CVD-1100设备工作原理.ppt

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1、CVD-1100设备工作原理一、设备构成二、工作原理三、日常维护目录CVD-1100型等离子化学气相沉淀设备主要有以下几个部分组成：1.真空系统（泵组部分），2.淀积部分，3.特气系统，4.射频系统。原理图如下所示：一、设备构成1、真空系统如上图所示,真空系统主要由一系列泵和波纹管及阀门等组成，主要作用是：维持淀积腔室真空状态，保持腔室压力稳定，及时抽走反应生成的颗粒（硅粉等）。2、淀积部分此部分主要包括沉积炉和工件架，主要作用是淀积所需膜质沉积温度：200-230℃沉积压力：0.5-1Torr(50-133Pa)3、特气

2、系统主要有管道和电磁阀组成，主要作用是提供成膜所需要的特气及吹扫腔室的气体。反应气体：Ar、CH4、B2H6、H2、SiH4、GeH4、PH3清洁气体：NF3吹扫气体：N2质量流量计量程：TMB（三甲基硼C3H9B）、PH3、GeH4:4000scmAr、CH4、SiH4：15000scmH2:30000scm4.射频系统主要由RF射频电源柜组成，18分立电源控制18个电极，可对单个电极进行调节。二、工作原理1.真空系统工作原理开始开维持泵开机械泵开预抽阀抽真空至500Pa开罗茨泵，关旁路阀抽真空至5Pa抽真空至本底真空开

3、高阀开前级阀关罗茨泵开旁路阀关预抽阀2.沉积工作原理在沉积腔室一定的低真空状态下，通入反应气体，待气流稳定后，打开射频电源对反应气体进行电离，进而生成所需要的膜质。反应流程如下所示：导入工件架接通电极、特气管道、接地试起辉（电源设定50W）开预抽阀（500Pa）开罗茨泵（5Pa）开前级阀，高阀（抽本地真空）通入反应气体（3分钟内流量稳定）起辉（3分钟内起辉稳定）沉积吹扫（Ar最大流量，3次）解除电极连接、特气连接、接地连接缓慢拉出工件架清洁腔室冷却三、日常维护每日操作人员需对沉积炉、泵、循环水、特气、RF电源，加热等系统点

4、检。THEENDTHANKS!