基于-LTCC工艺设计的设计规范方案总结.doc

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1、基于LTCC工艺的设计规范总结1．材料特性特性相关参数值1．相对介电常数Er：5.9±0.2@(1~100GH)2．介质损耗角正切：<0.002@（1~100GHz)3．电阻率：>at100DVCΩ5．层数：最多30层6．每层层厚：0.1mm7．导体厚度：0.01mm8．孔径：最小直径0.1mm可选6mil8mil10mil12mil9．密度：Density3.210．镀金属：铜（Cu）顶层：嵌入其中，中间层：上下各嵌入50％过孔镀银（Ag）11.基板尺寸（最大）105mm×105mm12．生瓷片精度横

2、向平面精度：±5um众向生瓷精度：±10um2.导体线宽和间距建议尺寸最小尺寸ABC顶层45um45um45um内层100um100um100umNote:可能的情况下推荐更大的间距，密度过大或者焊盘过近将造成潜在的短路问题相关参数:网印最小线宽/间距100um/100um直描最小线宽/间距50um/75um蚀刻最小线宽/间距45um/45um3．导体到基板边缘的间距/和腔体间隙推荐尺寸最小尺寸4．电气过孔214的可选通孔直径为：6mils、8mils、10mils、12mils互连通孔最小直径：0.1

3、mm5.同层通孔间距A一般取3倍于孔径尺寸注意：散热和RF通孔排除在此标准外相关参数：互连通孔最小节距：0.3mm6.过孔托盘在通孔上面和下面的托盘必须以一定的距离与通孔的所有边都重叠，除非密集布线情况时不允许使用此方法（通孔直接与导线相连）7．基板边缘电气通孔A值推荐3～4倍于通孔直径，最小为18～25mil8．器件安装处通孔分布当设计的密度需要长的通孔串时，通孔必须交错分布以防发生突然折断的裂缝。层与层直接的电气通孔之间的交错连接：通孔采取垂直方向的交错（Z字型），以使传送通道（routingcha

4、nnels）的封闭(blockage)降到最小,并减小通孔的“加速效应”（postingeffect）。以下是交错通孔技术的示例：可接受的Z字形推荐的阶梯型堆叠通孔通孔堆栈：说明：电连接建议使用交错通孔，在特别情况下，在同一通孔处最多可以通孔15层。9．地和电源面板大面积的裸露导体区域，比如面板，必须是实心的。烧结板在所有可能的地方应该网格化。铺地的区域必须是实心的，以此在需要时提供对传输线或其他关键信号线的保护。所有铺地板的边缘（在基板的周围和腔体附近）都必须造成城形，来提升生瓷带层与层之间的迭片结构

5、的粘合性。相邻层之间的面板的栅格形状必须是可以相互抵消(offset)的，使基板顶层和地层表面较为平整注意：接地板的网格应尽可能的大来减小多余增量和损耗，对于大面积地面/电源面，建议使用栅格形式，对于特别情况，局部可以使用面地面/面电源面。10．空腔空腔底部导体与空腔壁之间的间隙如果有必要，底部导体的电气连接可以穿过空腔壁，但是不能超过壁长的25％，最大50％，城形的金属化设计可以用来满足该设计。裸露/烧结导体到腔体壁之间的间隙11．通孔与腔体的间隙通孔和腔体壁之间的间隙连接架注意：在设计确认前应该检查

6、连接架上的空腔壁高度12．空腔与空腔的间隔：最小尺寸注意：1．烧结腔体壁长度不应超过500mils2．烧结前的经机械加工的腔体壁长度不能超过2inches3．最少腔体深度是一层生瓷片，连接架是经过考虑的腔体构成的。4．需要检查