2015无机材料合成与制备试卷A.doc

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1、考试时间填写:年月日考试用中南林业科技大学课程考试试卷装订线(答题不得超过此线)学院专业班级年级姓名学号课程名称:无机材料合成与制备;试卷编号:A卷;考试时间:100分钟题号一二三四五六七八九十总分应得分实得分一、是非题(1分×23=23分,选全对或全错,计零分)得分评卷人复查人1生长驱动力在数值上等于生长单位体积的晶体所引起的吉布斯自由能的降低。(√)2微波有很强的穿透力,微波加热时能深入到样品内部,其燃烧波首先从样品的表面向内部传播,最终完成微波烧结。(×)3提拉法中旋转籽晶的目的是获得更好的温度和浓度的均匀性。(√)4热电偶是接触式温度

2、传感器,可直接与被测物质接触,不受环境介质如烟雾、尘埃、CO2、水蒸气等影响,准确度较高。(√)5等离子体在CVD中的作用是将反应气体激活成活性离子,提高低沉积温度;加速反应物表面的扩散作用,降低成膜速率。(×)(提高)6降低到-150℃(123K)称为普通制冷或普冷,降低到-150℃至4.2K之间称为深度冷冻或深冷,降低到4.2K以下称为极冷。(√)7相比溅射成膜,蒸发法时,沉积原子的能量很低,一般不易形成形态3型的薄膜组织。(×)(T)8在形态2和形态3型低温薄膜沉积组织的形成过程中,原子的扩散能力不足,因而这两类生长又称为低温抑制型生长

3、。(×)(1和T)9磁控溅射的缺点是靶材的利用率不高,一般低于40%。(√)10过冷度越大,越容易非均匀成核;凸面杂质形核效率最高,平面次之,凹面最差。(×)11直接凝固成型是依靠有机单体交联形成高聚物,温度诱导絮凝成型是依靠分散剂的分散特性。(×)12不具挥发性FeO和WO3在HCl存在时,生成FeCl2、WOCl4、水蒸气,就可以通过相转移反应制得完美的钨酸铁晶体。()13气体的低温分级冷凝就是气体混合物通过不同低温的冷阱而分离,气体通过冷阱后其蒸汽压小于13.33Pa—冷凝彻底;大于13.33Pa—认为不能冷凝,穿过了冷阱。(×)14流

4、动法比降温法有利于生长大尺寸单晶,蒸发法适合溶解度较大而温度系数很小的物质,凝胶法可在室温下生长一些难溶的或对热敏感而不便使用其他方法的晶体。(√)15用单相共沉淀法制备出单一尺寸的球形氢氧化铝颗粒的关键是通过尿素,在水溶液中缓慢分解释放出OH-,使溶液中碱性均匀地、缓慢地上升,从而使氢氧化物沉淀在整个溶液中同时生成。(×)16大块非晶合金的制备思路是非均匀形核的推迟和均匀形核的避免。(√)17非晶态材料衍射花样是由较宽的晕和弥散的环组成,没有表征结晶态的任何斑点和条纹,用电镜看不到晶粒,晶界晶格缺陷等形成的衍衬反差。(√)18真空蒸镀的条件

5、是被蒸发物质的分压须高于它的平衡蒸汽压。(×)19固相反应一旦发生即可进行完全,不存在化学平衡。(√)20决定薄膜结构的重要参数是基片温度和蒸发物熔点温度之比Ts/Tm,该值几乎总是小于0.45。(√)21典型的非晶态熔体在转变点Tg附近通常具有大分子结构,因为这种结构具有阻碍结晶的作用。(√)22要得到粗大甚至是单晶结构的薄膜,一个必要的条件是需要适当地降低沉积的温度,并提高沉积速率。(×)23离子熔盐的热容量大、储热和导热性好,对其他物质有非凡的溶解能力。(√)二、选择题(2分×10=20分)得分评卷人复查人1下列哪种是液体急冷法中压延法

6、的示意图(B)2下面哪个属于微波加热的方式(D)3溅射率是决定溅射成膜快慢的主要因素之一,而影响溅射率大小的主要因素有很多,其中起决定作用的是(  B )A 靶材及表面晶体结构 B入射离子能量  C入射角度  D靶材表面温度4下列叙述中那种关于晶体制备中提拉法的是(B)A将原料溶解在水中,采取适当的措施造成溶液的过饱和状态,使晶体在其中生长。B将待生长的材料在坩埚中熔化,然后将籽晶浸到熔体中缓慢向上提拉,同时旋转籽晶,即可以逐渐生长单晶。C将籽晶下降到低过冷度的过冷熔体中,以获得晶体生长所需要的过冷度,实现晶体生长。D原料在坩埚底部高温区熔融

7、于助熔剂中,形成饱和熔融液,在旋转搅拌作用下扩散和对流到顶部相对低温区,形成过饱和熔液,在籽晶上结晶生长晶体。5关于水热(溶剂)法的说法不正确的是(B)A研究物质在高温密闭或高压溶液中的化学行为与规律。B主要以界面扩散为其特点C研究体系一般处于非理想非平衡状态,在高温高压条件下,水或其它溶剂处于亚临界或超临界状态,反应活性提高。D高压釜是进行高温高压水热与溶剂热合成的基本设备。6有关溅射成膜的四种典型组织形态的叙述正确的是(B)A形态2型的组织形成于温度很低(T/Tm<0.3)、压力较高,入射粒子能量很低的条件下。B形态3型的薄膜组织形成于T

8、s/Tm>0.5的温度区间,温度的升高使原子的体扩散开始变得很充分。C形态1型的拱形面形貌特征消失,薄膜强度较形态T型时显著提高。D形态2型薄膜的组织变为经过充分再

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