材料科学基础试卷及答案7套.doc

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1、试题1%1.图1是N^O的理想晶胞结构示意图，试回答：1.晶胞分子数是多少；2.结构屮何种离子做何种密堆积；何种离子填充何种空隙，所占比例是多少；3.结构屮各离子的配位数为多少，写出其配位多面体；4.计算说明（/的电价是否饱和；5.画出N^O结构在（001）面上的投影图。%1.图2是高岭石（A1A-2SiO2-2H20）结构示意图，试回答:1.请以结构式写法写出高岭石的化学式；2.高岭石属于哪种硅酸盐结构类型；3.分析层的构成和层的堆积方向；4.分析结构屮的作用力；5.根据•其结构特点推测高岭石具有什么性质。•Si©AlqQ©ohE2a高岭石的结构©9O

2、oNoo.妙oN打9：•5；%O・6q0A龙怂E2b高鹼石的结构（企（010）时上的投影圈）（在（001）面上的投影图）%1.简答题：1.晶体屮的结构缺陷按几何尺寸可分为哪几类？2.什么是负扩散？3.烧结初期的特征是什么？4.硅酸盐晶体的分类原则是什么？5.烧结推动力是什么？它可凭哪些方式推动物质的迁移？6.相变的含义是什么？从热力学角度来划分，相变可以分为哪几类？%1.出下列缺陷反应式：1.NaCl形成肖特基缺陷；2.AgI形成弗仑克尔缺陷（Ag黴入间隙）；3.T10,掺入到NbA•I•，请写岀二个合理的方程，并判断可能成立的方程是哪一种？再写岀每个方

3、程的固溶体的化学式。4.NaCl溶入CaClJp形成空位型固溶体%1.表面力的存在使固体表面处于高能量状态，然而，能量愈高系统愈不稳定，那么同体是通过何种方式降低其过剩的表面能以达到热力学稳定状态的。六•粒径为lu的球状AU)3由过量的MgO微粒包围，观察尖晶石的形成，在恒定温度下，第一•个小时有20%的A1心起了反应，计算完全反应的时间：⑴用杨德方程计算；⑵用金斯特林格方程计算。七•请分析熔体结构屮负离子团的堆积方式、聚合度及对称性等与玻璃形成之关系。八.试从结构和能量的观点解释为什么D晶界〉D晶内？九试分析二次再结晶过程对材料性能有何影响？工艺上如何

4、防止或延缓二次再结晶的发生？十•图3是A-B-C三元系统相图，根据相图冋答下列问题：1.写出点P,R,S的成分；2.设有2kgP,问需要多少何种成分的合金Z才可混熔成6kg成分为R的△令no图3十一・图4是A-B-C三元系统相图，根据相图冋答下列问题：1.在图上划分副三角形、用箭头表示各条线JL温度下降方向及界线的性质；2.判断化合物D、F的性质；3.写出各三元无变量点的性质及其对应的平衡关系式；4.写出组成点G在完全平衡条件下的冷却结晶过程；5.写出组成点H在完全平衡条件下的冷却结晶过程，写出当液相组成点刚刚到达E4点和结晶结束时各物质的百分含量（用线

5、段比表示）。C图4试题2一、（1）（12分）根据CaTiO3晶胞图（见图1）回答下列问题：1•晶面BCGF、DEG的晶面指数;晶向DF、HA的晶向指数。2.结构屮各离子的配位数为多少，写出其配位多面体；3.晶胞分子数是多少？何种离子添何种空隙，空隙利用率是多少?4•结构中是否存在TiO广离子,为什么？（2）（11分）图2是镁橄榄石（Mg2[SiO4]）结构示意图，试回答：1.镁橄榄石属于哪种硅酸盐结构类型；2.计算说明O'的电价是否饱和；3.结构屮有儿种配位多而体，各配位多面体间的连接方式怎样?4.镁橄榄石是否容易形成玻璃，为什么？(0>二、（10分）写

6、出下列缺陷反应式：l.NaCl形成肖脱基缺陷。2.Agl形成弗伦克尔缺陷（Ag‘进入间隙）3.Ti02掺入到NbAlP，请写出二个合理的方程，写出固溶体的化学式,并判断可能成立的方程是哪种？三、（10分）判断下列叙述是否正确？若不正确，请改正。1.Na20-SiO2系统屮随SiO2含量的增加，熔体的粘度将降低。2.扩散的推动力是浓度梯度，所有扩散系统屮，物质都是由高浓度处向低浓度处扩散。3.晶粒正常长大是小晶粒吞食大晶粒，反常长大是大晶粒吞食小晶粒。4.固溶体是在固态条件下，一种物质以原子尺寸溶解在另一种物质屮形成的单相均匀的固体。1.在热力学平衡条件下

7、，二元凝聚系统最多可以3相平衡共存，它们是一个固相、一个液相和一个气相。四、（6分）什么叫弛豫表面？NaCl单晶表面具有什么样的结构特点?五、（6分）巳知Zf和C芒在尖晶石ZnCrO4>

8、>的自扩散系数与温度的关系分别为1.试求1403K时Z十和C代在尖晶石ZnCrO.'l*的扩散系数。2.将细钳丝涂在两种氧化物ZnO和Cr203的分界线上，然后将这些压制成型的样品进行扩散退火。（标记物钠丝菲常细，不影响离子在不同氧化物之间的扩散）。根据所得数据判断钠丝将向哪一方向移动？六、（6分）为什么在成核一生成机理相变屮，要有一点过冷或过热才能发生相变?什么情况下

9、需过冷，什么情况下需过热，各举一个例子。七、（6分）粒径为1u球状A1A由过量的