模电总结复习资料_模拟电子技术基础1

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1、第一章］半导体二极管半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体Z间的物质（如硅Si、错Ge）。2.特性-一光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体一一纯净的貝有单晶体结构的半导体。4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体一--在本征半导体屮掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体：在木征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是屯子）。*N型半导体：在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6.杂质半导体的特性*载流子的浓度-一多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度

2、与温度有关。*体电阻-一通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.卩“结*PN结的接触电位差一-硅材料约为0.6为.8V,緒材料约为0.2〜0.3V。*PN结的单向导电性-一正偏导通,反偏截止。8.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性正向导通，反向截止。*二极管伏安特性----同PN结。*正向导通压降硅管0.6~0.7V,错管0.2~0.3Vo*死区电压硅管0.5V,错管0.IV。3.分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若vro>VP1（正偏）,二极管导通（短路）；若V阳

3、直流等效电路法*总的解题手段一一将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳艸阴（正偏）,二极管导通（短路）;若V阳3阴（反偏）,二极管截止（开路）。*三种模型Cn>理如核卫>微变等效电路法4怜折线模型<小希号磁空三・稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性一-正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路屮要反向连接。桧八€苗g伏圭档★上第二章三极管及其棊本放人电路一.三极管的结构、类型及特点1.类型---

4、分为NPN和PNP两种。2.特点-一基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较人。二.三极管的工作原理1.三极管的三种基木组态

5、输入特性曲线*输出特性曲线(饱和管压降，用馄'表示放人区—发射结正偏，集电结反偏。截止区一-发射结反偏，集电结反偏。4.温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升咼/cbo、leva、Z:以及0均増加。三.低频小信号等效模型(简化)/?/--输出端交流短路时的输入电阻，常用几表示；力人一-输出端交流短路时的正向电流传输比，常用B表示；四.基本放人电路组成及其原则1.VT、血、&、R、C、G的作用。2.组成氐则----能放大、不失真、能传输。五.放大电路的图解分析法1•玄流通路与静态分析*概念一直流电流通的回路。*画法一-电容视为开路。*作用---确定静

6、态工作点*直流负载线-一illJ治厶确定的直线。*电路参数对静态工作点、的影响Cc)输出特性曲线基本放大电路的习惯画法(c)改变々:c1)改变/《:0点将沿直流负载线上下移动。2)改变水：0点在&所在的那条输出特性曲线上移动。3)改变堆：直流负载线平移，"点发牛移动。1.交流通路与动态分析*概念-一交流电流流通的冋路*画法一-电容视为短路，理想直流电床源视为短路。*作用-一分析信号被放人的过程。*交流负载线一-连接Q点和f点心'=屜5R'的直线。2.静态工作点与非线性失真dc(mA)+zb(uA)

7、s)V(VcC—DctV(滋一％)=(%/一％放大电路的等效电路法1.静态分析(1)静态工作点的近似估算*当*当六.)时，受饱和失貝•限制，U()fT=2Un^X=2(UcEQ—Ucss)o人放人器将有址人的不失真输出电压。fCEQ=1CC-^CQRc(2)"点在放大区的条件欲使0点不进入饱和区,,放大电路的动态分析(a)基本共射放大电路(b)直流通路应满足乩＞bRc。RlkRsUi&()*放大倍数CU沁Hjeo-i=%s尺+尺J几+尺rbe*输入电阻=7?b//rbeUi/Rb+Wfe*输出电阻(b)微变等效电路稳定工作点放大器傀=孕-«AcJT七.分压

8、式稳定工作点共射放人电路的等效电路法1.静态分析Rb