模拟电子技术基础 教学课件 作者 陈艳峰 第3章　场效应晶体管及其基本放大电路.ppt

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1、第3章　场效应晶体管及其基本放大电路3.1　结型场效应晶体管3.2　绝缘栅型场效应晶体管3.3　场效应晶体管放大电路3.1　结型场效应晶体管3.1.1　JFET的结构和工作原理3.1.2　N沟道结型场效应晶体管的特性曲线3.1.1　JFET的结构和工作原理1.结构2.工作原理1.结构图3-1　结型场效应晶体管(JFET)结构示意图及电路符号2.工作原理(1)uGS对导电沟道及iD的控制作用(2)uDS对iD的影响　下面我们分析在栅-源控制电压为某一固定值uGS=VGG且满足UGS(off)

2、影响。(1)uGS对导电沟道及iD的控制作用1)uGS=0，导电沟道最宽。2)UGS(off)

3、uGS

4、增大而变窄。3)uGS≤UGS(off)，导电沟道被夹断。图3-2　=0时栅-源电压改变对导电沟道的影响(2)uDS对iD的影响1)在uDS较小，即0UGS(off)，导电沟道靠近漏端d区域未被夹断，仍较宽。2)增大uDS时，靠近d极的沟道变窄，当uDS增大到uDS=uGS-UGS(off)时，使得uGD=UGS(off)，导电沟道在漏极(d)处被夹断，称为预夹断，如图3-

5、3b点所示。3)继续增大uDS，使得uDS>uGS-UGS(off)，即uGDUGS(off))，在输出特性曲线上为纵轴与预夹断轨迹线所围成的区域。(2)恒流区(饱和区)UGS(off)u

6、GS-UGS(off)(即uGDUGS(off))，也即在预夹断前

7、，管子工作在可变电阻区，此时FET的iD与uDS呈近似线性关系，表现为一个受uGS控制的可变电阻。4)当UGS(off)uGS-UGS(off)(即uGD

8、T3.2.2　耗尽型MOSFET3.2.3　各种FET的特性比较及使用注意事项3.2.4　场效应晶体管的主要参数及低频小信号等效模型3.2.1　增强型MOSFET1.结构2.工作原理3.特性曲线与电流方程1.结构图3-5　N沟道增强型MOSFET结构图及电路符号2.工作原理(1)导电沟道的形成　将源极和衬底短接(MOSFET在实际应用电路中通常要求如此)，为分析方便，将漏极与源极短接，即uDS=0，栅极与源极之间外加正向电压uGS。(2)导电沟道形成后uDS对iD的影响　设uGS是大于UGS(th)的一个确定值，即uGS为一常数且uGS>UGS(th)，此时MOS

9、FET中导电沟道已经形成。(1)导电沟道的形成1)当栅-源之间不加电压，即uGS=0时，漏-源之间是两个背向的PN结，不存在导电沟道。2)当uDS=0且栅极与源极之间外加数值较小的正向电压，即0UGS(th))，uDS对沟道厚度影响不明显，沟道没有任何一处被夹断，如图3-7a所示。2)增大uDS，靠近d极的沟道变窄

10、。3)uD