CMOS模拟集成电路设计_ch1_2绪论器件物理(二).ppt

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1、12.MOS器件物理基础2.3二级效应体效应在前面的分析中，我们未加说明地假定衬底和源是接地的（Vsb=0）。实际上当VB

2、长度调制效应越小！其中λ为沟道长度调制系数5亚阈值导电性在初步分析MOSFET的时候，我们假设当VGS

3、=CovW，CGB由氧化层电容和耗尽区电容串连得到深三极管区时，VDVS，饱和区时，8在三极管区和饱和区，CGB通常可以被忽略。在电路分析中我们关心器件各个端口的等效电容：大信号和小信号模型大信号模型用于描述器件整体的电压-电流关系，通常为非线性小信号模型信号幅度相对于偏置工作点而言比较小、不会显著影响偏置工作点时用该模型简化计算（线性近似）由gm、gmb、rO等构成低频小信号模型，高频时还需加上CGS等寄生电容、寄生电阻9MOS小信号模型1011工艺跨导参数MOS管的完整小信号模型对于手算，模型不是越复杂越好。能提供合适的精度即可12MOSSPICE模型模型

4、精度决定电路仿真精度最简单的模型——Level1，0.5m适于手算13NMOS管与PMOS管在大多数工艺中，NMOS管性能比PMOS管好迁移率4：1，高电流驱动能力，高跨导相同尺寸和偏置电流时，NMOS管rO大，更接近理想电流源，能提供更高的电压增益对nwell工艺，用PMOS管可消除体效应独占一个阱14NMOS管与PMOS管工艺参数的比较长沟道器件和短沟道器件前面的分析是针对长沟道器件（4m以上）而言对短沟道器件而言，关系式必须修正用简单模型手算，建立直觉；用复杂模型仿真，建立严密16MOS管用作电容器时17练习1.并联串联两个管子并联M=2注意不要混淆管

5、子的宽W和长L以及串并联关系！WL