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1、模拟电子技术习题（部分）教材：《模拟电子技术基础》（第四版）华中理工大学康华光主编制作：安徽理工大学电气工程系黄友锐第二章习题解答晶体管器件A:D导通，VAO=－6VB:D截止，VAO=－12VC:D1导通，D2截止，VAO=0VD:D1截止，D2导通，VAO=－6V习题2.4.3习题2.4.4解题的原则：先断开二极管，计算二极管连接点的电位高低。A:VA=1V,VB=3.5V,D截止B:VA=1V,VB=1.5V,D截止C:VA=1V，VB=0.5V,D临界状态习题2.4.5A:B:习题2.4.6习题2.4.8习题2.4.12习题2.
2、5.1第三章习题解答基本放大电路模拟电子习题3P1403.1.1解题要点:先确定发射结(三极管放大，则正向电压0.2——0.3V或0.6——0.7V)及集电极,就可以知道管子的材料及类型。在本题中：A：为集电极且电位最低，所以管子是PNP型，B——发射极，C——基极，三极管是锗材料。习题3.1.2三极管各极电流关系：IE=IC+IB所以，A为集电极，B为基极，C为发射极。管子为NPN型，习题3.1.4IC=PCM／VCE=15mA若IC=1mA，则VCE不得超过30V。习题3.2.1不能放大，电源接反、发射结短路。能。不能，Rb接错。不
3、能，VCC接反习题3.2.2A位置：IB=(12-0.6)/40K=0.285mA,IC=22.8mA,VCE<0V，因此管子饱和，实际IC=3mAB位置：IB=(12-0.6)/500K=0.0228mA,IC=1.824mA,VCE=4.7V，管子工作在放大区。C位置：发射结反偏，截止，IC=0。习题3.3.2(a)：放大。(b)：放大。(c)：饱和。(d)：截止。(e)：饱和。习题3.3.6VCC=6V,IBQ=20µA,ICQ=1mA,VCE=3V;Rb=(VCC-0.7)/IBQ=265K(≈300K)，RC=(VCC-VCE
4、)/ICQ=3K;Vom=1.5V,ibMAX=20µA习题3.4.2IBQ=0.04mA,ICQ=2mA,VCEQ=4VH参数等效电路3.rbe=300+26×β/ICQ=9504.AV=-50×RL’/rbe=-1055.AVS=-AVRi/(Ri+RS)=-68.8习题3.4.3IB=IC/β＝1mA/20=0.05mA，Rb=12V/0.05mA=240K，rbe=300+26β/ICQ=820，
5、AV
6、=βRC/rbe>=100，得RC>=4.1K。VCE=12V-1mA×4.1K＝7.9V习题3.4.41.计算Q点：IBQ=
7、-(12V-0.7)/0.3M=－0.038mAICQ=-0.038β＝-3.8mA，VCEQ=-4.4V2.H参数等效电路，图中rbe=984AV=-100×RL’/rbe，Ri=Rb//rbe≈rbe，Ro=2K截止失真，减小RB习题3.4.5IBQ=(VCC-VBE)/R1,ICQ=βIBQ，VCEQ=VCC－ICQ(R2+R3)AV=-βRL’/rbe，式中RL’=R2//RLRi=R1//rbeRo=R23.C3开路，AV,Ro都增大习题3.5.1IBQ=(12-0.7)/750K=15µA,ICQ=0.015×60=0.9m
8、A,VCEQ=12-0.9×6.8=5.88V;75度时，β＝75,VBE=0.6V，IBQ=(12-0.6)/750K=15.2µA,ICQ=0.0152×75=1.14mA,VCEQ=12-1.14×6.8=4.25V;β=115,IBQ=15,ICQ=1.725mA,VCEQ=0.27V,饱和习题3.5.4VBE=10×Rb2/(Rb1+Rb2)=4.28V,IEQ≈ICQ=(4.28-0.7)/2K=1.79mA,VCEQ=10-1.79×(2K+2K)=2.84V,rbe=1.75KΩ,AV1=-[ri/(ri+RS)]×βR
9、L’/[rbe+(1+β)Re]=-0.98×[ri/(ri+RS)],AV2≈ri/(ri+RS)3.ri=Rb1//Rb2//(rbe+101×2K)≈8.5KΩ,4.Ro1=2K,Ro2=[(RS//Rb1//Rb2+rbe)/(1+β)]//Re习题3.6.2IBQ=(12-0.7)/(Rb+51×Re)=21.7µA,ICQ=βIBQ=1.086mA，VCEQ=-6.5V,rbe=1.5KAV≈1,Ri=Rb//(rbe+51Re//RL)≈90K,Ro=Re//[(RS//Rb+rbe)/(1+β)]=39ΩVo=[Ri/(
10、Ri+Ro)]×Av×Vs≈200mV习题3.7.1
11、AVM
12、=60db=1000(倍),fL=100Hz,fH=100MHzf=fH=fL时，
13、AVM
14、=57db第五章习题解答功率放大器P220习题5.2
