大学论文之模电

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1、模拟电子技术基础电信2班王希明101405209第一章本征半导体1.1半导体基础知识1.1本征半导体1半导体常用的半导体材料硅错均为四价元素，他们的最外层电子既不像导体那样容易挣脱原子核的束缚，也不像绝缘体那样被束缚那么紧，因而导电性介于二者之间。2本征半导体将纯净的半导体经过一定的工艺过程制成单晶体，如图3本征半导体中的两种载流子，自由电子和空穴如图4本征半导体载流了的浓度本征半导体的导电性能很差且与环境有关，对温度的这种敏感性，可以用来制作热敏和光敏器件，有是造成半导体器件温度稳定性差的原因。1.1・2杂质半导休1N型半导体掺入磷的硅自由电子导屯2P型半导体掺入硼的硅空穴导电1.13pn

2、结1.势垒电容PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容2.扩散电容PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容q。结电容：q=Cb+Cd结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！1.2半导体二极管一、二极管的组成阳楼m刖楼将PN结封装，引岀两个电极，就构成了二极管。点接I輕结面积小，结电容小晞允许的电流小最高工作幣高结面积大，结电容大允许的电流大最作幣低平面型结面积可小.可大小的工作舞高犬的结允许的电流大2•二极管

3、的伏安特性L单向导电性正向特性为指数曲线匕——L2.伏安特性80°C20Xu/=/s(e^-l)U若正向电压”>>内，贝!jZ"se百;若反向电压u»Uv贝!

4、/«-ZSo反向特性为横轴的平行线T(Df〜在电流不变情况下管压降rUf反向饱和电流心仁Gbr)IT(V!)ff正向特性左移，反向特性下禾1.2.3二极管的主要参数最大整流电流IF最高反向工作电压UR反向电流R最高工作频率FM当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。rTOWDO气=0时直流电源作用根据电流方程十誥弋小信号作用0越高，G越小。静态电流1.3晶体三极管1.3

5、.1晶体三极管的结构及类型cob1.3.2集体三极管的电流放大作用QCNPN-MPNP^1晶体管内部载流了的运动2晶体管的电流分配关系3晶体管的共射电流放大系数1.3.3晶体管的公射特征曲线1输入曲线2输出曲线1.3.4晶体管的主要参数•直流参数:•交流参数:极限参数：＜CM、PcM、U(BR)CEO最大集电c-e间击穿电压P、a、』cbo、＜ceoa=Ic/4瓦=1+尸极电流安全工作区最大集电极耗散功率，Pcm=3ce第二章基本放大电路1放大的概念和放大电路的主要性能指标放大电路放大的木质是能量的控制和转换任何放大电路均可看成为二端口网络。输入电流福源内阻福源Qk.放大电路匚①输出电流输入

6、电压输出电压1)放大倍数：输出量与输入量之比A=4=—4=4=i-4=—2=L电压放大倍数是最常被研颓测试的参数2输入电阻是从放大电路输入端看进去的等效电阻RI=UI/Ii输岀电阻RO=(UO7uo-l)rl4通频带下线，上线截止频率B、a、I使〃的信号频率)2.2基本共射放大电路的工作原理五、放大电路的组成原则•静态工作点合适：合适的直流电源.合适的电路参数。•动态信号能够作用于晶体管的输入回路，在负载上能够获得放大了的动态信号。•对实用放大电路的要求：共地.直流电源种类尽可能少.负载上无直流分量。两种实用放大电路直接耦合放大电路2.信号源与放大电路不“共地"共地且要使常静态时，4eq=U

7、r^动态时，b・e间电压是旳与«bi上的电压之和。阻容耦合放大电路6C]、q为耦合电容!耦合电容的容量应足够大,即对于交流信号近似为短路。其作用是“隔离直流、通过交流叫静态时，q、电压？"cLSeq，S2=Seq。ooo动态时,+信号驮载在静态之上。负载上只有交流信号。2.3放大电路的分析方法分析电路应遵循“先静态，后动态”的原则IA2.电压放大倍数的分析石工K汗f亠

8、W(IIIu..I丄兰吉.疋△“]—>~~zXz&ce)—>—△“I△“0与反相，九符号为“一"。2.4放大电路静态工作点的稳定L电路组成ce为旁路电容，在交流通路中可视为短路2.4.3稳定静态工作点的措施靠温度敏感器直接对基

9、极屯流IB产生影响，使之产生与IC相反方向的变化。2.5晶体管单管放大电路的三种基本接法251基本共集放大电路L静态分析T^BB_^BEQT_'eq刼一1+戸°CEQa^CC-【EqRc+UBEQ2.动态分析CC2.5.3三种接法的比较1共射电路既能放大电流又能放大电压，输入电阻居三种电路Z中，输入电阻较大，频带较窄，常作为低频电压放大电路的单兀电路。2共集电路只能放大电流而不能放大电压，是三种接法中输入电阻