模拟电路1笔精彩试题

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1、实用试卷五一．填空题（每题2分，共20分）⒈二极管的伏安关系可近似表述为公式：当工作频率过高时，二极管会失去单向导电特性，其原因是：⒉在常温下，杂质半导体的参数载流子主要由产生，少数载流子由产生。⒊利用二极管的特性可以制成稳压管。利用二极管在偏置时的电容效应可制成变容二极管。⒋耗尽型场效应管在恒流区的平方律关系式为：当该类型FET的沟道预夹断时，与满足方才：。⒌当偏置于放大区的晶体管的集电结反偏电压的值增加时，基区有效宽度的变化是，共射直流电流放大系数的变化是。⒍图1所示放大器的静态=，=。当输入信号增大时，首先出现的削波失真应为失真，若改变来消除这种失真，应使其。文档实用图1⒎当频率增

2、加到使晶体管的高频=1，频率称为晶体管的频率。若某管=800MHZ，低频=50，则频率=50MHz时，=。⒏图2所示，由两支配对硅管（=0.7V）组成的电路称为。按图中给出的数据I0=。图2图3⒐图3为一反馈放大器数学模型，该模型的中频区闭环电压增益为分贝，闭环电压增益的高频截止频率=文档实用MHZ。⒑某运放开环电压增益的幅频率特性为图4所示，若用该运放构成负反馈反相放大器，并且有450的相位裕量，该放大器的电压增益应为倍。12010080604020-20图4一．单选题（每题2分，共20分）⒈在正偏PN结阻挡层两侧的P区和N区中，自由电子浓度n和空穴浓度p应满足关系式（）。下面各式中的

3、ni的本征浓度。A．np=ni2B.np＜ni2C.np＞ni2D.n=p⒉若图1电路出现了故障，测得各管脚电压为=3.5V，=4V，=3.3V，由此可以推断，故障的原因应该是（）。A．R1开路B.R2开路C.RC短路D.RL短路文档实用⒊某放大器信号源内阻较大，希望加入负反馈的输出电流随负载变化明显减小，则应采用（）负反馈。A．电压取样电流求和（并并）B．电压取样电压求和（串并）C．电流取样电流求和（并串）D．电流取样电压求和（串串）⒋若差动放大器一个输入端的输入电压Vi1=2mv,且共模输入电压与差模输入电压相等，则另一个端的输入电压Vi2=()A、6mVB、-6mVC、3mVD、0

4、mV5.若对下面四种无负反馈的基本放大器输入相同振幅的小信号则（）的非线性失真最小。A、共射放大器B、晶体管差动放大器（CE差模组态）C、共源放大器D、场效应管差动放大器（CS差模组态）6、图5是某放大器低频段的交流通路。当开关K置于（　　　　）位置时，Ar(jw)=的低频截止频率fL最低文档实用图5７、在图１放大器中，假设R1R2RERChie其值的数量级相同，β〉〉1，C1=C2=CE,则该放大器电压增益函数的低频截止频率≈（）。A.B.C.D.8.若OTL功放是功率管的极限参数PCM=1W，BVCEO=20V，ICM=2A，则该功放电源电压VCC及最大功率输出POMAX应满足（）。

5、A.VCC<20V,POMAX<5WB.VCC<20V,POMAX<10WC.VCC<10V,POMAX<5WD.VCC<10V,POMAX<10W9.若某反馈放大器的环路传输f(jω)的波特图为图6的所示，则该放大器（）。A．将产生高频自激B．将产生低频自激C．高低频自激均会产生D．不会产生自激文档实用图610．图7是运放作微分器的实用电路，该电路对输入电压的频率的要求是（）。图7A.ƒ》1/2πR1CB.ƒ》1/2πRfCC.ƒ《1/2πR1CD.ƒ《1/2πRfC一．在图8所示的二极管电路中，已知二极管的伏安特性曲线如图9所示。文档实用图8图91．用图解法求二极管的电流ID和电压V

6、D（2分）2．估算二极管此时的交流电阻（T=300K）（3分）二．某放大器在负载开路时的电压增益AVO=40dB，输入电阻Ri=1K输出电阻RO=10Ω，负载电阻RL=10Ω。若输入信号源内阻RS=1K，源电压有效值VS=2mV，求负载RL得到的信号功率PO。（10分）三．在图10所示的共射放大器中，C1～C3，Ca均对信号短路，晶体管β≈β=50，rx≈0,不计基或宽调效应，T=300K。文档实用图101．电容C2有何作用？（2分）2．估算工作点IC，VCE的值（4分）3．求中频段源电压增益AVS=VO/VS的值（4分）二．在图11所示的由理想运放组成的电路中，R=10KΩ，R2=20

7、KΩ，R3=5KΩ，R4=20KΩ，C=1μƒ，t=0时刻接入V1=1V，V2=1.1V，求VO=10V时所需的时间。（10分）图11三．图12所示的FET放大器中,两管F1F2的小信号参数相同,跨导为g(即gfs),漏源内阻为r(即rds),C1～C3为耦合傍路电容。1.F1在电路中起什么作用?(2分)2.画出放大器中频段不信号模型。(4分)3.求VO/Vi。(4分)文档实用图12一．图13为两级差动放大器级联组成的负反馈放大器。