基础电子实习

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1、基礎電子◎選擇題，共50題，每題2分（C）l・電晶體於（A）1936（B）1924（C）1947（D）1961年由巴登、蕭克萊、布拉吞所發明（B）2.資訊運用是計算機和（A）元件（B）通訊（C）控制（D）材料工業合併後的效益（D）3・在純半導體中加入雜質原子的過程稱為（A）再結合（B）晶格化（C）鍵結（D）摻雜（C）4.自由電子存在於物質的（A）價電帶（B）禁止帶（C）傳導帶（D）能隙中（C）5.如何使一別接面二極體順偏？（A）陽極接外加電壓的負端，而陰極接於正端（B）陽極接外加電壓的正端，而陰極接於負端（C）陽極接到外加電壓的正端，而陰極接於負端，且須大於匕以上（D）由載子濃度決定（D）6

2、.當P型和"型半導體接觸時，即會產生一空乏層，而P型半導體之空乏層內應有（A）電洞（B）電子（C）正離子（D）負離子（C）7.整塊"型半導體是呈（A）負電性（B）正電性（C）電中性（D）不一定（D）8.下列敘述，何者錯誤？（A）當溫度昇高時，一-般金屬導體電阻增加（B）半導體（矽等），溫度上昇時，其電阻下降（C）在P型半導體裡，導電的載子主要是電洞（D）在"型半導體裡，電洞的濃度將隨溫度的昇高而減少（A）9.二極體的順向導通電流方程式為？Ya_Ya_（A）人二厶（B）Id"（1，心）（C）人二厶（D）人二0（D）10.理想的碑化錄二極體其切入電壓為？（A）OV（B）0.2V（C）0.6V（D

3、）1.1V（D）ll.下列有關Zener二極體，何者錯誤？（A）又稱為崩潰二極體（B）有一定的崩潰電壓（C）一般二極體之崩潰可分成累增崩潰，稽納崩潰（D）無法作為限壓裝置（C）12•某中心抽頭二極體全波整流有150V直流輸出，其二極體耐壓為（A）424V（B）236V（C）472V（D）566V（D）13.有一直流電壓源，端電壓50V，內阻5Q，滿載時電流為2A，則此電壓源之電壓調整百分率為何？（A）5%（B）10%（C）20%（D）25%%=50-5x2=40V%=50Vv-V50-40...VRO/o=5x1Oo%=xlOO%=25%f40（A）14.橋式整流之漣波頻率為電源頻率的（A）

4、2（B）3（C）V2（D）1倍（D）15.一全波整流器的峰值輸入電壓為150V，其輸出直流電壓為？（A）50V（B）75V（C）85V（D）95V♦詳解：全波整流電路负二0.636%=0.636x150=95.4V（A）16.變壓器之感應電勢與線圈之匝數：（A）成正比（B）成反比（C）平方成正比（D）平方成反比7・亠17B-C1IJyo」所示，刀及左之Piv值皆為(A)%(B)2%(C)3%(D)（C）1&有一電源供應器，在未加負載時電壓為20伏特，加上100歐姆負載後電壓變為16伏特，則其電壓調整率為（A）11%（B）20%（C）25%（D）44%♦詳解:mxlOO%=25%（C）19

5、.J-FET之輸出特f生曲線通過原點，若工作區在原點附近，則此J—FET可當（A）整流用（B）穩壓器用（C）電壓控制可變電阻用（D）以上皆非♦詳解：當血甚小且在夾止電壓％之前之歐姆區域中，〃與沧成正比，而其通道電阻值受厶之控制，故在此區域中，FET可以作為壓變電阻器（IW）。（B）20.電晶體如當開關使用時，在ON狀態，電晶體應工作在（A）作用區⑻飽和區（C）截止區（D）崩潰區（B）21.電晶體共基極電路之特性為（A）電壓增益小（B）電壓增益大（C）電流增益為1（D）相移為180°（C）22.下列電晶體何者輸入電阻最大？（A）雙極電晶體（B）接面場效應電晶體（JFET）（C）金氧半場效電晶體

6、（MOSFET）（D）單接面電晶體（UJT）（C）23.關於BJT和FET的特性敘述，下列何者為非？（A）BJT是雙載子元件，而FET是單載子元件（B）在TC的製作上，BJT比FET佔較大的面積（C）BJT與FET都是電壓控制元件（D）—般而言，FET作為放大器產生的雜訊較低♦詳解：FET和BJT的特性比較如下：（1）FET的熱穩定性較佳。（2）FET的增益與頻寬乘積較小。（3）FET的操作速率較慢；BJT的操作速率較快。（4）MOSFET製造較簡單，所費面積比較小，適於/C製造。（5）MOSFET可以當作電阻或電容器使用。（6）FET具有高輸入阻抗及低雜訊。（7）FET沒有offsetvo

7、ltage適合當開關使用。（8）FET為單載子元件；BJT為雙載子元件。（9）FET為電壓控制型元件；BJT為電流控制型元件。（B）24.電晶體共射極電路之特性，哪一項為錯誤？（A）電流增益大（B）電流增益小（C）功率增益大（D）相移為180°（A）25.欲使增強式"通道MOSFET工作於飽和區其偏壓條件為何？（A）滋〉％，%〉％—%（B）%•〉％，血(A)26.(A)Id-血(Vgs—Vt)7'(B)Id-