电力电子技术试题与答案

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1、______________名姓__________________号试考____________________________级班_________________别系⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯线⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯封⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯密⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷题号一二三四合计6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）分数A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）阅卷人得分A、IGBT

2、B、MOSFETC、GTRD、GTO一、选择（每题1.5分，共60分）8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO1、晶闸管内部有（）个PN结。9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（A、1B、2C、3D、4）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、越大B、越小C、不变D、越稳定A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的

3、（）来表示的。11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、一个B、两个C、三个D、四个A、直流B、低频C、中频D、高频5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、《电力电子技术》试卷（第1页

4、，共4页）______________名姓__________________号试考____________________________级班_________________别系⋯在集电极加负电压⋯⋯14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管⋯⋯A、稍高于B、低于C、远高于D、等于⋯⋯⋯15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是⋯⋯⋯825V，则该晶闸管的额定电压为（）（）线⋯A、700VB、750VC、800VD、850V⋯⋯⋯

5、16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单⋯⋯A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应⋯⋯⋯晶体管21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的⋯⋯⋯17、二极管两端加上正向电压时（）A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域⋯封A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动⋯⋯⋯过0.7V才导通机的转速。⋯⋯18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）A、整流方式B、晶闸管导通角C、

6、电源电压D、电源频率⋯⋯⋯23、按逆变电路的（），分为全控型逆变电路和半控型逆变电路。⋯⋯⋯A、器件B、输出电能C、直流侧电源性质D、电流波形密⋯24、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面哪一种范围合理（）⋯⋯⋯19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）0000000⋯A、30-35B、10-15C、0-10D、0⋯25、在有源逆变电路中，逆变角β的移相范围应选（）为最好⋯⋯⋯000000⋯A、90-180B、35-90C、0-90⋯《电力电子技术》试卷（第2页，共4页）____________

7、__名姓__________________号试考____________________________级班_________________别系⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯线⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯封⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯密⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯26、不属于换流方式的是（）34、交流调压是把不变的交流电压变换成（）可调的交流电压A、器件换流B、电网换流C、单相换流D、负载换流A、最大值B、有效值C、瞬时值D、可调值27、通过附加的换流装置，给欲关断的器件强迫施加反向电压或反向电35、单相交流调压电路带电阻性负载时，控制角α

8、的移相范围为（）流的换流方式称为()A、00-600B、00-900C、00-1800D、00-2700A、器件换流B、电网换流C、单相换流D、强迫换流36、双向晶闸管的四种触发方式中（）触发灵敏度最高。28、串联谐振式逆变器属于（）A、Ⅰ+B、Ⅰ-C、Ⅲ+D、Ⅲ-A、电压型