矩阵变换器开关损耗分析与计算.pdf

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1、Vo1.31No.92011.9船电技术I控制技术矩阵变换器开关损耗分析与计算涂方明王亚楠(1.海装驻武昌造船厂军代室,武汉430060;2.中国船舶重工集团公司第七一二研究所,武汉430064)摘要:由于矩阵变换器的拓扑结构和传统的电压源逆变器不同,各个IGBT模块的c.e极电压和电流分配都是在变化的,各管的损耗也同时在变化,VSI的开关损耗分析不能适用于矩阵变换器。本文在电压型换流法的各个开关模态的基础上,分析了每个开关过程的传导损耗、开通损耗和关断损耗,通过计算机累加仿真求得了MC总的开关损耗。仿真可知传导损耗为与输出频率有关的周期函数;不同的调制方法、开关频率对开通和关断损

2、耗的影响很大,对传导损耗几乎没有影响;只有少数几种调制方法可以得到损耗的解析解,大多数方法需要仿真计算求开关损耗。关键词:开关损耗分析矩阵变换器双向开关调制策略仿真中图分类号:TM464文献标识码:A文章编号:1003.4862(2011)09.0001.06PowerLossAnalysisandSimulationofMatrixConverterTuFangminglWangYanan2,(1.NavyDeputyOficeinWuchangShipyard,Wuhan430060,China;;2.WuhanInstituteofMarineElec~icPropulsio

3、n,CSIC,‘Wuhan430064,China)Abstract:Powerlossanalysisonbi—directionalswitchesisoneofbasicstepsfo,.evaluationofthereliabilityofmatrixconverter(Mc).SincepowertopologiesandswitchingrulesofMCarequitedifferentfromvoltagesourceinverter(-VSI),lossanalysismethodsusedfo,.powerswitchesofVSItopologycannot

4、beappliedtoMC.Thecollector-emittervoltageVceofIGBTmodulesarenotconstantandcurrentdistributionineachpowerdevicechangesateachinstantswitching.Theconductionloss,turn-onlossandturn—-offlossissimulatedbythecomputerbasedonseminaturaltwostepscommutationstrategy.Itcanbeobtainedthattheconductionlossisa

5、periodicfunctionconcernedwithoutputfrequency,thedifferentmodulationstrategiesandcarrierfrequencycaninfluencetheturn—onlossandturn—oflossnottotheconductionloss,onlyseveralmodulationstrategiescangetanalyticsolutionofswitchloss,mostmodulationstrategiesneedsimulation.Keywords:powerlossanalysis;mat

6、rixconverter;bi—directionalswitches;modulationstrategies;simulation部分。由于MC的功率拓扑结构和调制策略与传1引言统的电压源逆变器(VSI)大不相同,VSI的开关矩阵变换器(MatrixConverter)作为一种通损耗分析不能适用于MC系统。对于MC系统,用变频器具有人们所期望的多种优点,符合今后输入电压通过9个双向开关整合调制直接连到输模块化发展方向】。图1为MC的基本结构,它出端,而不利用任何储能元件,这样便造成了主要由9个双向开关组成。双向开关的开关损耗IGBT模块截止时电压不为恒值。即使输出电分析是MC效

7、率评估及系统设计的一个基本组成流为恒值时,由于输入电压区间的切换,各个IGBT模块的c.e极电压和电流分配都是在变化收稿日期:2011.01.07的,各管的损耗也同时在变化,因此对MC的损作者简介:涂方明(1979__),男,工程师,研究方向:船耗分析必须从调制策略和IGBT模块的自身特性舶电气。入手,研究各个开关模态下的开关损耗。国外对船电技术{控制技术MC开关损耗的分析研究的较早,文献[4】将MC同样,电力二极管的瞬时传导损耗也可以表和VSI的开关损耗进行了比较,

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