西安交通大学材料科学与工程学院磁控溅射系统招标.doc

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1、西安交通大学材料科学与工程学院磁控溅射系统招标技术协议本系统由2个腔自组合而成，各腔室超高真空链接，实验样品可以不破坏真空在其间转移，具体参数指标为：1）扫描隧道显微镜腔：1.1）原子操纵及自旋极化扫描隧道显微镜（SP-STM）腔：空间分辨率：X,Y轴0.1Å；Z轴：0.01Å能量分辨率：~1meV；时间分辨率：1ms温度：≤4.8K稳定性：热漂移<2Å/h，最小工作电流<500fA输运测量：样品台具备至少5个外部引线电极，并包含高频信号探测用的电缆光学测量：配备光学透镜组，其物镜焦点始终处于隧穿结液氦消耗：4L可

2、以保持60h或以上，在样品上施加2T磁场亦可保证5K温度下维持时间超过45h小时。包含样品准备室，其中配备：四轴样品架（manipulator）,样品控温装置（100~1400K）；离子溅射枪及进气漏阀一套；低能电子衍射仪（LEED/AES），红外测温仪，四极质谱仪，样品解理台，可装掩模板的样品台各一个，高温蒸发源≥1个。真空度优于5x10-10mbar，配备离子泵/钛升华泵组合一套和涡轮分子泵一台。1.2）自旋极化扫描及原子操纵相关参数：磁场强度：2.0T针尖：磁性包裹针（钨针尖上镀Fe/Cr/Mn ）自旋极化分

3、别率：单原子配备控制单元（DSPElectronics）及相应STM测量软件，软件中应内置横向（6种典型模式）及纵向原子操纵模块原子操纵方向：横向和纵向可操纵原子：Au、Pt、In、Dy、Mn、Co、Fe等2）可移动式分子束外延（MBE）腔：预留11个固体/液体蒸发源接口，高温蒸发源≥2个预留≥1个气体漏阀接口样品温度范围：80K~1500K腔壁为双层，可通过液氮或冷氮气冷却配有膜厚仪(QMB)真空度优于5x10-10mbar，配备涡轮分子泵一台。配有快速进样室两个：分别连接在样品准备腔和分子束外延腔上，真空度均须

4、优于5x10-8mbar。