光纤预制棒技术发展及市场状况.pdf

《光纤预制棒技术发展及市场状况.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。

1、光纤预制棒技术发展及市场状况闫长鹍长飞光纤光缆有限公司PropertyofYangtzeOpticalFibreandCableCo.,Ltd.提纲1光纤预制棒制造技术简介2光纤预制棒市场及技术发展趋势3中国光纤预制棒发展现状4关于我国光纤预制棒产业发展的几点思考5小结Page21.光纤预制棒制造技术简介1.1光纤预制棒制造工艺光纤的性能!芯棒≤3.5克/公里光纤的成本！包层≥23.5克/公里对于大规模生产的通信单模光纤预制棒，当今都采用两步法进行制造：→先制造芯棒，然后再制造外包！Page31.光纤预制棒制造技术简介1.2芯棒制造技术气相沉积改进的化学气相沉积

2、（MCVD）管内法等离子化学气相沉积（PCVD）外部气相沉积（OVD）管外法轴向气相沉积（VAD）溶胶凝胶（Sol-Gel）Page41.光纤预制棒制造技术简介a.MCVDb.PCVD2SiClxO2SiO4Cl42x22GeClxO2GeO4Cl42x2Page51.光纤预制棒制造技术简介a.OVDb.VAD燃烧2HO2HO222SiCl2HOSiO4HCl422GeCl2HOGeO4HCl422Page61.光纤预制棒制造技术简介1.3外包制造技术直接外包外部气相沉积（OVD）轴向气相沉积（VAD）等离子体外喷（A

3、PVD）外部等离子化学气相沉积（POVD）Page71.光纤预制棒制造技术简介1.3外包制造技术套管法先制备套管，然后将芯棒插入套管内组装成光纤预制棒。套管制造工艺：外部气相沉积（OVD）连熔拉管采用连熔工艺，也可将石英砂直接烧结到芯棒外部制备得实心光纤预制棒。Page82.光纤预制棒市场及技术发展趋势2.1市场需求类别>95%的光纤为G.652&G.657光纤数据来源：CRU光纤预制棒制造技术的发展趋势一：---主流工艺必须要能制造低水峰光纤！Page92.光纤预制棒市场及技术发展趋势接入网建设已成为光纤需求的主力全球光纤应用情况（百万芯公里）中国光纤用

4、量及预测：G.652VSG.657数据来源:2010-6CRU光纤预制棒制造技术的发展趋势二：---G.657光纤有望取代G.652光纤成为用量最大的光纤，易于制造G.657光纤的制造工艺的优势将逐渐突显！Page102.光纤预制棒市场及技术发展趋势2.2光纤预制棒价格走向2003~2006年，出现供大于求时，预制棒价格则呈急剧下降趋势。近几年来，预制棒供需基本平衡，价格相对稳定。数据来源：CRU光纤预制棒制造技术的发展趋势三：---要具有成本优势！Page112.光纤预制棒市场及技术发展趋势2.3光纤预制棒技术发展情况芯棒制造工艺数据来源：CRU在过去三十年，随

5、着G.652逐渐成为通信主流光纤，由VAD所制造的芯棒比例在逐渐上升，而M/FCVD急剧降低。OVD也有所下降，PCVD在缓慢上升。Page122.光纤预制棒市场及技术发展趋势2.3光纤预制棒技术发展情况外包制造工艺数据来源：CRU在过去二十年，由OVD所制造的外包比例在逐渐上升，采用套管（OVD工艺制造）在最初RIT工艺阶段（2001年之前）出现大幅降低后，随着RIC工艺的出现，在最近十年保持平稳。Page132.光纤预制棒市场及技术发展趋势2.3光纤预制棒技术发展趋势:芯棒为提高光纤的性价比，基于大尺寸预制棒的高速连续拉丝是发展具有竞争力的光纤制备技术的方向：•

6、MCVD由于不能制造低水峰光纤，制造成本较高（沉积效率和速率均偏低）MCVD/将逐渐退出通信单模光纤的制造，将仅为多模和特种光纤的制造工艺；FCVD•FCVD可用于制造低水峰光纤，但沉积速率和沉积效率均很低，不适宜制备大尺寸预制棒棒，也将逐渐退出通信单模光纤的制造。•PCVD工艺具有高的沉积效率和沉积速率，单台设备的产能可达200万芯PCVD公里/年以上，且结合RIC工艺可制造大尺寸光纤预制棒，适合制造各种剖面的光纤预制棒，将逐渐成为光纤制造的主要工艺；•相对封闭的技术限制了其在业内的广泛使用。•具有高沉积速率，但在制造G.652.D光纤方面由于需要靶棒，相对于VAD

7、OVD工艺不具优势；•美国ASI在设备开发方面的深入，打破了原来的技术封锁，使其可得到更广泛的应用。VAD•具有高沉积速率和业内广泛的使用，无疑是G.652.D光纤的主要制造工艺。Page142.光纤预制棒市场及技术发展趋势2.3光纤预制棒技术发展趋势:外包80年代初，用套管法（RIT）做大预制棒（<100km），MCVD+RIT，PCVD+RIT，VAD+RIT；80年代后期，由于套管价格高，全合成工艺成为主流，套管法份额下降，康宁OVD+OVD，日本VAD+OVD，VAD+VAD；90年代，阿尔卡特，APVD外包层技术；2008，长飞PCVD+R