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1、DOI:10.13290/j.cnki.bdtjs.1980.06.008用化学剥离方法检测硅片表面的机械损伤南京晶体管厂郑主惠朱云苟风珍一、前青口。抛光片表面的平整度和完整性是硅单晶片的重要参数之一晶片制备过程中残留在、,表面的划痕浅坑等机械损伤不仅可直接造成,,P结不平坦而且还是硅器件工艺中二。、次缺陷的成核中心抛光的目的便是要为器件制造提供尽可能完美的无机械损伤和杂。质沾污的镜面表面。硅片表面损伤的检测已经发展了多种的分析方法〔1〕但是由于这些检测方法大多设备昂贵、操作复杂、周期长。目前国内仅用于科研中。工厂中对抛光片表面质量的检,。验〔“〕主要仍采
2、用目测有时也用铬酸腐蚀法抽检但目测法只能看到一些明显的机械,。。损伤且随不同操作者而异铬酸腐蚀法前进了一步但铬酸腐蚀剂会在硅片的缺陷处,。沉淀因此这是一种破坏性的检验方法。,化学剥离技术〔3〕原是硅片的一种清洗方法我们在采用这种方法清洗硅片时发现,。化学剥离技术不仅可以用来清洗而且也可以用来检验地光片表面的机械损伤白1979,,年10月正式采用化学剥离检验法以来证明这种方法操作简便质量控制比常规的目测,,。法灵敏可靠同时对硅片无破坏性作用适用于工厂的抛光工艺监控二、化学剥离方法用于检验硅片表面损伤的根据1.化学剥离液对硅片的作用〔,化学剥离液4〕又称为五号
3、腐蚀液其成分为:3:AC一(.81::,。HFHNOH。、)5020式中比值为体积比这种腐蚀液对硅,`。、、5〕,单晶有微弱的腐蚀作用在。C时3分钟约去除1“试验〔34证明化学剥离法可去除硅片在化学机械抛光残留在表面的机械损伤和杂质沾污,从而有效地降低和消除了。表面型热氧化层错密度2.硅片化学刹离后出现界状的实验对比我们用五号腐蚀液清洗硅片时发现,有些抛光片肉眼看上去很光亮,用一般的目测法检验是合格的,,但是一经化学剥离在平行光点下观察便可看到晶片表面有一层白雾〔、。以上两次事例都有详细的报告67〕通过半年多的使用,我们体会到化学剥离检验法能直观快速地反映
4、出抛光片的表面,,。质量较一般的目测法灵敏可靠很适用于抛光工艺监控,,。由于时间短工作还不够深入错误的地方欢迎批评指正,,1权5所沈浩浪刘惠兰同志为我们拍摄了扫描电镜和相衬显微镜照片在此表示感。谢参考资料,,,。,〔1〕许振嘉半导体科研生产中的检测分析国外电子技术NO21977年、,,19795〔2二四机部部标准(草突)不上单晶(捧片)年月.,,,o连1979〔3二闻瑞梅等旧化学剥窝方法消除硅片表面热氧化层错半导体通讯N年,,,。,〔4〕王玉田等硅器件工之中的某些二次缺陷半导体通讯NO61979年,,,。,〔6)陆文兰等lfog氧七工艺过程中的热氧化层错半
5、导体通讯NO61979年〔,6〕南京晶体若广工艺科一种提高晶片表面质量的有效方法化学腐蚀法(会议交流资料),—〔7〕播承基抛光布对抛光片表面质量的影响(会议交流资料)198。年的美国半导体市场、、,美国西欧日本等国198。年的电子产品总销售量比去年增长10呱预计达1440亿.,。,,、、美元其中美国的增长率最高为103%达789亿美元半导体器件各类集成电路大规模集成电路的销售量比去年增长26%、价值64亿美元。,,,,TTL的出厂产品增长18肠价值8亿多美元但仍满足不了需要仍需进口小功,,。率的肖特基TTL增长幅度更大达38肠价值2亿9千多万美元,。ECL
6、增长了31肠预计达7409万美元,。16K动态R且M急剧地增长到去年的12肠价值2亿g千多美元静态RAM、通用计算机用的高速存储器、微处理机用的低速存储器增长了3肠,。预计将达4亿多美元,。微处理机及其所用的线性集成电路总计增长10呱达7亿多美元据报导,由于大型计算机和专用计算机需要量的增加,IB口M等公司还从国外进。部分RAM疾风编译自《日经工卜夕卜口“夕只》,昭和55年3月No235PP190一197
