模拟电子技术试卷.doc

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1、《模KI电子技术》测试题穴一、填空题：（28分，每空1分）1、BJT是控制器件，FET是控制器件。2、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为8,则此二极管:若两次读数都接近零，则此二极管:若读数一次很大，一次读数小，贝眦二极管o3、简单的差分放大器双端输出时，对信号有较强的抑制能力，而对信号有较强的放大作用。4、差动放大电路两个输入端的电流分别是2v和3v,则共模信号是—v,差模信号为V。°5、要获得低频信号，可选用—振荡器；要获得高频信号可选用振荡器。6、负反馈虽使放大电路的放大倍数了，但其他的性能得到了改善：、7、射极输出器的重要特点是、和。8、场效应管栅源间

2、的输入电阻比晶体三极管基射间的输入电阻。源极输出电路的重要特点是,和。9、理想集成运放的条件是、、、和二、选择题：（20分，每题2分））。C、不变D、不确定）□B、发射极正偏，集电极反偏D、发射极反偏，集电极正偏1、PN结反向向偏置吋，其内电场被（A、削弱B、増强2、三极管工作在饱和状态的条件是（A、发射极正偏，集电极正偏C、发射极反偏，集电极反偏3、PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。a：其反向屯流增大b：其反向电流减小c：其反向电流基本不变4、稳压二极管是利用PN结的（）。a：单向导电性b：反向击穿性c：电容特性5、二极管的反向饱和电流在20°C吋是5nA,温度每

3、升高10°C,其反向饱和电流增大一倍，当温度为40°CDt，反向饱和电流值为（）oa：10uAb：15uAc：20uAd：40PA6、半导体稳压二极管正常稳压吋，应当工作于（）。A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态120mA100ha80“60hA7、某NPN型三极管的输出特性如图所示，当Uce=6V时。其电流放大系数B为（）。A、［3=100B、3=50C、B=150D、3=258.当超过下列哪个参数吋，三极管一定被击穿（）a.集电极最大允许功耗b.集电极最大允许电流/cmc.集一基极反向击穿电U（BR）cbo9、右图为单相桥式整流

4、滤波电路，IL为正旋波，其有效值为U产20V,f=5OHz。若实际测得其输出电压为28.28V,这是由于（）的结果。a.开路b.C的容量过小c.C的容量过大止&开路10、在非线性失真屮，饱和失真也称为（）a顶部失真b底部失真c双向失真三、判断题：（8分，每题1分）9题图1、P型半导体屮的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）2、在三极管放大电路的三种基本组态屮，共集电极放大电路带负载的能力最强。（）3、负反馈可以提高放大电路的放大倍数的稳定值。（）4、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。（）5、因为差动放大电路采用了直接耦合方式，故只能放大直流信号。（

5、）6、多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽（）7、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）8、要稳定放大电路工作点，可以引入交流负反馈。（）四、判断下列各图小，哪些电路能进行正常的放大：（6分）1.VsrRc)五、综合题（38分）1•已知如图：Vcc=12V,/?B=100kQ,/?w=400KQ,Rc=4KQ,^=37.5当滑动变阻器的触点在屮间位置吋求静态值并画直流负载线（设t/BE=0）（8分）+%cRl=6Q一Vee•+Vee2、一-双电源互补对称电路如图题所示，设已知Vcc=12V,Rl=6Q,vi为正弦波。求：（1）在BJT的饱和压降Vces可

6、以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率Pom；（2）每个管子允许的管耗Pcm至少应为多少？（3）每个管Ui子的耐11

7、V（br）ceoI应大于多少？（10分）3、在图所示单相桥式整流电容滤波电路中,已知Rl=40,C=1000uF,u2=20V2sinwtV,3题图现用万用表测量输出直流电床，如果岀现下列几种情况，试分析哪个数据合理？那些不合理？会出现什么故障？（10分）%1U0=18V:%1U。二28V:%1U0=9V:%1U。二24V:4、为了用低值电阻实现高电床增益的比例运算,常用一T形网络以代替©，如图⑷所示，试证明（10分）Vo_7?2+尺3+R2R3/尺4