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《InP_InGaAs探测器光响应度与波长关系的研究_冯士维.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、SEMICONDUCTOROPTOELECTRONICSVol.28No.4Aug.2007光电器件InP/InGaAs探测器光响应度与波长关系的研究11112冯士维,王承栋,杨集,张弓长,卢毅成(1.北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022;2.Rutgers大学电子工程与计算机系,美国新泽西08854)摘要:对于正面光入射的InP/InGaAs探测器,入射光会在空气、增透膜、InP盖层和InGaAs层之间发生多次反射。为了研究其对光响应度的影响,我们测量发现:探测器的光响应度会随探测波长出现非平坦的峰谷曲线,并且通过对该曲线上峰谷波长的简单数学处理,可以提取出已
2、封装器件的结构参数和材料参数,而且这些参数与实验曲线符合得很好。利用该方法可以简单方便地提取出已封装器件的实际结构参数和材料参数。关键词:探测器;光响应度;多层反射;拟合中图分类号:TN364.2文献标识码:A文章编号:1001-5868(2007)04-0464-03StudyonthePhotoResponsivityofInP/InGaAsDetectorwiththeWavelengths11112FENGSh-iwei,WANGCheng-dong,YANGJi,ZHANGGong-chang,LUY-icheng(1.SchoolofElectronicInform
3、ation&ControlEngineering,BeijingUniversityofTechnology,Beijing100022,CHN;2.DepartmentofElectronicEngineering&Computer,RutgersUniversity,NewJersey08854,USA)Abstract:Inafront-illuminatedInP/InGaAsdetector,therearemult-ilayerreflectionsofincidentlightamongtheair,reflectionreducingcoating,InPcap
4、pinglayerandInGaAslayer.Afterperformingexperimentsforanalyzingitseffectonthephotoresponsivity,wefoundthatthephotoresponsivityofInP/InGaAsdetectorwithwavelengthsshowedanon-flatcurve.Andbymathematicaltreatmentforthepeaksandvalleysofthecurve,wecanextractthepackageddeviceparametersthatfittheexpe
5、rimentalcurvebetterandtheseparameterscanmatchtheexperimentalcurvemoreclosely.Bythisway,wecanextractapackageddevice'struestructureparametersandmaterialparameterssimplyandaccurately.Keywords:detector;photoresponsivity;mult-ilayerreflection;regression1引言的InP材料层。该材料层可以限制光激发的载流子[6]进入pn结区,以减少表面复合。
6、此外,为了增加由于InP/InGaAspin光电探测器在1.3~1.5光的透射,通常在表面增加一层增透薄膜。Lm波长范围内,具有高响应度、高传输率和低暗电我们测量、模拟分析了探测波长960~1700nm[1]流等优点,已广泛用于光通信等领域。为了满足范围内,增透层和InP盖层对探测器光响应度的影不同光纤与探测器之间的耦合或芯片键合系统的需响。测量结果表明:正面入光的探测器,由于表面多要,探测器通常采用两种封装形式,即正面入光和背层结构材料之间的反射,光响应度曲线出现不平坦[2~5]面入光。对于正面入光探测器来说,为了改进的峰谷曲线。通过计算拟合这些光响应曲线的极值pin探测器的
7、性能,通常在入光面使用一层宽带隙位置,可以确定实际封装后的探测器的增透层和InP盖层材料的折射率和厚度等参数。与传统的测收稿日期:2006-12-12.量折射率方法比较,该方法可以非破坏性地确定探基金项目:北京市自然科学基金项目(21002015200501);教育部出国留学人员基金资助项目(63002015200401).测器的材料参数和结构参数。#464#《半导体光电》2007年8月第28卷第4期冯士维等:InP/InGaAs探测器光响应度与波长关系的研究2实验InP衬底在此波长范围内有
