计算机原理填空复习题.doc

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1、计算机原理填空复习题1、补码加减法中，符号位作为数的一部分参加运算，符号位产生的进位要丢掉。2、为判断溢出，可用用双符号位补码，此时正数的符号用00表示，负数的符号用11表示。3、采用双符号位的方法进行溢出检测时，若运算结果中两个符号位不相同，则表时发生了溢出。若结果的符号位为01，表示发生正溢出；若为10，表示发生负溢出。4、采用单符号位进行溢出检测时，若加数与被加数符号相同，而运算结果的符号与操作数的符号不一致，则表示溢出；当加数与被加数符号不同时，相加运算的结果不会产生溢出。5、在减法运算中，正数减负数

2、可能产生溢出，此时的溢出为正溢出；负数减正可能产生溢出，此时的溢出为负溢出。6、运算器不论复杂还是简单，均有条件码寄存器。条件码寄存器的一部分通常由各种运算结果触发器组成，利用触发器的信息，可以提供判断条件，从而实现程序的控制转移。7、原码一位乘法中，符号位与数值位分开运算，运算结果的符号位等于被乘数与乘数的符号位异或。8、一个浮点数，当其补码尾数右移1bit时，为使其值不变，阶码应该加1。9、向左规格化的规则为：尾数左移1位，阶码减1。10、向右规格化的规则为：尾数右移1位，阶码加1。11、两个BCD码相加

3、，当结果大于9时，修正的方法是将结果加上6，并产生进位输出。12、计算机中的存储器是用来存放（程序和数据），随机访问存储器的访问速度与（存储位置）无关。13、对存储器的访问包括（读）和（写）两类。14、计算机系统中的存储器分为（内存）和（外存）。在CPU执行程序时，必须将指令存放在（内存）中。15、主存储器的性能指标主要是（存储容量）、（存取速度）、（功耗）、（集成度）、（）。16、存储器中用（地址）来区分不同的存储单元，1GB=（1024×1024或220）KB17、半导体存储器分为（RAM）、只读存储器R

4、OM和相联存储器等。其中前者又分为（SRAM）和（DRAM）。18、RAM的访问时间与存储单元的物理位置（无关），任何存储单元的内容都能被（随机访问）。19、存储芯片由（存储体）、（读写控制电路）、（地址译码电路）和（３态缓冲控制电路）等组成。20、地址译码分为（单译码）方式和（双译码）方式。21、双译码方式采用（２）个地址译码器，分别产生（行选通信号）和（列选通信号）。22、若RAM芯片内有1024个单元，用单译码方式，地址译码器将有（1024）条输出线；用双译码方式，地址译码器有（64）条输出线。23、S

5、RAM是由晶体管构成的（双稳态电路），保证记忆单元始终处于稳定状态，存储的信息不需要（刷新）。24、存储器芯片并联的目的是为了（位扩展），串联的目的是为了（字节单元扩展）。25、计算机的主存容量与（计算机地址总线的根数）有关，其容量为（2地址线根数×数据线根数）。26、要组成容量为4M×8位的存储器，需要（8）片4M×1位的存储器芯片并联，或者需要（4）片1M×8位的存储器芯片串联。27、内存储器容量为256K是，若首地址为00000H，那么末地址为（3FFFF）H。28、主存储器一般采用（半导体）存储器件，

6、它与外存比较存取速度（快）、成本（高）。29、只读存储器ROM可分为（掩膜式ROM）、（PROM）、（EPROM）和（EEPROM）四种。30、SRAM全称为（静态随机读写存储器）；DRAM全称为（动态随机读写存储器）。31、SRAM靠（触发器）存储信息；DRAM靠（栅极板上的电容电荷）存储信息。32、广泛使用的（SRAM）和（DRAM）都是半导体（随机读写）存储器。前者的速度比后者快，但（集成度）不如后者高，它们的共同缺点是断电后（不能）保存信息。33、CPU是按（地址）访问存储器中的数据。34、EPROM

7、属于（可多次擦写）的可编程ROM，擦除时一般采用（紫外线照射），写入时使用高压脉冲。35、对存储器的要求是（容量大）、（速度快）、（成本高）。为了解决这三个方面的矛盾，计算机采用多级存储器体系结构。36、动态存储单元以电荷的形式将信息存储在电容上，由于电路中存在（泄漏电流），因此需要不断地进行（刷新）。37、一台计算机所具有的各种机器指令的集合称为计算机的（指令系统）。38、指令的编码将指令分成（操作码）、（地址码）两部分组成。39、指令系统是计算机硬件所能识别的，它是计算机（软件和硬件）之间的接口。40、计

8、算机通常使用（程序计数器PC）来指定当前指令的地址或下一条即将要执行的指令的地址。41、指令编码中，操作码用来指定（操作的性质和功能），N位操作码最多可以表示（2N）条指令。42、地址码表示（操作数的地址），以其数量为依据，可以将指令分为（三地址指令）、（二地址指令）、（一地址指令）和（零地址指令）格式。43、对指令中的（地址码）进行编码，以形成操作数在存储器中地址的方式称为（操作数的寻址方式）。4