基于线性霍尔元件的位移传感器设计

基于线性霍尔元件的位移传感器设计

ID:47478173

大小:214.67 KB

页数:18页

时间:2020-01-11

基于线性霍尔元件的位移传感器设计_第1页
基于线性霍尔元件的位移传感器设计_第2页
基于线性霍尔元件的位移传感器设计_第3页
基于线性霍尔元件的位移传感器设计_第4页
基于线性霍尔元件的位移传感器设计_第5页
资源描述:

《基于线性霍尔元件的位移传感器设计》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、郑州轻工业学院传感器及应用系统课程设计说明书基于线性霍尔元件的位移传感器姓名:吴富昌专业班级:电子信息工程13-01学号:541301030139指导老师:陆立平时间:2016.6.27-2016.7.1郑州轻工业学院课程设计任务书题目基于线性霍尔元件的位移传感器设计专业、班级电子信息工程13-01学号39姓名吴富昌主要内容、基本要求、主要参考资料等:一、主要内容:利用线性霍尔元件设计一个位移传感器。二、基本要求:(1)设计一个位移传感器,并设计相关的信号处理电路。(2)为达到误差控制要求,需要对霍尔元件的误差进行补偿校正,主要包含霍

2、尔元件的零位误差及补偿和温度误差及补偿。(3)完成系统框图和电路原理图的设计和绘制,系统理论分析和设计详细明确,有理有据。(4)信号处理电路应包含激励信号电路、消除不等位电势补偿电路、放大电路、相敏检波电路和低通滤波电路等。(5)利用软件仿真,得出主要信号输入输出点的波形,根据仿真结果验证设计功能的可行性、参数设计的合理性。(6)根据模拟结果计算位移传感器的迟滞误差、线性度和灵敏度等参数。(7)写出3000~5000字的设计报告,主体文本字号为小四号,标题章节字号依照美观合理原则选择,并合理加黑,字体均为宋体。三、主要参考资料:(1)

3、何金田,张斌主编,传感器原理与应用课程设计指南。哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社,2009.01.(2)周继明,刘先任、江世明等,传感器技术与应用实验指导及实验报告。长沙:中南大学出版社,2006.08.(3)陈育中,霍尔传感器测速系统的设计,科学技术与工程,2010,10:7529-7532.完成期限:2016年6月27日-2016年7月1日指导教师签章:专业负责人签章:2016年6月27日基于线性霍尔元件的位移传感器设计摘要霍尔传感器是基于霍效应而将被测量转化成电动势输出的一种传感器。霍尔元件已发展成一个品种多样的磁传感器产品簇,并且

4、得到广泛的应用。霍尔器件是一种磁传感器,用它可以检测磁场及其变化,可以在各种与磁有关的场合中使用。霍尔期间以霍尔效应为其工作原理。当被测物体分别与恒定电流I和恒定磁场B垂直二当被测物体相对于原来位置有微小位移变化时,会产生变化的磁通量,会在导体垂直于磁场和电流的两个端面之间产生电势差,即UH(霍尔电压)。本文主要研究微小位移与霍尔电压的关系来设计霍尔位移传感器。关键词霍尔传感器位移霍尔电压目录1霍尔元件及其工作原理11.1霍尔元件11.2霍尔元件工作原理21.3霍尔元件的主要特性及材料31.3.1霍尔元件的主要特性参数31.3.2霍尔

5、元件的材料41.4霍尔传感器简介41.5霍尔传感器的应用42霍尔元件的误差及补偿62.1霍尔元件的零位误差与补偿62.2霍尔元件的温度误差及补偿62.2.1温度误差产生原因62.2.2减小霍尔元件的温度误差的方法63单元电路设计73.1霍尔电压的放大及霍尔元件的归零校正73.2恒流源构成温度度补偿电路83.3霍尔位移传感器的设计电路图84数据的采集和分析84.1数据的采集84.2数据处理94.3霍尔元件的技术参数95总结9II参考文献11II1霍尔元件及其工作原理1.1霍尔元件霍尔元件是半导体四端薄片,一般做成正方形,在薄片的相对两侧

6、对称的焊上两对电极引出线(一对称激励电流端,另一对称霍尔电势输出端),如下图所示。图1-1霍尔元件结构图霍尔元件可用多种半导体材料制作,如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等.霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔元件具有许多优点,它们的结构牢固,体积小,重量轻,寿命长,安装方便,功耗小,频率高(可达1MHZ),耐震动,不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。霍尔线性器件的精度高、线性度好;霍尔开关器件无触点、无磨损、

7、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高(可达μm级)。采用了各种补偿和保护措施的霍尔器件的工作温度范围宽,可达-55℃~150℃。霍尔电位差UH的基本关系为:UH=RHIB/d(18)RH=1/nq(金属)(19)式中RH——霍尔系数:n——单位体积内载流子或自由电子的个数12q——电子电量;I——通过的电流;霍尔元件B——垂直于I的磁感应强度;d——导体的厚度。对于半导体和铁磁金属,霍尔系数表达式与式(19)不同,此处从略。由于通电导线周围存在磁场,其大小与导线中的电流成正比,其优点是不与被测电路发生电接触,不影响被测电路,不

8、消耗被测电源的功率,特别适合于大电流传感。1.2霍尔元件工作原理霍尔元件应用霍尔效应的半导体。  所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。