退火温度对镁合金阳极板材组织和性能的影响.pdf

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1、第22卷第6期中国有色金属学报2012年6月、，0I．22No．6TheChineseJournalofNonferrousMetalsJun．2012文章编号：1004．0609(2012)06．1642—08退火温度对镁合金阳极板材组织和性能的影响石凯，王目初，彭超群，解立川，金和喜，冯艳，陈雅谨(中南大学材料科学与工程学院，长沙410083)摘要：对镁合金热轧板材在不同温度进行退火处理，采用恒电流扫描法、动电位极化扫描法和浸泡法研究不同退火温度对其在3．5％(质量分数)NaC1中的电化学性能和自

2、腐蚀性能的影响；采用光学显微镜、扫描电镜和x射线衍射仪对其显微组织和腐蚀形貌进行观察。结果表明：镁合金阳极板材在退火过程中发生静态再结晶，经250℃、300℃退火1h，合金板材发生完全再结晶；经300℃退火1h后，镁合金阳极板材的电化学活性最好，放电稳定电位达～1．654V(vsSCE)，但其耐蚀性能最差，腐蚀电流密度为180．38~／cm2。关键词：镁合金阳极；热轧：退火：微观组织：电化学性能中图分类号：TGi13；TG146文献标志码：AEffectofannealingtemperatureso

3、nmicrostructureandpropertiesofmagnesiumalloyanodesheetSHIKai，WANGRi—chu，PENGChao—qn，XIELi—chuan，JINHe·xi，FENGYan，CHENYa~in(SchoolofMaterialsScienceandEngineering，CentralSouthUniversity,Changsha410083，China)Abstract：Annealingtreatmentwascariedoutonthehot

4、—rolledmagnesiumalloyanodesheetatdiferenttemperatures．TheefectsofdiferentannealingtemperaturesONtheelectrochemicalandself-corrosionbehaviorofmagnesiumalloyanodewereinvestigatedbygalvanostatictests，potentiodynamicplorizationandimmersiontestsin3．5％(massfr

5、action)NaC1．Themicrostructureandthecorrodedsurfaceoftheexperimentalspecimenswereobservedbyopticalmicroscopy,scanningelectronmicroscopyandX—raydiffractometry．Theresultsshowthatstaticrecrystallizationoccursduringtheannealingtreatment，themagnesiumalloyshee

6、tshowscompletelyrecrystallizedmicrostructureafterbeingannealedat250and300℃for1h．Afterbeinganealed300℃for1h．themagnesiumalloysheethasthebestelectrochemicalactivity,whosedischargeelectrodepotentialcanbeupto一1．654V(vsSCE)，butitscorrosionresistanceisthewors

7、tandthecorrosioncurrentdensityis180．38uA／cm．Keywords：magnesiumalloyanode；hotrolling；annealing；microstructure；electrochemicalproperty海水激活电池以海水作为电解质，具有质量轻、镁合金作为一种理想的阳极材料，在使用过程中安全性高、适用面广、性价比高等突出特点，广泛应仍存在自腐蚀速率大、阳极利用率低等问题。大量研用于水下无人运载体，如鱼雷、水下探测器等[1】。镁究[】表明，添加

8、Al、Pb、Zn、Mn、HGa等合金合金电化学活性高、能量密度大、电压范围广、激活元素可以显著改善镁阳极材料的耐蚀性能和电化学时间短，是一种理想的海水电池用阳极材料，目前己性能。SONG和ATRENSt4]研究Al含量对Mg．A1合得到实际应用的有Mg／CuC1、Mg／AgC1海水电池用镁金耐蚀性能影响，发现随着Al含量的增加，Mg．A1阳极材料L3J。合金的耐蚀性能先降低后提高，耐蚀性能的变化与基金项目：军品配套国家攻关资助项目(JPPT-115—4—