高电极粘附性N-GaN蓝宝石衬底P-GaNITOPRPadMetal蒸镀沉积Cr.Ni.Au.Ti四种金属剥离（lift-off）将电极以外的金属剥离掉N-GaNSapphireP-GaNITOPadPad外延P型

5、层MetalITOSiO2（底层）+Metal（顶层）钝化层沉积等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition）用SiO2薄膜做钝化层，防止短路，避免杂质原子对芯片表面的吸附，保护芯片（ITO膜），提高发光效率钝化层光刻做出钝化层图形有光刻胶无光刻胶N-GaNSapphireP-GaNITOPadPadPRSiO2钝化层蚀刻采用干法蚀刻将没有光刻胶保护的地方的SiO2蚀刻掉外延层+SiO2外延层+金属层外延层+ITO+SiO2外延层+SiO2+ITO+SiO2N-GaNSapphireP-GaNITOPa

6、dPadSiO2快速退火进行高温热处理，模拟客户使用环境，对不良芯粒做一次筛选BST模拟客户打线测试电极粘附性前段工艺结束研磨减薄自动目检测试划裂分选包装、出货谢谢！