模拟电子技术的复习.ppt

《模拟电子技术的复习.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、1.1.2N型半导体和P型半导体1.1.3PN结1.1.4PN结的单向导电性1.1.1半导体的导电特性1.1半导体基础知识和PN结第1章上页下页返回本征半导体完全纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。它具有共价键结构。锗和硅的原子结构单晶硅中的共价键结构价电子硅原子第1章上页下页翻页返回1.1.1半导体的导电特性在半导体中，同时存在着电子导电和空穴导电。空穴和自由电子都称为载流子。它们成对出现，成对消失。在常温下自由电子和空穴的形成复合自由电子本征激发第1章上页下页翻页返回空穴在通常情况下，本征半导体中载流子的数

2、量是极其微弱的，其导电能力很差。当温度增加，或受其他能量的激励（如光照），电子的运动加剧，载流子的数目增加，导电性能也就愈好，所以温度对半导体器件的性能影响很大。1.1.2N型半导体和P型半导体原理图P自由电子结构图磷原子正离子P+在硅或锗中掺入少量的五价元素，如磷或砷、锑，则形成N型半导体。多余价电子少子多子正离子在N型半导体中，电子是多子，空穴是少子。电子带负电：Negative第1章上页下页N型半导体翻页返回P型半导体在硅或锗中掺入三价元素，如硼或铝、镓，则形成P型半导体。原理图BB-硼原子负离子空穴填补空位结

3、构图在P型半导体中，空穴是多子，电子是少子。多子少子负离子第1章上页下页翻页返回空穴带正电：Posotive用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上，形成P型半导体区域和N型半导体区域，在这两个区域的交界处就形成一个PN结。P区N区P区的空穴向N区扩散并与电子复合N区的电子向P区扩散并与空穴复合空间电荷区内电场方向1.1.3PN结的形成第1章上页下页翻页返回空间电荷区内电场方向在一定条件下，多子扩散和少子漂移达到动态平衡。P区N区多子扩散少子漂移第1章上页下页翻页返回在一定条件下，多子扩散和少子漂移达到动态平衡，空间电荷

4、区的宽度基本上稳定。内电场阻挡多子的扩散运动，推动少子的漂移运动。空间电荷区内电场方向PN多子扩散少子漂移结论：在PN结中同时存在多子的扩散运动和少子的漂移运动。第1章上页下页翻页返回1.1.4PN结的单向导电性P区N区内电场外电场EI空间电荷区变窄P区的空穴进入空间电荷区和一部分负离子中和N区电子进入空间电荷区和一部分正离子中和扩散运动增强，形成较大的正向电流。第1章上页下页翻页外加正向电压返回外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走空间电荷区变宽内电场外电场少子越过PN结形成很小的反向电流IRE第1章上页下页

5、翻页外加反向电压N区P区返回由上述分析可知：PN结具有单向导电性即在PN结上加正向电压时，PN结电阻很低，正向电流较大。（PN结处于导通状态）加反向电压时，PN结电阻很高，反向电流很小。（PN结处于截止状态）切记第1章上页下页翻页返回1.2半导体二极管表示符号面接触型点接触型引线触丝外壳N型锗片N型硅阳极引线PN结阴极引线金锑合金底座铝合金小球第1章上页下页阴极阳极D翻页返回1.2.1基本结构第1章上页下页翻页返回几种二极管外观图小功率二极管大功率二极管发光二极管1.2.2二极管的伏安特性-40-20OU/VI/mA

6、604020-50-250.40.8正向反向击穿电压死区电压U(BR)硅管的伏安特性I/μA第1章上页下页翻页返回-20-40-250.40.2-5010O155I/mAU/V锗管的伏安特性I/μA死区电压死区电压：硅管约为：0.5V,锗管约为：0.2V。导通时的正向压降：硅管约为:0.7V,锗管约为:0.3V。常温下，反向饱和电流很小.当PN结温度升高时，反向电流明显增加。注意:1.2晶体三极管(BJT)BipolarJunctionTransistor1.2.1基本结构1.2.2电流分配和电流放大原理1.2.3特

7、性曲线第1章上页下页返回1.2.4主要参数1.2.1基本结构NPN型PNP型BETCNPNBETCPNP第1章上页下页翻页返回NPPEB基区发射结集电结集电区发射区集电极C发射极基极CPNNEB发射区集电区基区基极发射极集电结发射结集电极集电极:Collector基极:base发射极:Emission1.2.2电流分配和电流放大原理IEIBRBUBBICUCC输入电路输出电路公共端晶体管具有电流放大作用的外部条件：发射结正向偏置集电结反向偏置NPN管：UBE>0UBC<0即VC>VB>VERCBCE共发射极放大电路第

8、1章上页下页翻页PNP管：UBE<0UBC>0即VC