单相双向晶闸管控制整流电路.doc

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1、实验五单相双向晶闸管整流电路电阻性负载一、实验目的：1、了解电阻性负载的特性。2、加深对双向可控硅整流电路工作原理的理解。3、进一步了解示波器在电力电子技术屮应用的技术特点。二、实验主要仪器与设备：恒压电源一台，万用表一台，示波器一台，波形发生器一台，双向晶闸管1个0.6A/400V双向晶闸管MAC97A6,二极管2个，电阻若干。三、实验原理本实验原理，双向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上止向电压时，BG

2、1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个止向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=f32ib2o因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ibl=ic2o此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流icl二Blibl二[31[32ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成止反馈,使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。由于BG1和BG2所构成的止反馈作用，所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导

3、通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化。2,触发导通：在控制极G上加入止向电压时，因J3止偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流1GT。在可控硅的内部止反馈作用的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。图6-1双向晶闸管电路双向晶闸管电路如图6-1,G极电压为直流8V,输入Uin为50HZ正弦波峰峰12V,负载电

4、阻RL为20欧姆。R2C1002BTA16VADB1C240.1T2DB3VR4560KR1910kC230.1ufMAC97A6斷态重复峰值电IkVDRM(Max)(V):400反向重复峰值电压VRRM(Max)(V):400離定正向平均电iftlF(Max)(A):6鑽定电流小于1安堵拎制功率小于60瓦以下门根触发电流IGT(Max)(mA):7门极触发电压VGT(Max)(V):2.500封装/讯度(D:3TO92/40^1101A/600V四、实验数据(1)、输入不同波形的U和關，记录负载Rd输出的波形。(2)、

5、认真分析产生这些波形原因。五、实验注意事项安全使用电源，正确使用晶闸管，正确使用波形发牛器。