电子传输层厚度及阻塞层对量子点发光二极管性能的影响.pdf

电子传输层厚度及阻塞层对量子点发光二极管性能的影响.pdf

ID:49395658

大小:3.51 MB

页数:6页

时间:2020-02-29

电子传输层厚度及阻塞层对量子点发光二极管性能的影响.pdf_第1页
电子传输层厚度及阻塞层对量子点发光二极管性能的影响.pdf_第2页
电子传输层厚度及阻塞层对量子点发光二极管性能的影响.pdf_第3页
电子传输层厚度及阻塞层对量子点发光二极管性能的影响.pdf_第4页
电子传输层厚度及阻塞层对量子点发光二极管性能的影响.pdf_第5页
资源描述:

《电子传输层厚度及阻塞层对量子点发光二极管性能的影响.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、第38卷第1期发光学报Vol.38No.12017年1月CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCEJan.,2017文章编号:1000-7032(2017)01-0085-06电子传输层厚度及阻塞层对量子点发光二极管性能的影响11,2*22马航,李邓化,陈雯柏,叶继兴(1.北京交通大学电子信息工程学院,北京100044;2.北京信息科技大学自动化学院,北京100101)摘要:针对量子点发光二极管(QLED)中载流子注入不平衡的问题,对空穴和电子在量子点层的注入速率进行了研究。制备了不同电子传输层厚度、结构为ITO/PEDOT∶PSS/Poly-TPD/QDs/Alq3/Al的QL

2、ED样品。Alq3厚度由25nm逐步递增至45nm时,器件的开启电压升高,器件均发出量子点的红光。当Alq3厚度为30nm时,器件的电流效率最高。此时,空穴和电子在量子点层的注入速率达到相对平衡。为进一步研究器件的发光特性,在QDs和Alq3接触界面嵌入电子阻塞层TPD。研究发现,当TPD的厚度为1nm时,器件发出红光;当TPD厚度为3nm和5nm时,器件开始出现绿光。实验结果表明,在选取电子阻塞层时,应选择LUMO较低的材料且阻塞层的厚度必须很薄。关键词:量子点发光二极管;厚度;能级;电流密度;亮度;电流效率+中图分类号:TN383.1文献标识码:ADOI:10.3788/fgxb20173

3、801.0085InfluenceofThicknessofElectronTransportLayerandBlockLayeronThePropertiesofQuantumDotLightEmittingDiodes11,2*22MAHang,LIDeng-hua,CHENWen-bai,YEJi-xing(1.SchoolofElectronic&InformationEngineering,BeijingJiaotongUniversity,Beijing100044,China;2.SchoolofAutomation,BeijingInformationScienceandTec

4、hnologyUniversity,Beijing100101,China)*CorrespondingAuthor,E-mail:ldh@bistu.edu.cnAbstract:Inviewofcarrierinjectionunbalanceproblemofthequantumdotlightemittingdiode(QLED),theinjectionrateofholesandelectronsinthequantumdots(QDs)layerwasstudied.QLEDwithstructureofITO/PEDOT∶PSS/Poly-TPD/QDs/Alq3wasfabr

5、icated.Theexperimentre-sultsshowthatallthedevicesexhibitredlightandtheturn-onvoltagerisesastheAlq3thicknessin-creasesfrom25nmto45nm.WhentheAlq3thicknessis30nm,thecurrentefficiencyofthede-viceishighandtheinjectionrateofholesandelectronsintheQDslayerreachesarelativebalance.Then,theluminescenceproperti

6、esofthedeviceswerefurtherstudiedthroughimbeddinganelectronblockinglayerTPDintotheQDs/Alq3interface.WhentheTPDthicknessis1nm,thedevicestillexhibitsredlight,andgreenlightbeginstoappearwhentheTPDthicknessis3nmand5nm.TheexperimentresultsshowthatathinnerthicknessandlowerLUMOshouldbechosenfortheelectronbl

7、ockinglayer.Keywords:quantumdotlightemittingdiode;thickness;energylevel;currentdensity;luminance;currentefficiency收稿日期:2016-06-15;修订日期:2016-07-28基金项目:国家重点基础研究发展计划(973)(2015CB654605)资助项目SupportedbyNati

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。