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《Au-GaN肖特基结的伏安特性》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第21卷第4期半 导 体 学 报Vol.21,No.42000年4月CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORSApr.,20003Au-GaN肖特基结的伏安特性112林兆军 张太平 武国英 王 玮 阎桂珍 孙殿照 张建平 张国义(北京大学微电子所,北京 100871)(1 中国科学院半导体研究所新材料部,北京 100083)(2 北京大学物理系,北京 100871)摘要:在MBE和MOCVD两种方法制备的n2GaN材料上制作了Au2GaN肖特基结,测定了肖特基结的室温I2V特性.分析表明:GaN材料的载流子浓度对肖特基结的特
2、性有很大的影响.关键词:MBE;MOCVD;GaN;肖特基结;伏安特性PACC:7330;7340;7360中图分类号:TN311.7文献标识码:A文章编号:025324177(2000)0423692043I-VCharacteristicsofAu-GaNSchottkyJunctionLINZhao2jun,ZHANGTai2ping,WUGuo2ying,WANGWei,YANGui2zhen,112SUNDian2zhao,ZHANGJian2pingandZHANGGuo2yi(InstituteofMicroelectronic
3、s,PekingUniversity,Beijing100871,China)(1InstituteofSemiconductors,TheChineseAcademyofSciences,Beijing100083,China)(2DepartmentofPhysics,PekingUniversity,Beijing100871,China)Received23November1998,revisedmanuscriptreceived8March1999Abstract:Au2GaNSchottkyjunctionhasbeenfabr
4、icatedonn2GaNmaterialsbyMOCVDandMBE.I2VcharacteristicsoftheSchottkyjunctionshavebeendeterminedatroomtemperature.ItisshownthatSchot2tkyjunctioncharacteristicsareseriouslyaffectedbythecarrierconcentrationofGaNmaterials.Keywords:MBE;MOCVD;GaN;Schottkyjunction;I2Vcharacteristic
5、sPACC:7330;7340;7360ArticleID:025324177(2000)0423692043国家“九五”科技攻关资助项目[ProjectSupportedbyNationalNinth25yearScienceandTechnologyDevelopmentProgramofChina].林兆军 男,1962年出生,博士后,目前从事GaN器件研究工作.张太平 男,1944年出生,高级工程师,现从事半导体器件研究工作11998211223收到,1999203208定稿©1995-2004TsinghuaTongfangOpti
6、calDiscCo.,Ltd.Allrightsreserved.370半 导 体 学 报21卷1 引言GaN是一种化学性质稳定、热导率高的宽带隙半导体材料,可用于制作电子和光电子器件以及理想的[1,2]高功率和高温器件1GaN电子器件的研究现已成为一个热点,已有关于GaNMESFET、GaNöAlGaN[3—5]MODFET.在GaN电子器件的制备中,金属与GaN形成肖特基结是器件制备的关键工艺之一,我们在GaN材料上制备了Au2GaN的肖特基结,对所形成的肖特基结的特性做了测试分析,发现载流子浓度对肖特基结的特性有很大影响.2 实验采用M
7、OCVD和MBE两种方法制备GaN单晶材料.MOCVD方法是在蓝宝石衬底上首先生长约30nm的GaN缓冲层,接着在缓冲层上生长GaN单晶,GaN单晶层的厚度约110Lm,室温下的背景载流子18-32浓度和迁移率分别是617×10cm和70cmö(V·s).MBE方法制备的GaN单晶材料是首先在蓝宝石衬底上生长约20nm的AlN缓冲层,然后在缓冲层上生长GaN单晶,GaN单晶的厚度是017Lm,室温下的背17-32景载流子浓度和迁移率分别是4×10cm和73cmö(V·s).MOCVD和MBE两种方法制备的GaN材料,它们的(0002)X射线双
8、晶衍射峰的半高宽分别为10′和8′,这两种材料样品均未做有意掺杂,在显微镜下观察,表面平整光亮.首先对GaN样品进行清洁处理:在王水中煮15min,接着在丙酮、乙醇
