二极管三极管复习.ppt

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1、第四单元半导体二极管和三极管复习第一节半导体的基础知识第二节半导体器件的核心——PN结第三节：半导体二极管第四节：特殊半导体二极管第五节：半导体三极管第六节：基本放大电路半导体的导电能力半导体的特性什么是本征半导体什么是本征激发、复合半导体内部存在几种导电方式杂质半导体可以分为几种半导体器件的核心PN结中内电场的方向PN结最重要的特性绝缘体<导电能力<导体热敏性、光敏性、掺杂性纯净无杂质的半导体价电子获得能量激发一对电子和空穴的过程电子导电、空穴导电N型半导体、P型半导体PN结N指向P单向导电性二极管的类型二极管的符号二极

2、管的伏安特性最高反向工作电压通常是多少2CZ11A稳压管的材料稳压管、发光二极管、光电二极管工作区间稳压管的电压温度系数的分界数发光二极管、光敏二极管的符号点接触型、面接触型正向、反向、反向击穿取反向击穿的一半有整流作用的硅二极管硅二极管反向击穿区、正向导通、反相接法6V三极管的组成三极管的类型三极管的结构三极管的三种接法三极管的基本作用三极管输出特性的三个区域由两个PN结组成NPN型、PNP型基极B、发射极E、集电极C共基极、共发射极、共集电极放大电信号截止区、放大区、饱和区放大电路的作用电容在交直流的作用，如何分析共射

3、极的输出电压和输入电压的相位差有哪几种失真方式把微弱电信号转变成较强的电信号直流中看成开路，交流看成短路180截止失真、饱和失真是非题1）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（）×2）在N型半导体中掺入足够量的三价元素可将其改型为P型半导体。（）√3）放大器通常用ib、iC、vce表示静态工作点。（）4）为消除放大电路的饱和失真，可适当增大偏置电阻RB。（）√√5）在基本放大电路中，输入耦合电容C1的作用是隔交通直。（）×6）放大器的输出与输入电阻都应越大越好。（）×7）放大器Au=－50，其中负号表示波形缩小。

4、（）×8）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（）√9）当二极管两端正向偏置电压大于死区电压，二极管才能导通。（）√10）半导体二极管反向击穿后立即烧毁。（）×填空题1、三极管的内部结构是有、、及结和结组成的。三极管对外引出的电极分别是极、极、极。发射区基区集电区发射集电发射基集电2、二极管有个PN结，二极管的主要特性是，三极管有个PN结，三极管的主要作用是。3、二极管的电路符号，稳压管的电路符号，三极管的电路符号,。1单向导电性2电流放大NPNPNP4、三极管的三种工作状态是,,饱和放大截止5、三极管的偏置情况

5、为时，三极管处于饱和状态。发射结正向偏置，集电结反向偏置6、若静态工作点选得过高，则产生失真饱和选择题（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。A.变窄B.基本不变C.变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏（4）当NPN型三极管的VCE>VBE且VBE>0.5V时，则三极管工作在（）A、截止区B、放大区C、饱和区D、击穿区（5）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体

6、，加入元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价（6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。A.增大B.不变C.减小（7）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。A.83B.91C.100ＡＡＣＢＢＣＡＣ（8）用万用表R×1K电阻档测某一个二极管时，发现其正、反电阻均近于1000ＫΩ，这说明该二极管（）A、短路B、完好C、开路D、无法判断C（9）某NPN硅管在放大电路中测得各极对地电压分别为UC=12V，UB=4V，UE=0V，由此可判别三极管（）A.处于放

7、大状态B.处于饱和状态C.处于截止状态D.已损坏D（10）稳压二极管电路如图，稳压二极管的稳压值UZ=6.3V，正向导通压降0.7V，则UO为()。A.6.3VB.0.7VC.7VD.14VC（11）稳压管（）A、是二极管B、不是二极管C、是特殊的二极管C12、由锗二极管VD，电源E和电阻R（R=3kΩ）组成电路所示，该电路中电流比较准确的值是（）A、0B、0.27mAC、0.4mAD、0.5mAC13、某晶体管的发射极电流等于1mA,基极电流等于20,则它的集电极电流等于()mA.A、0.98B、1.02C、0.8D、1

8、.2A综合题1、图示电路，判断各二极管处于何种工作状态？设UF=0.7V，求UAO=？解：图(a)所示电路中，二极管VD阴极电位为－12V，阳极电位为－15V，二极管VD反偏截止。电路输出电压UAO=－12V。图(b)所示电路中，二极管VD2阴极电位为－9V，阳极电位为－12V，二极管VD2反偏截止。而